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讨论:两种开关电路功耗的比较

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发表于 2019-4-24 11:47 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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方案一:4 f% ?3 h! w" @+ O

7 g% n: E( Z& {
. ?# j3 M! A% L3 |( N, k7 d" [1 L方案二:
4 T; T7 q- n+ L6 s/ ~, e  O( p8 @ # H# }# `6 D9 Q4 f& e5 m
请问这两种开关控制电路,那种的功耗会更低?, w# f1 D6 F5 y+ K5 x% e1 O

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 楼主| 发表于 2019-4-25 22:39 | 只看该作者
huo_xing 发表于 2019-4-25 14:13
1 V7 {  Q+ S# S% g6 h估计你没搞清问题关键。. }& C4 ~5 z% [" a+ C
图二一般用在高压,你把图一的3.3V改成12V看还能不能工作。4 _; P1 t8 u" ~  F
还有,这两个图纸一 ...

; ~- j0 I7 s2 H! y. x- L) I/ z+ ~
我找了下论坛以前的帖子,这个是特邀版主对这个问题的回答* L& L5 Q6 q0 b8 e
P 型 MOS 管當電源開關,如果沒有三極管 OC 門配合,需要注意幾件事:8 P2 G4 w, v  [
, V" p: F7 a3 z* y6 u* K; e* ^3 R% Y* ^$ M7 b5 j9 V1 L* Z' R# T
  • 閘極Gate)控制電平不得低於被控制電源,P 型 MOS  管 Vgs >= Vds 才會關閉。如果你用 1.8V 直接控制 P 型 MOS 管開關 3.3V,通常會有關不掉的問題。
  • 哀西IC)不給電前管腳未必是高阻抗Hi-Z),被控制電源有可能透過控制管腳漏電進哀西IC),輕則功能異常、重則燒毀哀西IC),這個問題發生過很多案例了。
  • 閘極Gate)控制訊號通常來自單片機MCU),重置Reset)未完成前管腳狀態不確定,系統給電的瞬間可能會造成電源短暫開啟,容易造成系統誤動作或功能異常,例如燈號或屏幕背光閃一下,馬達轉動一下……等。
    $ J# S% g! h) ?" b/ G
我的应用是3.3V,问题1应该不存在。电路一问题2和问题3都存在。电路2的晶体管我的理解可以起到隔离保护的作用。! @# W; u3 Y- w8 [- {7 B
针对您说的问题3对两个电路都存在,我的理解:电路二加了晶体管后由于结电容效应,会起到一个缓启的作用,不会有问题3的现象。8 O5 X, |% `" q6 k8 h4 r; E
老帖链接:
% a$ e& b* b' W, b- n2 ~( xhttps://www.eda365.com/forum.php?mod=viewthread&tid=161048&extra=&highlight=MOS%B9%DC&page=1' T/ }5 t6 C( x( ^0 e. u$ J% ~
* b8 t# J* D( c- D

点评

谢谢分享!: 5.0
你的緩啟動(Soft Start)必須大於單片機的重置(Reset)時間才能避開,現在的單片機重置(Reset)時間都很快,大部放份的狀況都不會有問題,但如果你遇到那種重置(Reset)時間需要 100ms、甚至於是 1s 的,嗯…啊  详情 回复 发表于 2019-4-28 09:32
谢谢分享!: 5
有一種被逆襲的感覺!>_<!!!  发表于 2019-4-28 09:11
1.你一开始的问题是电路功耗。所以我说你没搞清楚问题重点。 2.电路2才是常规用法,不是什么保护隔离。这个在高压和低压都可用。但是输入高于15V要在GS加稳压管。 3.缓启动不是由三极管决定的,通常做法在图二的GS  详情 回复 发表于 2019-4-26 09:06

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发表于 2019-4-28 09:32 | 只看该作者
EdisonZheng 发表于 2019-4-25 22:39
7 ~# A9 v. M, o# f) S  ?我找了下论坛以前的帖子,这个是特邀版主对这个问题的回答# o% n6 j2 M7 A) D  S' S& u
P 型 MOS 管當電源開關,如果沒有三極管 OC ...
电路二加了晶体管后由于结电容效应,会起到一个缓启的作用,不会有问题 3 的现象。
你的緩啟動Soft Start)必須大於單片機的重置Reset)時間才能避開,現在的單片機重置Reset)時間都很快,大部放份的狀況都不會有問題,但如果你遇到那種重置Reset)時間需要 100ms、甚至於是 1s 的,嗯…啊…呃…大家辛苦了。" m& i& `$ r! {- |% v7 F, S

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7 W( L7 L% d) \9 u* f
/ a0 ^7 A. o' p; b9 A# g

