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MOSFET开关损耗分析

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A-Lin

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发表于 2019-4-3 10:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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MOSFET开关损耗分析
% u0 J1 c) u! e  Z2 V7 G
( i# e, k# Z: _& z; C! Q% V5 Z5 i
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。; N# y# a1 u# R4 X4 A
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wu68aq

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发表于 2019-4-3 14:42 | 只看该作者
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