|
0 Z% @- P: Q" [* N% w
耐压、最大允许电流这些参数都有余量,不是需要担心的问题。
! b6 P5 u6 g# C' D但是极限耗散功率有可能是问题。
' a3 i, A" }0 O1 {3 [) ]. C
$ f s* B I) L* I, `4 C电容储能的泄放通道有两个组成部分:A)100R电阻, B)MOSFET沟道电阻9 w5 M+ p$ j @6 @- O: u
5 F( o# S' V% ?/ X: s2 c3 NA)有很高的耐短时突发过载的能力,不用担心) ^ H; g i+ I% y& f7 h4 i9 m
, z6 \& H/ S! m' Q/ W
B)完全导通时沟道电阻是20毫欧,只分担极其轻微的功耗,也不是问题。1 V& L7 |. ^ J/ o; M% V6 H% }
0 S; k. q' O) @. U3 f5 _, ]" {
但是,MOSFET沟道从截止到20毫欧的转换,是需要时间的,沟道电阻是要经历从几十兆欧、千欧、百欧,欧这个过程。虽然时间不长,也许几十毫秒,一百毫秒,但是如果期间发生所分担的功耗超过了极限允许功耗,器件就可能发生破坏。# p3 U1 l1 i8 B" ]
- J% l' [5 e# O& K+ y' R/ }按照欧姆定律,定压纯电阻回路当可变负载的阻值等于电压源内阻时,负载得到最大电功率。在我们电路中,把100R电阻看作电源内阻,那么当MOSFET沟道电阻达到100R的瞬间,它分担的功率达到最大值。我们可以把这个最大值作为最坏情况来考量。具体数值很容易算 根据P=U^2/R ,每个MOSFET此时的功耗是
+ C4 C- C8 i3 X. G- r, \* Z【(32*32)/(100+100)】/2
, ~' }- j9 o0 ]; k7 @( o
1 X: h0 V# a" _这个MOSFET是双管,所以整个器件此时的功耗就是 (32*32)/200 = 5.12W
, E: J: z7 r; {0 M" a0 `* g; O" S. u
对于极限允许3W的器件,只要时间足够短或占空比足够小,5.12W的短暂功耗也是可以安全工作的。但是我们对工作条件掌握很有限,数据手册也没有给出安全工作区和击穿曲线数据,所以安全可靠起见,就按直流设计,加倍泄放电阻到200R,这样MOSFET的最大可能功耗就是- s8 N( l1 C* I4 y& ^: Q3 i/ W
(32*32)/400 = 2.56W3 h6 w3 M1 P; \$ X
' S! {: e2 q8 w d" [7 N: z' R. o5 \' C- F0 I; r
, ~/ T$ ^; t" N4 |/ x4 Y |
|