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boost升压电路 EMC问题请教

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1#
发表于 2019-4-13 08:56 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 把盏空留笑 于 2019-4-13 16:36 编辑
& w' O: V4 W( L3 F: K5 k; X
2 e! o6 Z. G- G+ b电源的目的是把9V的电压升到12V,输出电流是15A,开关频率是170KHz,在做EMC CE项电压法时,低频530K~1.8M 平均值超过了39dBuV的限制很多(图片中蓝色的线是峰值,绿线是平均值,波峰平均值和峰值重合),高频76M~108M也超限值30dBuV很多,有没有大神指导下从哪里入手整改效果比较好。' s5 Y8 a& b# H- C- g( J. K! h

8 F/ _8 G6 A0 c1 [升压回路
, a4 u0 F# N( S% e, K* L . s5 R* b* g8 R$ H

$ u# L, Q/ j+ P) {
$ ^$ ^( W6 p8 x  W6 UCE测试结果
, p& A3 m  l8 Q  Z- ]' Q. ^& E! }& L% E

9 F  V% r3 a/ h
  • TA的每日心情
    开心
    2020-4-6 15:44
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    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2020-11-30 16:36 | 只看该作者
    我做的产品遇到这个难题,请问老兄后面是怎么解决的?

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2021-1-25 15:40 | 只看该作者
    没有实践过。; U* ^1 ?0 J, S# r1 x/ {' v3 q& z7 A
    理论分析1,SW节点的RC Snuber电路没有效果,在MOS打开的时候,RC的阻抗被MOS的低阻抗并联,所以并不能衰减震荡。
    ! T' C! k$ Z$ Y: ~$ M理论分析2,二极管并联的电容需要去除,在MOS打开的瞬间,电容上的电荷释放,形成更大的di/dt。本来二极管就需要选反向恢复时间短的,二极管并联电容后形成的高频低阻抗通路,对EMC不利。+ _9 `8 o. b% W6 V* p  J5 K( U
    理论分析3,根据网上的一些建议,是在二极管后串联磁珠,本设计输出电流太大,这个实现起来太难。# |* y; P, a* ^" z* a
    建议:采用同步BOOST电路。
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