AO3414相关技术资料

Cinderella0922

AO3414相关技术资料
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/ F. X( c! X- F6 c1 d1 {一般说明
       AO3414采用先进的沟槽技术，可提供出色的Rsro，低栅极电荷和低至1.8V的栅极电压。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO3414不含铅。

/ k3 J. R+ H2 P0 r特征
Vos(V)=20V I0=4.2A(Ves=4.5V)
Ros(on)<50m2(4s=4.5V)
1 E; v7 A. }7 J  x- I. Y; HRosco)<63m2(4s=2.5V)
1 p  C% B; x5 {0 D4 wRos(onN)<87mQ(4s=1.8)
2 P: W' r) ^7 @# T, G4 A
注释：
A. 的值是在安装在1 In2 FR-4板上的设备上测量的，含2oz。铜，在TA-25 * C的空气环境中。任何glven应用程序中的值取决于用户的特定电路板设计。额定电流基于t≤10s的热阻额定值。
B. 重复额定值，脉冲宽度受结温限制。
C. R ua是从结到引导R au的热失效的总和并导致amblent。
D. 使用-300 us脉冲，占空比最大0.5％，可以看出图1至图6中的稳态特性。
E. 这些测试与安装在2FR-4板上的装置2oz相关。铜，在Ta = 25℃的环境中。 SOA曲线提供单脉冲额定值。
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