|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
本帖最后由 kevin890505 于 2019-5-29 19:07 编辑
1 ]5 ^, k; U* c; k" |% b# P
9 ~( S! a- Y4 m. a. F7 B2 d7 D9 V/ r 最近自己学习下SIGRITY仿真,瞎摸索真痛苦,虽然已经是流程化的操作,但很多问题要分析定位恼火。: m. `7 i/ w( R5 v& K
然后最近我尝试提取我们自己一个PCI-E3.0板卡的PCIE查分信号S参数,发现不管怎么设置,损耗和反射超过1G后都是逆天的不理想,仔细想了下提取的原理,画个PCB对比下,猜想是提取时候端接点位于走线的末端,而金手指则悬空相当于两个stub导致的,模拟猜想的仿真图,和结果如下:$ l, W4 [- w% ]& e, Q" R) V
3 Y4 W1 q/ n% v7 V2 e
然后我查了好久都没找到办法,这种应该怎么处理,才能提取到我想要的结果,不管是忽略PAD的影响,还是说把测试点放在PAD的末端,貌似3DFEM有但我电脑运行就会崩溃,不知道怎么回事,所以问下在普通的S参数提取mode下,能否有解决办法,还是我的猜想不对。* r+ y" q% }2 X' X' T4 f7 M$ Z
多谢。0 f6 V7 D9 j8 x
|
|