变压器各绕组的影响：
5 f9 X% A1 h3 m- J) d$ @7 Q
1.初级绕组影响变压器饱和：ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae<0.3T从公式可以看出Np越大越不容易饱和。 5 L/ N* D0 a4 ~5 E% q( A
2.初级绕组影响次级绕组圈数：NS=(Vo+Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax) 8 N: d% }! N# h. i2 m) j- p
3.次级绕组影响反馈绕组：Nvcc=Vcc/Va Va=(Vo+Vd)/Ns
5 q" g) P8 R, Z3 i6 P" O
4.匝比影响肖特基反向电压：Vd=Vmax/Np*Ns+Vo , t# u; X T( A) r8 g3 P
5.匝比影响MOS耐压:Vds=Vinmax+漏感+Vor Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np / c/ i4 i. a$ R6 `6 y
6.匝比影响效率：匝比越大效率越高。
/ P8 F) t$ `+ H3 R8 P
7.匝比影响占空比：Dmax=Vor/(Vor+Vinmin) Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np
& n" l4 Q' g) ]
绕组排列： 9 ^3 }4 B+ m/ J
1.初级绕组必须在最里层：这样可以缩短每匝导线的长度，减小其分布电容，同时初级绕组还能被其他绕组屏蔽，降低其电磁干扰。
$ U: F3 U- N* Z
2. 初级绕组的起始端应接到MOSFET 漏极：利用初级绕组的其余部分和其他绕组将其屏蔽，较小从初级耦合到其他地方的电磁干扰。 - @ [* x) J: X) n$ J" |
3. 初级绕组设计成2 层以下：这样能把初级分布电容和漏感降到最低，在初级各层间加1 绝缘层，能将分布电容减小到原来的1/4 左右。 & D0 m: U6 \8 a1 g* ~. G- j4 ] \8 z
4. 绕制多路输出的次级绕组：输出功率最大的次级绕组应靠近初级，以减小漏感。如次级匝数少，无法绕满一层，可在匝间留间隙以便充满整个骨架，当然最好是采用多股并绕的方法。
4 L. u+ l. b2 K$ ]
5. 反馈绕组一般在最外层：此时反馈绕组与次级绕组间耦合最强，对输出电压的变化反应灵敏，还能减小反馈绕组与初级绕组的耦合程度以提高稳定性。
: U, ^6 x9 g: [
6. 屏蔽层的设计：在初、次......
: K: ]; V$ ^0 U | 
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发表于 2019-2-20 07:00
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