变压器各绕组的影响: ' b9 n1 M O0 Q( }0 y7 Y
1.初级绕组影响变压器饱和:ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae<0.3T从公式可以看出Np越大越不容易饱和。
) a) N. M+ |+ f9 D: Z1 G
2.初级绕组影响次级绕组圈数:NS=(Vo+Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax) & ~8 J5 T" Y' o
3.次级绕组影响反馈绕组:Nvcc=Vcc/Va Va=(Vo+Vd)/Ns
! N( T" I' B7 T) ?5 Q! j
4.匝比影响肖特基反向电压:Vd=Vmax/Np*Ns+Vo
7 D% C' ?3 V, Q$ g, e
5.匝比影响MOS耐压:Vds=Vinmax+漏感+Vor Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np
6 }% Q3 H$ `: d; ^3 N4 q& G3 z
6.匝比影响效率:匝比越大效率越高。
) O; R3 Z) ~# Z2 ]! v, H5 W
7.匝比影响占空比:Dmax=Vor/(Vor+Vinmin) Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np
5 U/ Z8 p$ K% g Q6 o3 l7 I- T
绕组排列:
1 u6 R2 z7 ^0 E) P) e
1.初级绕组必须在最里层:这样可以缩短每匝导线的长度,减小其分布电容,同时初级绕组还能被其他绕组屏蔽,降低其电磁干扰。
$ n1 x. \8 [# s0 Z$ F: }! W
2. 初级绕组的起始端应接到MOSFET 漏极:利用初级绕组的其余部分和其他绕组将其屏蔽,较小从初级耦合到其他地方的电磁干扰。 * d. [3 Q+ v, Y# x5 ]3 F
3. 初级绕组设计成2 层以下:这样能把初级分布电容和漏感降到最低,在初级各层间加1 绝缘层,能将分布电容减小到原来的1/4 左右。
9 o/ X# H4 s/ i
4. 绕制多路输出的次级绕组:输出功率最大的次级绕组应靠近初级,以减小漏感。如次级匝数少,无法绕满一层,可在匝间留间隙以便充满整个骨架,当然最好是采用多股并绕的方法。 # z5 {8 O- K' e$ o* [4 R
5. 反馈绕组一般在最外层:此时反馈绕组与次级绕组间耦合最强,对输出电压的变化反应灵敏,还能减小反馈绕组与初级绕组的耦合程度以提高稳定性。
" z$ b# k: c: m! T# E
6. 屏蔽层的设计:在初、次......
1 f% M8 @7 G/ \* s# g+ K1 W |