关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结 附带stc单片机程序

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关于单片机EEPROM数据保存的若干经验总结 附带stc单片机程序


% g( v' T" u* ^# Z# K8 Q. B因为要保存的数据可能是千变万化的，字长可能从8位到32位,其中包括char(8)、short int(16)、 int(32)、float(32),而不同数据类型在不同体系架构上字长各不相同，复杂点的甚至包括结构体Struct,
因为结构体包含数据大小未知，完成由用户定义，如果保存数据时要考虑到这么多的变化，那能把人都搞晕，因此设计一个以不变应万变的数据保存机制就很好了，好比是复杂平台中的数据串行化保存。
9 f3 G2 Q3 {2 a+ p+ p在单片机里面不可能实现这么高级的技术，但是也可以通过一个小小的技巧实现类似功能，方式就是通过联合体来保存，比如下面所示

        struct         e2prom_data
        {
/ Y5 Y! L* W; a3 t  Q% b/ ^" f        char TEM_compensate;
        unsigned int sterilization_temperature[10];//0.1
        unsigned char sterilization_time_min[10];
2 _3 W' u" y1 i0 C- ^  j        unsigned char exhaust_times;
3 ~! g2 R2 c: Z4 _        unsigned char prebalance_time_min;
1 j( E: t4 u! Q) k# K3 V        };
8 _& B0 {, |6 s6 q& ^/ ^
union sector
5 Y2 p. p# A" @4 j" @) j5 G{
        struct e2prom_data sterlization_data;
9 \0 j" R3 S+ w$ N' ~7 u        unsigned char storage[ sizeof(struct e2prom_data) ];
} e2prom;

8 v; X( L+ J. L, `, t' Q+ [
/ `+ ]. Z& C5 x   联合sector代表实际的扇区，大小不能超过扇区大小，而上面的结构体就用来保存真正要用到的变量，然后通过联合体sector里面的unsigned char storage，统一转换成1个字节来保存实际数据，极其方便。
: b+ l$ @6 b& H' O, ?而要读取数据的时候可以通过下面的  void read_sector(char secn)函数来统一操作，把数据统一读取到内存中，确认保存后再通过void write_sector(char secn)统一保存。
效率很高，用内存来缓存数据，可以减小EEPROM擦写次数，提高寿命。
7 B! \$ c0 d# s3 w2 |0 c2 n6 m. V
/ p4 a% @8 e( |2 N! n3 e
3 C7 [4 y/ i2 j8 W1 |3 i" }: u4 @ void read_sector(char secn)
% k+ w) N! u3 A3 c* ^7 N6 e{
( s. Y: }5 D% d6 J8 C+ A          int i;
        int E2prom_sector_start_addr=(secn-1)*512;
+ x( c' J# H. w1 u        for(i=0;i< sizeof(struct        e2prom_data);i++)
7 X/ L2 v( G) C6 C        {
2 X+ f# V% O+ ]: L        e2prom.storage=Byte_Read( i+ E2prom_sector_start_addr);
        }
. R  J7 _: E3 G3 [0 D! a          IAP_Disable();
$ x2 f- k; a( e& k4 Y5 }& v}

, b% n$ W5 v' g! P
7 J6 ~, O1 j' g$ L! @void write_sector(char secn)
{
2 ~$ |& S: N2 u) w        
        int i;
2 u% ?: G1 X$ L5 T: g9 Y        int E2prom_sector_start_addr=(secn-1)*512;

+ S0 `* o5 s& x  F
        Sector_Erase(E2prom_sector_start_addr);
        for(i=0;i< sizeof( struct         e2prom_data );i++)
  b7 j" N: J! ^3 B2 g        {
* m& P( C; Y, Q5 _% q0 w" r        Byte_Program(i + E2prom_sector_start_addr, e2prom.storage);
        }
8 g1 j4 r9 h$ D8 P& ~8 [" L           IAP_Disable();
1 m0 q6 ]& @1 K/ j. K}
% n# A1 ^2 g7 q- }# y
* F2 y4 W$ u/ L$ k+ p
唯一不足的地方是实际数据地址是固定的，如果常年累月读写次数多了的话，EEPROM还是有可能出问题的，下一步改进的地方就是通过实际一个虚拟存储空间来延长EEPROM寿命，
实际方案是比如一个扇区是1K字节，那么把1k分成256个单元，每个单元4个字节，扇区首单元保存扇区状态，剩余255个单元作为实际存储单元，而每个存储单元又分成2+2布局，前两字节保存实际数据，后两字节保存虚拟地址，1.写入时写入数据紧跟后面写入虚地址VirtAddVarTab(0<=i<NumbOfVar)
2.每个Page第一个地址写入该页状态(Earse,Reveice,Vild)
7 }8 ]" }3 D/ v: _, b
相同地址再次写入时不会把上次写的擦掉，而是在模拟EEPROM区尾部未写过的地方再次写入数据、虚地址，
3、 读的时候是从尾部开始匹配地址，也就是读取最后一次写的内容。
$ B: c; U& Z9 R+ s6 B4、模拟EEPROM区分为2页，如果一页满了把这一页内地址不重复的数据复制到另一页后擦除，2页交替使用。

4 c' `* k) Y$ Y1 e& i一个代码：

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& I" w# p9 k$ P0 [2 Q4 h  K. |
8 Z5 I5 b" z( b4 v$ U# P: w5 d' _

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