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2N7002K-T1-GE3规格参数介绍% ~- S F/ U& {5 p" S5 U
+ ` A5 n: B1 j+ d% o/ a# Y属性3 B1 I5 c: f0 e( L4 A0 g- e
制造商: Vishay 0 \1 N! H. F+ k$ n. h. ~
产品种类: MOSFET
Q0 b" |+ x$ f3 @- F% u- HRoHS: 详细信息
- Y' V) M* M4 G5 x0 U% |技术: Si
. n# S% J6 K0 }安装风格: SMD/SMT # d2 c" M8 m+ p$ z1 [& J# ]
封装 / 箱体: SOT-23-3
. q1 p) h( X' K( z# N通道数量: 1 Channel . p- O0 p4 N$ w n3 r5 |
晶体管极性: N-Channel 8 A. I1 L; A q; {/ J' I1 S
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
2 [2 _' X7 Q* I+ r9 m4 I9 `5 G9 \Id-连续漏极电流: 300 mA
' f5 [& R! h* i0 E$ r0 ]" w) qRds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
, c) ?5 C* w6 b/ F/ V6 s# DVgs th-栅源极阈值电压: 1 V
; q4 v" j& _) Q) Y$ \! E3 g6 K$ OVgs - 栅极-源极电压: 10 V
7 l+ P8 c3 z& ^$ FQg-栅极电荷: 0.4 nC # ^! ?. o% S5 U- a$ `% Q
最小工作温度: - 55 C ' _3 Y' a0 y# s( I; W
最大工作温度: + 150 C 1 F; g9 P3 s6 M
Pd-功率耗散: 0.35 W
" [4 T* X5 }- b+ e配置: Single
* j/ ?7 ~: q9 s* u4 d; I通道模式: Enhancement " C8 v" b' _8 y, e! K+ K/ C1 M* `& v
封装: Cut Tape : M7 m( m) x( Y+ y7 o8 x3 U
封装: MouseReel : `5 i- a# x( `
封装: Reel
4 _* B8 b+ F0 ~+ f* d1 A高度: 1.45 mm ! g9 i, P+ c, z- K
长度: 2.9 mm
% R7 ]$ ^; x. `; I系列: 2N7002K # k1 `$ c- u6 |4 O% U: K, y: l. D9 @
晶体管类型: 1 N-Channel 1 [, ^# z9 Y# V$ q8 k" v7 B8 d- b
宽度: 1.6 mm ) @8 x A6 s6 p% Y# i
商标: Vishay / Siliconix 0 `0 K/ }# X5 |" f6 S+ r
正向跨导 - 最小值: 100 mS
. C" o* S8 _* p, \6 OCNHTS: 8541210000
8 o- g) d( M" aHTS Code: 8541210095 , C' j, K9 d* U9 o
MXHTS: 85412101 ( X3 F. `' k/ b4 }4 T7 E
产品类型: MOSFET 0 \& S1 I" f/ B
工厂包装数量: 3000 + G% I \ ^2 [4 f
子类别: MOSFETs % b' v! ?/ ~. {4 x$ V: ~$ \) b
TARIC: 8541210000
6 p8 n8 N7 C( u# l5 E( x" D' g3 m) _0 v典型关闭延迟时间: 35 ns
p+ o! S) Y( ? X7 m4 f/ ?5 P典型接通延迟时间: 25 ns
, Z7 f7 {. b* D0 z% w5 `零件号别名: 2N7002K-GE3
9 q X7 k! G5 |6 t2 [' U, I单位重量: 8 mg
4 T# ?+ t" R" E: N: M
8 ~; P5 }3 C2 R0 u |
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发表于 2019-3-8 14:23
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