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一文了解IRF100B201

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发表于 2019-3-26 16:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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一文了解IRF100B201& n4 p" t* d7 s" ^

. u/ f9 A" U: _3 s. w1 D. Y$ g1 e特征
% ^+ z& `1 S8 L5 oFET 类型:N 沟道        9 B: [6 \) j1 ?9 a' H2 F- r9 {
技术:MOSFET(金属氧化物)        % S! T' i' B) t4 t5 t% @1 z
漏源电压(Vdss):100V        ! P9 ~. F& M. d8 y$ j
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):192A(Tc)        $ T+ v. \' M. z1 c4 f7 d
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V        0 D$ Y! s2 ?' W: r, T
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):4.2 毫欧 @ 115A,10V        / \- I6 D: k* ?) p
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA       
6 Y4 o& a7 Z2 O& `2 W) R6 \2 y不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):255nC @ 10V        # j" t8 C; z; _9 \8 z
Vgs(最大值):±20V        3 f( G3 @* `" S% U4 R1 f# H' c7 j
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):9500pF @ 50V       
9 i- W- B/ V. b. `& RFET 功能:-        7 e, L9 {7 B* U- V9 v: t" T
功率耗散(最大值):441W(Tc)       
  c, m2 I, {  H4 ]  Y3 e8 X工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)        $ [, z' a! u2 e  n: s$ W7 ~# ]: q
安装类型:通孔        ! ^% f5 C/ x4 S$ n
供应商器件封装:TO-220AB       
3 |8 Q4 e, v. `$ V" P. o. `封装/外壳:TO-220-3
5 O+ z- w6 W- f7 p; e; S- B
+ g6 c, E* H; f- ^1 _4 ^应用
. ]9 _2 y, M6 l# h$ I: w9 k。有刷电机驱动应用
3 c) `* u) a3 \  V. @6 j# E。 BLDC电机驱动应用; Y4 ]8 d5 v1 j: S/ K' s2 ~
。电池供电电路+ f" Q9 P( B4 S4 @& w3 `
。半桥和全桥拓扑
1 m* x4 s. E! x! u0 y+ `。同步整流器应用" V% y4 l( t1 ~( k9 s) J
。谐振模式电源
8 S  L5 ?! k) h; a。 OR-ing和冗余电源开关* N3 L5 z+ S5 V
。 DC / DC和AC / DC转换器  ~2 b. v6 U7 v3 f8 c( p/ `
。 DC / AC逆变器; G# f& O$ u; \% l; Q0 b. I4 W  z
9 d! ^$ }& B8 I9 w2 y0 L- Q0 ~
优点
$ j; r$ h& h; @$ N# _* ?8 R' M。改进了栅极,雪崩和动态dV / dt坚固性
) R5 R; i% v* j7 u8 j/ O。完全特征化的电容和雪崩SOA6 u. H" x2 g1 ]! ]/ r0 ]
。增强体二极管dV / dt和dI / dt能力
7 a0 a0 v9 M' E1 Z* X5 @% h) l1 I。无铅,符合RoHS标准,无卤素4 S6 `( O9 f, {# w/ a3 r6 q
! X, {9 g( \" v6 {( W
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