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AO4840L详细介绍

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发表于 2019-4-3 15:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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AO4840L详细介绍* K6 T7 x6 d& }/ F

, {: e1 n; q( T1 E7 g0 i2 l一般说明
% i) E/ i) v5 }4 F- A2 P0 J       AO4840L采用先进的沟槽技术MOSFET,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该双器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4840不含铅(符合ROHS和Sony 259规格)。 AO4840L是绿色产品订购选项。 AO4840和AO4840L在电气上完全相同。* J( A0 ^2 \  q. J

' h5 P# ^' B3 q9 _+ k2 A8 u1 o特征2 Z! ?2 u& V8 x
VDS(V)= 40V ID = 6A(VGS = 10V)& L) A+ g* n9 t# V( N+ z, v9 k3 t% w; Z
RDS(ON)<31mS2(VGS = 10V)
4 @+ x) Q# `( V0 v* WRDS(ON)<45mS2(VGS = 4.5V)
4 ]8 o+ x5 D- w1 p5 J
/ v# V' z2 k& c4 b, K详情介绍:% H( @" D2 l! \$ ]3 Y& I1 L
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
" J: h$ O1 q  M" d* o4 A! W湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
, Y. u- ^. B' l) m  f制造商标准提前期:16 周
; }2 j/ z/ ?* q9 k系列:-
: W1 M; {; {  p. r包装:剪切带(CT) ,带卷(TR) : v$ F/ a6 ?) g# O
FET类型:2个N沟道(双)* w4 _9 ], A% D, P2 ~% B
FET功能:逻辑电平门* k) h7 o2 l7 V: K, t2 ^" w8 y' k+ X0 ?
漏源极电压(Vdss):40V
2 ~- i* V# }0 Z电流-连续漏极(Id)(25°C时):6A4 ~/ A0 K9 e4 H3 h1 L" x
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):30毫欧@6A,10V
( k, o( W/ ~4 i$ K" x5 f不同Id时的Vgs(th)(最大值):3V@250μA7 p: Q% C9 P0 o# ~& c' s
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10.8nC@10V
7 K' ^' [' x7 r; l不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):650pF@20V
) N% M' P7 N# H功率(最大值):2W4 `3 |' O4 ]8 \0 K/ f
工作温度:-55°C~150°C(TJ)" Z0 @- O" y% k  ?# h) ~0 G
安装类型:表面贴装(SMT): d) k. S5 l7 ~6 t( Z
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm宽)' V3 G& `5 J' E+ |# x$ Y8 V: \
供应商器件封装:8-SOIC
% [1 p, X, O. w
7 E1 i2 o3 w' _
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