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电感种类和特性分析及选型指南 2
: s# i6 U# Z3 T3 R" p; M+ z+ p4 {2 f8 a$ T* {9 ^
# d- g( i$ c/ f( q , p1 `( o' i7 y0 v$ `
图9、绕线式铁氧体与冲压式铁粉芯在相同电感标称值下的饱和电流曲线
0 Y* o5 ~5 g, g' L) Q, H5. 额定电流(IDC)IDC值为当电感温升为Tr˚C时的直流偏置。规格书同时标注其在20˚C的直流电阻值RDC。依铜导线的温度系数约为3,930 ppm,在Tr温升时,其电阻值为RDC_Tr = RDC(1+0.00393Tr),其功耗为PCU = I2DCxRDC。此铜损功耗在电感器表面散逸,可计算出电感的热阻ΘTH:
- y8 t! D' J( m- ^# T4 m( D* I! I, N# V+ K) y( U7 P2 }: b1 e
(4)
* h0 y. J1 j9 P( ~7 j5 A8 n' {' w* c* w+ G/ N7 I: J1 q3 x' W
表2为参考TDK VLS6045EX系列(6.0x6.0x4.5mm)的data sheet,并计算出在温升40˚C时之热阻。显然相同系列及尺寸的电感,因表面散热面积一样,其计算所得之热阻也相差无几;换句话说,可以估算不同电感的额定电流IDC。不同系列(封装)的电感,其热阻也不同。表3即比较了TDK VLS6045EX系列(semi-shielded)及SPM6530系列(molded)之电感的热阻。热阻愈大,表示此电感流过负载电流时所产生的温升较高;反之则较低。- L0 w, I: }+ w$ ?% M
5 S9 h* w6 J- n7 s( aVLS6045EX (6.0x6.0x4.5 mm)) ]& {( d% N' h
| L(μH)
: L& ?5 [7 h' C9 U | RDC(mΩ)& N9 r3 L6 D5 s: E" J7 K
| RDC_Tr(mΩ)
# {& p0 o" \# x7 S1 A1 u$ Z | IDC(A)
1 M4 `# x1 ]& p* O/ p+ H | PCU(W)8 n3 P' G. c2 @" s/ n
| ΘTH(˚C/W)8 B8 G9 u5 o8 Q# p+ S) U
| 1.5
5 ~6 g1 @) g6 B+ Y- x | 178 Y& M5 x9 \ s1 r2 ?5 T0 }. o
| 19.67
/ F1 M& A. Q% l/ I5 N, D) p | 5.38 f/ z6 T) D0 d: T0 {
| 0.55
( k1 B, _8 p; l& z# Z$ J( \ | 726 b% r9 y6 O. c4 z% S9 V1 s- d- H
| 2.24 q, L1 q$ g0 D% t( a9 t
| 19
. Q \: Y% }' d2 U1 }5 C7 u9 ?2 X5 B. _/ M | 21.99; b/ s* b$ [1 _' D' q
| 5.1) G! C2 _9 P3 u7 y: o2 e
| 0.57. R1 [& K, J' s+ ?6 ~
| 70
$ E" T! U3 `8 b3 M1 {7 X7 G | 3.3/ @% d2 [3 i9 A l5 s# [
| 238 I2 C5 U& o o8 c
| 26.62( F. I$ B& L/ ^9 q) w9 C% u* m2 ]
| 4.95
7 j7 P5 Z' Z! Y2 b | 0.65
1 q& h4 L+ D, ]7 U2 a( ] | 61* A; P1 @( r0 k, b D# a9 B. K( x
| 4.7
" R! c, s+ K2 x @4 L& u) r | 27) l ]3 W1 f& g
| 31.24
' R. n4 ]# }+ S" ?; t7 i/ ~# R | 4.2/ J8 Y9 J% ]( n j: q
| 0.55
+ c9 Z5 Z4 q$ O5 |, W% P | 73
. R; o) q/ t. ?6 K: W; U/ E1 M | 6.8, g( y, v3 P# V* Y
| 36
& y2 b5 d. k: W1 w# w1 a2 L | 41.66
