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很多问题需要结合实际情况
p, c2 h& j% |# \. l3 [" o- p% _4 r! H首先我采用的资料是上面贴出来的，设计也是按此考虑的3 I, C: j, A. T
对于74HC00，属于74HC系列，为CMOS类型，输入电阻很大，为容性
( d; W5 A5 [0 } ]7 a可以参考资料 http://zhidao.baidu.com/question/10856120.html a5 E4 e% m0 O& C, m8 V
最大输入漏电流 顾名思义就是正常的漏电流是没有这么大的
# ?6 M: X! A& J ?, t7 g) }" p我贴出的资料中显示Iin为1uA(这里就不考虑0.1uA了)，因此维持静态输入没有问题
P- `; ]5 ]! D( b我考虑采用uA级或mA级的稳压二极管考虑的是损耗7 j3 b& f' r! i7 S9 ?/ @$ Y% o" \
你这里设计应该是做一个上电的判断，信号会长期维持' @: e# e3 m4 Z
因此损耗主要是由静态损耗构成，电流小了功耗自然小
* n% C/ R6 P& p. n5 Z/ f- j& ~6 s L) s& u4 Y+ v
当然，如果考虑更多速度而不是损耗的话还是建议采用mA级的稳压二极管设计
; E! v, b. Y. m至于同是Iin，一个是20mA一个是1uA所指的内容不一样& [7 W% l p0 ]1 Z
前者指极限参数，发生在电平切换的时候0 Y" L$ l$ W8 ]& J1 ^
因为输入为容性，因此相当于给电容充放电，电流大速度自然快
7 O( d* K" L' t9 N, D# m" R/ g1 z, b. f2 A但是电流太大会损坏期间，因此是极限参数
' f& n3 S/ F: @( j1 p* [- X/ p后者是是指静态时的泄漏电流，就像一般电容存在的泄漏电流一样$ N" T b9 W2 O; ~7 Y
是由于介质材料等等原因造成 |
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发表于 2009-4-15 09:49
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