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耐压、最大允许电流这些参数都有余量，不是需要担心的问题。: T D* `9 m# J/ x1 ~
但是极限耗散功率有可能是问题。
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电容储能的泄放通道有两个组成部分：A）100R电阻， B）MOSFET沟道电阻" Y3 d5 O( ?# H, n: g
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A）有很高的耐短时突发过载的能力，不用担心
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B）完全导通时沟道电阻是20毫欧，只分担极其轻微的功耗，也不是问题。
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0 ]9 [ n: U# [) p但是，MOSFET沟道从截止到20毫欧的转换，是需要时间的，沟道电阻是要经历从几十兆欧、千欧、百欧，欧这个过程。虽然时间不长，也许几十毫秒，一百毫秒，但是如果期间发生所分担的功耗超过了极限允许功耗，器件就可能发生破坏。
+ E: G" U5 z, B/ B0 m
1 q( z' X) [- }. V9 M D3 a! U按照欧姆定律，定压纯电阻回路当可变负载的阻值等于电压源内阻时，负载得到最大电功率。在我们电路中，把100R电阻看作电源内阻，那么当MOSFET沟道电阻达到100R的瞬间，它分担的功率达到最大值。我们可以把这个最大值作为最坏情况来考量。具体数值很容易算 根据P=U^2/R ，每个MOSFET此时的功耗是5 o: c: T6 Q0 O
【（32*32）/（100+100）】/2
" n: T I/ V1 Q; O" e6 D; d9 a7 _+ i
: |5 v9 _6 v d4 B# b6 q1 T这个MOSFET是双管，所以整个器件此时的功耗就是 （32*32）/200 = 5.12W
# J6 u' g: W+ H
4 I+ q' v% K* i% y' q f对于极限允许3W的器件，只要时间足够短或占空比足够小，5.12W的短暂功耗也是可以安全工作的。但是我们对工作条件掌握很有限，数据手册也没有给出安全工作区和击穿曲线数据，所以安全可靠起见，就按直流设计，加倍泄放电阻到200R，这样MOSFET的最大可能功耗就是5 G1 m$ P8 |' @9 T
（32*32）/400 = 2.56W
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发表于 2018-12-18 12:36
楼主
发表于 2019-1-18 11:05
