关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结 附带stc单片机程序

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关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结 附带stc单片机程序
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- v- w3 g, W* K3 b- N9 r) n, D
因为要保存的数据可能是千变万化的，字长可能从8位到32位,其中包括char(8)、short int(16)、 int(32)、float(32),而不同数据类型在不同体系架构上字长各不相同，复杂点的甚至包括结构体Struct,
& L# n  V: s1 G! x+ |: Z8 u' S* S5 S因为结构体包含数据大小未知，完成由用户定义，如果保存数据时要考虑到这么多的变化，那能把人都搞晕，因此设计一个以不变应万变的数据保存机制就很好了，好比是复杂平台中的数据串行化保存。
在单片机里面不可能实现这么高级的技术，但是也可以通过一个小小的技巧实现类似功能，方式就是通过联合体来保存，比如下面所示
( n( ^+ k* N3 g4 S, E  m
. B  K" p( P5 a6 C% L2 l        struct         e2prom_data
8 X" p: R% u) [; r! E; W        {
/ H' n- m0 @. G# c2 A5 }% g        char TEM_compensate;
. o' k  t7 w# ?! D2 O0 U        unsigned int sterilization_temperature[10];//0.1
, \1 w: |5 T5 ^- }" E        unsigned char sterilization_time_min[10];
* }/ o6 U: G4 ]; I  h6 a        unsigned char exhaust_times;
        unsigned char prebalance_time_min;
! Y6 K4 @7 Q/ O3 o  }1 o        };

( N+ D* g- I! @; wunion sector
% M0 C6 M% V! {0 W; G- V{
        struct e2prom_data sterlization_data;
; P$ v2 N, Q# _  l2 U% L6 ?7 `. Y- B- ~        unsigned char storage[ sizeof(struct e2prom_data) ];
% N! H) h5 c: t: B} e2prom;

+ V8 W8 v+ x2 N' j' m6 G# l2 P8 ?
   联合sector代表实际的扇区，大小不能超过扇区大小，而上面的结构体就用来保存真正要用到的变量，然后通过联合体sector里面的unsigned char storage，统一转换成1个字节来保存实际数据，极其方便。
& R- q; K/ N4 P# R; ^- ?  c$ U7 X而要读取数据的时候可以通过下面的  void read_sector(char secn)函数来统一操作，把数据统一读取到内存中，确认保存后再通过void write_sector(char secn)统一保存。
效率很高，用内存来缓存数据，可以减小EEPROM擦写次数，提高寿命。

5 [# ^! C! J4 E" [; J1 E6 `
% m7 [4 o/ b0 f- e4 j1 I+ d void read_sector(char secn)
{
          int i;
        int E2prom_sector_start_addr=(secn-1)*512;
; D8 q0 A2 E' d! Q/ h. H& \, Y: @2 h        for(i=0;i< sizeof(struct        e2prom_data);i++)
) q$ q( P7 P0 \        {
        e2prom.storage=Byte_Read( i+ E2prom_sector_start_addr);
        }
/ i. s: k! W% }3 g* d# _          IAP_Disable();
}
/ y. c3 f1 A: q* A0 v. `. l/ P) J

# o6 @/ F3 ?2 k, L$ Pvoid write_sector(char secn)
; \6 y  [4 Z4 j8 ]; G+ y4 C{
        
- p. D$ a; l5 u  o$ r        int i;
        int E2prom_sector_start_addr=(secn-1)*512;


        Sector_Erase(E2prom_sector_start_addr);
! ~& ]$ j' l2 d        for(i=0;i< sizeof( struct         e2prom_data );i++)
+ j2 Z) v8 `" V  O        {
. G, x& q9 W# g% V. c        Byte_Program(i + E2prom_sector_start_addr, e2prom.storage);
        }
; f( P; a, [5 m& j           IAP_Disable();
: y9 U0 F8 |9 m$ L  z# [+ S. u; m}


唯一不足的地方是实际数据地址是固定的，如果常年累月读写次数多了的话，EEPROM还是有可能出问题的，下一步改进的地方就是通过实际一个虚拟存储空间来延长EEPROM寿命，
实际方案是比如一个扇区是1K字节，那么把1k分成256个单元，每个单元4个字节，扇区首单元保存扇区状态，剩余255个单元作为实际存储单元，而每个存储单元又分成2+2布局，前两字节保存实际数据，后两字节保存虚拟地址，1.写入时写入数据紧跟后面写入虚地址VirtAddVarTab(0<=i<NumbOfVar)
2.每个Page第一个地址写入该页状态(Earse,Reveice,Vild)

相同地址再次写入时不会把上次写的擦掉，而是在模拟EEPROM区尾部未写过的地方再次写入数据、虚地址，
+ v: J4 I$ I4 C7 L3、 读的时候是从尾部开始匹配地址，也就是读取最后一次写的内容。
5 R+ P9 y5 Y0 p& N0 R+ s( T4、模拟EEPROM区分为2页，如果一页满了把这一页内地址不重复的数据复制到另一页后擦除，2页交替使用。

一个代码：

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