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AO4840L详细介绍
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; ?' L4 {* g5 D# Q) J6 y一般说明8 Y. P2 I# ?; }) j( X* X
AO4840L采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该双器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4840不含铅(符合ROHS和Sony 259规格)。 AO4840L是绿色产品订购选项。 AO4840和AO4840L在电气上完全相同。
" E* }! O4 o O) k% ~# X/ w1 y4 I4 a. u; t9 G7 w
特征0 \% d+ Z: B- A$ `: s! E
VDS(V)= 40V ID = 6A(VGS = 10V)6 h; e; p: z* u. b1 e
RDS(ON)<31mS2(VGS = 10V)
% X1 ?" `9 P' O7 f j7 aRDS(ON)<45mS2(VGS = 4.5V)
" C( s2 p& z+ V6 S5 p! f9 y" i; Q/ G1 Y; C6 ]
详情介绍:% o& b+ N7 a6 h9 f1 H" q4 a, r. z
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 r* f R- O+ ?" c' Y湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
! l) r! A& {. R. z: t7 _制造商标准提前期:16 周
% ]1 a% p/ I% O) A/ K8 G0 R$ \系列:-
) J0 G1 d( t$ i2 ]包装:剪切带(CT) ,带卷(TR)
' G/ Q$ r: A" ]: p' P5 Y4 O, P8 b/ EFET类型:2个N沟道(双)1 v) Z0 ?* j5 v" v. O; [9 ~
FET功能:逻辑电平门
9 L! K. U4 D) h; E4 W( {漏源极电压(Vdss):40V# d( j4 R/ g% ]* V9 S" V1 c/ F
电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A+ F/ `$ r4 a: ~, R+ a9 P* Z7 `- {. F
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):30毫欧@6A,10V
8 L8 e; Q3 g8 O+ b6 t不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250μA
- n& d0 i7 L! Q; L不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10.8nC@10V4 X$ u9 E0 V1 T9 w
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):650pF@20V
! F( c3 H/ T8 k: j$ K" r, o/ M. g功率(最大值):2W# \- ]) I7 u# x" w
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
( t4 k" ~8 q% ]0 H* I! J2 Q安装类型:表面贴装(SMT)) {( j$ ~9 {/ }& g C. s% a* }1 a
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)& p! K; |; {3 V/ r7 |
供应商器件封装:8-SOIC# f* L2 Z+ S$ l6 V
6 H: T/ [$ b# [1 E
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