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很多工程师朋友在选择存储IC搭配主控时，对eMMC有了一些新的要求，比如说最近我们接触到一些客户，本来客户计划使用eMMC，但总觉得哪里不满意。后来跟客户做了深入沟通。他们真实想要什么样的eMMC呢？给出的答案有：尺寸最小的eMMC; 最方便焊接的eMMC; 最小容量的eMMC; pin脚最少的eMMC; 功耗最低的eMMC; 擦写寿命最长的eMMC; 使用SLC NAND 晶圆的eMMC; 性能最稳定的eMMC等。
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我们根据客户的要求进行了分析，觉得CS品牌SD NAND更适合这些客户。SD NAND和 eMMC在架构上，类似亲兄弟，都是内置NAND Flash晶圆+NAND Flash控制器+Firmware。) i9 i# `$ Z1 F8 _
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* r6 V0 H. v* d- A2 b' r) q那它们又有哪些不一样呢？在这里把SD NAND和eMMC特性列出来，大家就会明白了。
: T7 p: G2 d% h! N2 B; \! ^关于它们的尺寸大小和封装，给大家看一张这个产品实物图的对比（从左往右)/ c9 Z" X1 u' C% ~) R. t; G+ Y
SLC NAND晶圆，SD NAND(WSON-8, 6*8mm), T卡（11*15mm), eMMC(BGA153, 11.5*13mm)成本方面，由于SD NAND容量更小一些，成本更低。对于一些客户来说，不需要>8GB的存储容量，用eMMC成本会更高。
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8 s2 m) N0 x$ z3 a i; Y) a6 w) g可以看到客户有如下需求时，选择SD NAND比eMMC更合适一些:5 [7 |2 S* I; u6 ]& n. \. S
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; j! o2 f: @1 a$ X8 b1 X1：需要尺寸小。SD NAND是 6*8mm；eMMC是11.5*13mm；
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d, }7 d1 E+ c6 ^3 V3 v) a2：要求小容量。SD NAND是128MB-1GB；eMMC容量≥8GB；
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6 t& R! w) ]% M6 \3：要求擦写寿命长，耐擦写。SD NAND是内置SLC NAND Flash晶圆,擦写次数可以达到10万次； eMMC使用MLC晶圆，擦写寿命3千次左右（非主流），TLC晶圆，擦写
7 W* [- h3 Y; K% G* Z- U7 t: b# v# F$ R寿命500-1000次左右（主流）。3 K7 R: ^$ e' t/ U; Q
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: u' b. h# Y: S/ Z4 B8 B) A8 p4：要求方便焊接，pin脚少的。 SD NAND WSON-8/8pin，可手动焊接； eMMC是153 Ball，BGA封装，高手才能手工焊
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发表于 2019-5-16 18:17
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