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 电感种类和特性分析及选型指南 2

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发表于 2019-5-31 13:54 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电感种类和特性分析及选型指南 2

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# d- g( i$ c/ f( q, p1 `( o' i7 y0 v$ `
图9、绕线式铁氧体与冲压式铁粉芯在相同电感标称值下的饱和电流曲线
0 Y* o5 ~5 g, g' L) Q, H
5. 额定电流(IDC)IDC值为当电感温升为Tr˚C时的直流偏置。规格书同时标注其在20˚C的直流电阻值RDC。依铜导线的温度系数约为3,930 ppm,在Tr温升时,其电阻值为RDC_Tr = RDC(1+0.00393Tr),其功耗为PCU = I2DCxRDC。此铜损功耗在电感器表面散逸,可计算出电感的热阻ΘTH:
- y8 t! D' J( m- ^# T4 m( D* I! I, N# V+ K) y( U7 P2 }: b1 e
(4)

* h0 y. J1 j9 P( ~7 j5 A8 n' {' w* c* w+ G/ N7 I: J1 q3 x' W
表2为参考TDK VLS6045EX系列(6.0x6.0x4.5mm)的data sheet,并计算出在温升40˚C时之热阻。显然相同系列及尺寸的电感,因表面散热面积一样,其计算所得之热阻也相差无几;换句话说,可以估算不同电感的额定电流IDC。不同系列(封装)的电感,其热阻也不同。表3即比较了TDK VLS6045EX系列(semi-shielded)及SPM6530系列(molded)之电感的热阻。热阻愈大,表示此电感流过负载电流时所产生的温升较高;反之则较低。
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5 S9 h* w6 J- n7 s( a
VLS6045EX (6.0x6.0x4.5 mm)) ]& {( d% N' h
L(μH)
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ΘTH(˚C/W)8 B8 G9 u5 o8 Q# p+ S) U
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表2、VLS6045EX系列电感在温升40˚C时之热阻
5 \7 m5 J: f: G% D+ w# v- g' z+ Z( X) }/ b* P! j( ]' k
从表3可知,即使电感的尺寸相近,由于冲压式电感的热阻低,即散热较好。

- ~* \% ?2 n6 _3 V( L, ~
: `8 D, G; R( i9 [
9 ?0 L8 w8 M9 z" _1 G& p) Q9 z, b6 A
VLS6045EX8 V# J' Y5 i2 I0 o4 e7 X
(6.0x6.0x4.5mm)
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" u+ G$ ^% e% K2 S$ N% P. [6 |表3、不同封装电感的热阻比较
* C9 V8 m  @0 I2 U' N/ W1 K8 q2 i) S6 j
6. 铁芯损失(core loss)

% g. C; ]. S$ S4 p: h4 C+ |5 x! Y% O+ o) `& _9 B& G  {- H( m: J
铁芯损失,简称铁损,主要由涡流损与磁滞损造成。涡流损大小主要是看铁芯材料是否容易「导电」;若导电率高,即电阻率低,涡流损就高,如铁氧体的电阻率高,其涡流损就相对的低。涡流损也与频率有关,频率愈高,涡流损愈大,因此铁芯材料会决定铁芯适当的工作频率。一般而言,铁粉芯的工作频率可到1MHz,而铁氧体的工作频率则可到10MHz。若工作频率超过此频率,则涡流损会快速增加,铁芯温度也会提高。然而,随着铁芯材料日新月异,更高工作频率的铁芯应是指日可待。

' k3 ~) A# c  S- u8 K) z$ a, \+ W
9 N' g, {, A4 w1 e0 Y0 F% U
另一个铁损是磁滞损,其与磁滞曲线所围之面积成正比,即与电流交流成份的摆动(swing)幅度有关;交流摆幅愈大,磁滞损也愈大。
6 q8 }' ~- Q$ z$ ~
, G1 y. {" q2 d  Z' D$ X$ \
在电感器之等效电路中,常用一个并联于电感的电阻来表示铁损。当频率等于SRF时,电感抗和电容抗抵消,等效电抗为零,此时电感器之阻抗即等效于此铁损电阻串联绕线电阻,且铁损电阻已远大于绕线电阻,所以在SRF时的阻抗就约等于铁损电阻。以一低压电感为例,其铁损电阻约在20kΩ左右,若以电感两端的有效值电压5V来估算,其铁损约为1.25mW,这也说明了铁损电阻愈大愈好。
- s; Z) x+ i6 S6 P/ |8 z6 g

