GaAs 和 GaN 器件测量和建模

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GaAs 和 GaN 器件测量和建模

作为III-V族器件, GaAs 和 GaN广泛用于微波设计, 然而, 由于半导体厂商给出的PDK和实际应用不匹配,或者说真正的LAYOUT设计和原来的器件有点不同,在几十个GHZ下面, 设计都会功亏一篑, 所以, 好的TESTKEY设计, 准确测量和好的模型对设计非常重要.附件介绍了测试所用的设备和各种模型的评估, 希望给大家有个初步的认识. ) `7 O# S$ h; E. c+ r( W2 [5 j 游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复 0 y8 U$ \" l3 Y8 T+ u2 h6 m

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