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: i! O5 H: T9 U7 S耐压、最大允许电流这些参数都有余量，不是需要担心的问题。
8 w- o7 |& h' j! o但是极限耗散功率有可能是问题。( k+ X( O# w7 Z# W
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电容储能的泄放通道有两个组成部分：A）100R电阻， B）MOSFET沟道电阻$ a: h# ]6 F- Q5 q$ z) g3 z0 d
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A）有很高的耐短时突发过载的能力，不用担心3 z% l5 @% {7 p: k* P5 z
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B）完全导通时沟道电阻是20毫欧，只分担极其轻微的功耗，也不是问题。& [9 t7 v7 c5 F9 ^
) E: \: e! x- ]+ C- C9 @& [, r但是，MOSFET沟道从截止到20毫欧的转换，是需要时间的，沟道电阻是要经历从几十兆欧、千欧、百欧，欧这个过程。虽然时间不长，也许几十毫秒，一百毫秒，但是如果期间发生所分担的功耗超过了极限允许功耗，器件就可能发生破坏。
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按照欧姆定律，定压纯电阻回路当可变负载的阻值等于电压源内阻时，负载得到最大电功率。在我们电路中，把100R电阻看作电源内阻，那么当MOSFET沟道电阻达到100R的瞬间，它分担的功率达到最大值。我们可以把这个最大值作为最坏情况来考量。具体数值很容易算 根据P=U^2/R ，每个MOSFET此时的功耗是
, A5 \+ K8 y( n5 f【（32*32）/（100+100）】/21 W( j# Z: r8 ^0 n
, W1 g- h4 f( G# T: W$ Y这个MOSFET是双管，所以整个器件此时的功耗就是 （32*32）/200 = 5.12W
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0 n' D P3 d: s" r0 M对于极限允许3W的器件，只要时间足够短或占空比足够小，5.12W的短暂功耗也是可以安全工作的。但是我们对工作条件掌握很有限，数据手册也没有给出安全工作区和击穿曲线数据，所以安全可靠起见，就按直流设计，加倍泄放电阻到200R，这样MOSFET的最大可能功耗就是0 i% p2 x; I3 A+ D
（32*32）/400 = 2.56W
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发表于 2018-12-18 12:36
楼主
发表于 2019-1-18 11:05
