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开关电源-如何入门

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2019-5-29 09:52 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    开关电源-如何入门

    $ s, V2 v: i) H$ ]; S. ~# {+ F6 t  Z& k: t& I. P$ l6 @
    在我们的设计电路中,不可缺少的部分就是电源了,以前做电路电源是用工频变压器降压然后整流,后来流行开关电源了,就直接买开关电源模块。
    2 y$ d& Z' e! V# c" Q一直很好奇这开关电源模块,想把它直接画在自己设计的电路中。开始找一些开关电源书籍学习,下载网上各种资料、变压器设计软件等等。于是就慢慢了解了开关电源布板的注意点,对它的PCB设计有了一些了解。然后就抄别人的电路,变压器也让别人去抄,发现抄出来的电源能用,但是心里一直不放心,不知其原理。+ t- Y" `. Z% o- @: y) N+ d

    8 V- i) ]# f; P0 x! I接着就是长时间的茫然,看各种经典书籍,但是就是觉得没入得了门,是懂非懂!后来做了一款简单的5V反激式开关电源,于是便想从此入手,针对反激式开关电源重点学习,仍然是茫茫然。很多书中有许多公式,但抓不住重点,就是一头雾水!变压器有各极匝数、匝比、各极电感量等参数,究竟先确定哪个,是如何确定的?后来终于偶然情况下,抓住了反激式开关电源的两个重要公式,才对它有了初步的了解。
    * K; k/ s' C( W% c# {4 }2 d3 S " [9 R4 b& n; I( U0 ~' u
    7 ~, D) U, T+ q9 L- x: |% A

    1 ]( ~6 T8 [5 P% B# }. p6 k0 m' A- y
      `5 a6 ~. O% v8 _
    : i  k# ?$ G7 Y. J* A! j
    , Q3 d2 w2 p0 `, ^, B

    7 v2 t; I7 [8 B; \& {" F& A1、确定初级电感量Lp(有是资料是确定Ls,所以导致我混乱不清,其实原理一样)) M2 p* w0 r1 k
    . X( `9 Y$ e9 b9 ~" z3 q/ K
    反激式开关电源工作原理就是,MOSFET开时将能量储存在变压器初级电感中,MOSFET关时能量在释放到次级电路。那么每个周期的储存的能量就等于
    & H$ r2 ~' s3 M" w, `+ c( VMOSFET开时储存能量,公式:1/2 *ΔI*ΔI*Lp . \! [$ j! L/ Z
    4 i7 u1 ?' \+ o! [
    在这里我也郁闷了半天,关于反激式变压器的DCM模式和CCM模式,究竟选哪个,该怎么用!一头雾水!建议从DCM模式开始比较简单,DCM就是每个周期变4 d5 P4 f& q7 a
    压器的能量都释放掉,就是电流不连续。DCM模式下:所以上面的公式ΔI就是初级最大电流Ip,Lp是初级电感量。公式为1/2 *Ip*Ip*Lp
      Z: [9 B; Z2 |! h( z$ }3 X/ d6 a
    如果知道开关电源的输入功率,那么开关一个周期的能量我们也知道了,公式:Pin*T。Pin是输入功率,T是开关一个周期的时间。那么变压器每个
    # D3 e5 n) t* ?1 A周期存储的能量,那么以上两个公式应该是相等的。所以Ip*Ip*Lp = 2*Pin*T。(公式1)- G* H' C, d& n4 _+ F. E' o

    9 I+ M, e! [0 d8 ]还有一个公式我们很早就知道的电感的电压和电流之间的公式:U=L*di/dt,关于这个公式要搞清楚因果关系,不是因电流的变化量才有电感电压,而( X5 F/ }3 Z" t0 ~2 h8 k, G8 l1 O
    是在电感两端加了一定的电压U,电感中的电流才会随时间的增加而增加(这个理解很重要)。如果这么理解的话,就很好搞懂MOSFET开时,变压器初级电$ \; M8 m0 c4 K& Z
    感的状态。8 T9 K* z* i# k" p, q
    * Z( Z0 N" ~$ j5 n! z
    在MOSFET开,加在初级电感两端电压为Uin,如果MOSFET开的时间为Ton,则上面公式就等于Uin=Lp*Ip/Ton 也就是Lp*Ip=Uin*Ton(公式2)3 \! \2 v$ y# m% L+ `) ^
    公式1比公式2得 Ip=2*Pin*T/(Uin*Ton)
    # m: X2 a) _4 T" h0 ?2 @8 {4 |( c: k3 k2 H2 f
      则Lp=(Uin*Ton)*(Uin*Ton)/(2*Pin*T)+ b1 {7 l: g( N! e; N# G. G
    ' G4 T+ E4 ?( B: K5 z" }6 J+ O
    上面两个公式中,我们需要保证在最低电压时,最大占空比情况下能够工作,则Uin为最小输入直流电压、Ton为最大占空比时开通时间。这两个值待
    " n: p8 v- _  e以后水平提供,再进行公式计算,在85Vac~265Vac宽电压输入范围,经验值最小输入直流电压Vin=85V,占空比0.45到0.5,这样Lp就确定了!* x) ^3 p0 {/ U

    % H  v  H& G, n, _: j* ]公式1和公式2是基础,要理解其本质!了解这本质就会明白一下参数的作用,比如实际生产时,Lp偏小会什么情况,根据公式1,输出功率不变的情况8 E; ~+ U9 g: M2 v
    下,则Ip偏大,则要考虑MOSFET的电流余量够不够?次级Is电流则增加更多(Is=N*Ip),整流管电流余量够不够?温升行不行?当然它也给我一个设计大功4 I0 I9 O9 `; [! [
    率的提示,电感量要变小,由于刚才的那些问题存在,电感量不能无限变小,所以就有了CCM模式- ]& r3 E  r. u1 H( c

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