' ?6 c+ V/ r* T% _1 c8 M$ F1 m
7. 封装结构(shield structure)

0 Q5 \$ x1 A) l6 r* X" l4 ^- w& j# |. ]& d& ^" k! e/ |
铁氧体电感的封装结构有非遮蔽式、加磁胶之半遮蔽式、与遮蔽式,而不论哪一种都存在相当的空气隙。显然此空气隙会有漏磁发生,且最坏的情况是会干扰周遭之小信号电路,或者,如果附近有导磁材料,其电感值也因此被改变。另一种封装结构为冲压式铁粉电感,由于电感内部没有间隙,且绕组结构扎实,因此磁场散逸问题较小。图10是利用RTO 1004示波器之FFT功能量测冲压式电感上方及侧边3mm处之漏磁场大小。表4列出不同封装结构电感的漏磁场大小比较,可看出非遮蔽式(non-shielded)电感之漏磁最严重;冲压式(molded)电感的漏磁最小,显示其磁遮蔽效果最好。这两种结构的电感之漏磁场大小相差约14dB,也就是将近5倍。
7 s) y  l# X+ w2 D5 t
0 q+ B/ S5 F; ?+ u/ V
& W# S$ w# F" h* W" ?: N# C
图10、冲压式电感上方及侧边3mm处之所量测之漏磁场大小: p- F- I/ e6 E7 l! l8 m
$ h' G  R7 B$ i8 W* M; z, r2 @
Structure Location3 A. y6 n" U& w8 Z; l
Non-shielded
. V6 }: w/ `4 l7 B" L- n2 p
Semi-shielded, @& R$ K2 x8 \1 V& m& ]2 e
Shielded
. l. K8 C$ ~2 I! n% H& ]' D
Molded$ R  y. u5 m8 i* }
Amplitude (dBμV)7 ]0 D3 {& H: R) v" K1 ~
3mm Above
! P0 O7 y0 F6 i+ E6 y, [, x  e1 y
87.11 ?# ^/ U3 U# v9 W
83.2
( r* j% w, `1 j& `: ~5 j: s
76.04 s% V8 k/ \! _2 z
73.3
4 \/ H% o/ r8 p( S# ]' A
Amplitude (dBμV)
- n0 q2 K+ y, Y9 A$ A& @
3mm Aside5 B' I* g- B& \' L2 v8 g
71.3
$ A; W/ p0 g  E8 v. r3 V, @/ n
66.8
6 P. R4 V1 {% K) z$ M) G' _% s
59.8
: n/ A2 K: y& R
57.8
3 ^0 ^, H9 N- u, X( m: A; S

! ~: F$ L4 i' j7 X表4、不同封装结构电感之漏磁场大小比较
) f4 N& f) Q/ x! _6 e7 x. F
6 M9 H, y8 Y4 P* V" R0 e+ h
8. 耦合(coupling)
3 u* H8 ?9 r% A% L2 F+ ^' [' Q

* O+ d' K6 j. G( a% |$ \6 F& A
在一些应用当中,有时PCB上会有多组直流转换器,通常会相邻排列,且其对应之电感器也会相邻排列的情况,如果使用非遮蔽式或加磁胶之半遮蔽式的电感器,可能会相互耦合,形成EMI干扰。因此,在放置电感时,建议先标注电感的极性,将电感最内层之起绕点接到转换器之切换电压,如降压转换器的VSW,即动点,而将电感之外层出线端接到输出电容,即静点;铜线绕阻也因此如同形成一定程度的电场遮蔽。在多路转换器的布线安排中,固定电感的极性,有助于固定互感的大小,避免一些意想不到的EMI问题。
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