AO4840L详细介绍

Cinderella0922

AO4840L详细介绍

, {: e1 n; q( T1 E7 g0 i2 l一般说明
% i) E/ i) v5 }4 F- A2 P0 J       AO4840L采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。该双器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4840不含铅（符合ROHS和Sony 259规格）。 AO4840L是绿色产品订购选项。 AO4840和AO4840L在电气上完全相同。

' h5 P# ^' B3 q9 _+ k2 A8 u1 o特征
VDS（V）= 40V ID = 6A（VGS = 10V）
RDS（ON）<31mS2（VGS = 10V）
4 @+ x) Q# `( V0 v* WRDS（ON）<45mS2（VGS = 4.5V）
4 ]8 o+ x5 D- w1 p5 J
/ v# V' z2 k& c4 b, K详情介绍：
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
" J: h$ O1 q  M" d* o4 A! W湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
, Y. u- ^. B' l) m  f制造商标准提前期：16 周
; }2 j/ z/ ?* q9 k系列：-
: W1 M; {; {  p. r包装：剪切带（CT） ,带卷（TR）
FET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）：40V
2 ~- i* V# }0 Z电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：30毫欧@6A，10V
( k, o( W/ ~4 i$ K" x5 f不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.8nC@10V
7 K' ^' [' x7 r; l不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：650pF@20V
) N% M' P7 N# H功率（最大值）：2W
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
安装类型：表面贴装(SMT)
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOIC
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