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发表于 2019-4-26 09:06 | 只看该作者
本帖最后由 huo_xing 于 2019-4-26 09:10 编辑 $ |- k5 c9 }4 |4 c) N( ~4 Y
EdisonZheng 发表于 2019-4-25 22:39* c; G0 t3 K3 k3 h
我找了下论坛以前的帖子,这个是特邀版主对这个问题的回答
. G  `3 @! u6 t3 {+ kP 型 MOS 管當電源開關,如果沒有三極管 OC ...
% G$ I7 a  d; q) D1 ^( h, Q
1.你一开始的问题是电路功耗。所以我说你没搞清楚问题重点。2 L; _7 t% ]" Y6 u; @, u
2.电路2才是常规用法,不是什么保护隔离。这个在高压和低压都可用。但是输入高于15V要在GS加稳压管。
& i' R% O& u/ e5 r+ U! z6 i3.缓启动不是由三极管决定的,通常做法在图二的GS电阻并电容,利用电容充电来完成。在低压应用中这个电容通常是忽略的。9 n: l! F' m/ ?, B- i  M

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参与人数 1威望 +5 收起 理由
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2#
发表于 2019-4-24 13:23 | 只看该作者
我觉得方案二功耗会高些吧,晶体管是电流驱动型且作开关管时需要足够电流才能开关,MOS管是电平驱动性本身输入内阻是很大的,信号电流也会小很多。

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3#
发表于 2019-4-24 14:04 | 只看该作者
我会趋向用第二种

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5#
发表于 2019-4-24 16:36 | 只看该作者
个人认为第二种

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6#
 楼主| 发表于 2019-4-24 16:55 | 只看该作者
各位大哥能否说说理由呢,为什么用第2种?' x% ]# m3 g% [/ H/ z; B
我的理解,第一种电路:导通时开关电路的额外电流3.3V/100K=33uA左右,关断时,基本无电流
" B6 w- m$ H% [8 K                第二种电路:导通时(3.3-0.7)/10K=260uA 关断时基本无电流。不过能否把10K的限流电阻换成100K呢?
3 A! c0 R+ K1 T6 m3 |# i4 ]* K/ T$ Q

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7#
 楼主| 发表于 2019-4-24 22:12 | 只看该作者
电路1的MCU reset未完成前管脚状态不确定,系统给电的瞬间可能会造成电源短暂开启。
' V+ ]( L; ?7 A- l9 O! n6 t优选电路2.但电路2的功耗太大了,不知能否加大限流电阻,比如加大到100K甚至1Mohm?求指点

点评

电路2在reset未完成前,不同样会有管脚状态不确定的情况??、  详情 回复 发表于 2019-4-24 22:31
  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-19 16:55
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2019-4-24 22:31 | 只看该作者
    EdisonZheng 发表于 2019-4-24 22:12
    5 T9 G% y7 L1 ]  C, ?电路1的MCU reset未完成前管脚状态不确定,系统给电的瞬间可能会造成电源短暂开启。6 e0 a/ Y/ ^- W, o, k
    优选电路2.但电路2的 ...

    ' G( v( [1 ]- Z电路2在reset未完成前,不同样会有管脚状态不确定的情况??、

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  • TA的每日心情
    郁闷
    2019-11-19 16:55
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    9#
    发表于 2019-4-24 22:33 | 只看该作者
    就电路原理本身应该不存在需要分析功耗高低的情况,都很小,改改电阻值得问题。但具体到高电平控制还是低电平控制 ,就要考虑是否再加一个三极管了。

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-4-25 14:13 | 只看该作者
    本帖最后由 huo_xing 于 2019-4-25 14:19 编辑 8 O9 q: M  z) u
    0 J0 e/ N) _# M. M8 L* b
    估计你没搞清问题关键。+ a8 a& r+ L- K$ I4 Q# Z# T  m
    图二一般用在高压,你把图一的3.3V改成12V看还能不能工作。' P/ a" J; u$ a
    还有,这两个图纸一般用在电源控制部分,开关的时候很少。, ~  P8 D& w) L/ s8 \8 T( V! C

    点评

    我找了下论坛以前的帖子,这个是特邀版主对这个问题的回答 P 型 MOS 管當電源開關,如果沒有三極管 OC 門配合,需要注意幾件事:8 P2 G4 w, v [ [*]閘極(Gate)控制電平不得低於被控制電源,P 型 MOS 管  详情 回复 发表于 2019-4-25 22:39

    该用户从未签到

    15#
    发表于 2019-4-28 15:38 | 只看该作者
    11#正解。两种电路用于不同的场景。为何图1一般不用于高压。假设电源VCC为12V,若控制端FVI_PWR为高电平(控制端一般为TTL/CMOS电平),那VCC经R27/R28后在控制端产生高电压(具体大小视控制芯片内部上拉电阻而定),超过控制端引脚正常工作范围。。
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