AO4840L详细介绍

Cinderella0922

AO4840L详细介绍
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; ?' L4 {* g5 D# Q) J6 y一般说明
       AO4840L采用先进的沟槽技术MOSFET，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。该双器件适合用作负载开关或PWM应用。标准产品AO4840不含铅（符合ROHS和Sony 259规格）。 AO4840L是绿色产品订购选项。 AO4840和AO4840L在电气上完全相同。
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特征
VDS（V）= 40V ID = 6A（VGS = 10V）
RDS（ON）<31mS2（VGS = 10V）
% X1 ?" `9 P' O7 f  j7 aRDS（ON）<45mS2（VGS = 4.5V）
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详情介绍：
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1 r* f  R- O+ ?" c' Y湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）
! l) r! A& {. R. z: t7 _制造商标准提前期：16 周
% ]1 a% p/ I% O) A/ K8 G0 R$ \系列：-
) J0 G1 d( t$ i2 ]包装：剪切带（CT） ,带卷（TR）
' G/ Q$ r: A" ]: p' P5 Y4 O, P8 b/ EFET类型：2个N沟道（双）
FET功能：逻辑电平门
9 L! K. U4 D) h; E4 W( {漏源极电压（Vdss）：40V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：6A
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：30毫欧@6A，10V
8 L8 e; Q3 g8 O+ b6 t不同Id时的Vgs（th）（最大值）：3V@250μA
- n& d0 i7 L! Q; L不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10.8nC@10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：650pF@20V
! F( c3 H/ T8 k: j$ K" r, o/ M. g功率（最大值）：2W
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
( t4 k" ~8 q% ]0 H* I! J2 Q安装类型：表面贴装(SMT)
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SOIC