+ e; s$ f* }. _ | 3.6
" Q5 b6 W! E5 X+ t7 }: f | 0.54
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' |- ~ \2 [1 n, Y4 C9 V" a | 10
3 E5 a/ v) Z( A' J& y7 w+ b | 47' c/ { k& X: k# u/ n( C" O3 B
| 54.39
2 X1 z! `1 K9 D$ |' U- x* N# Q) z5 @ | 3.4
7 c7 J4 R' x/ v. @$ }) p. l* F | 0.63
7 e/ E& L( `( V9 w5 u | 642 x8 T% g% O" b
| & t8 z- Q3 b, l# j
表2、VLS6045EX系列电感在温升40˚C时之热阻
5 \7 m5 J: f: G% D+ w# v- g' z+ Z( X) }/ b* P! j( ]' k
从表3可知,即使电感的尺寸相近,由于冲压式电感的热阻低,即散热较好。
- ~* \% ?2 n6 _3 V( L, ~
: `8 D, G; R( i9 [9 ?0 L8 w8 M9 z" _1 G& p) Q9 z, b6 A
| VLS6045EX8 V# J' Y5 i2 I0 o4 e7 X
(6.0x6.0x4.5mm)
; |4 F( x R) [% g % @8 g4 P h" X/ U, w( @$ M, s
| SPM6530* g& y U- [0 @! A1 i# Q
(7.1x6.5x3.0mm)3 b/ m+ v8 l5 C$ ]- y
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0 r1 {/ s% p( X | L(μH)% u4 @* y8 Q1 w) o5 S
| ΘTH(˚C/W)0 O8 C- T- q4 h' J3 M8 W& d9 S
| 1.5
" _: ` @/ K0 T. W; j8 R2 Z | 72
^3 M$ i- ~5 j- f7 H1 w | 294 W& C% i1 o( O: [2 _
| 2.22 J" C* {$ q H% d2 ]
| 70
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* K9 q. B/ n( Q0 P: g* x5 x | 3.32 K) s( U% U9 t, q
| 61
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- `2 |0 v9 H+ F0 \) ^5 s& V | 74
& Y8 ^# W( V" b: r | 454 Y0 \0 S B/ s) j
| 10, @" j5 O F3 ]
| 64
+ b9 l- E/ X1 I" L7 C, Q, s# h | 40$ u/ y0 Q3 @2 s. u5 M j
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" u+ G$ ^% e% K2 S$ N% P. [6 |表3、不同封装电感的热阻比较
* C9 V8 m @0 I2 U' N/ W1 K8 q2 i) S6 j
6. 铁芯损失(core loss)
% g. C; ]. S$ S4 p: h4 C+ |5 x! Y% O+ o) `& _9 B& G {- H( m: J
铁芯损失,简称铁损,主要由涡流损与磁滞损造成。涡流损大小主要是看铁芯材料是否容易「导电」;若导电率高,即电阻率低,涡流损就高,如铁氧体的电阻率高,其涡流损就相对的低。涡流损也与频率有关,频率愈高,涡流损愈大,因此铁芯材料会决定铁芯适当的工作频率。一般而言,铁粉芯的工作频率可到1MHz,而铁氧体的工作频率则可到10MHz。若工作频率超过此频率,则涡流损会快速增加,铁芯温度也会提高。然而,随着铁芯材料日新月异,更高工作频率的铁芯应是指日可待。
' k3 ~) A# c S- u8 K) z$ a, \+ W
9 N' g, {, A4 w1 e0 Y0 F% U另一个铁损是磁滞损,其与磁滞曲线所围之面积成正比,即与电流交流成份的摆动(swing)幅度有关;交流摆幅愈大,磁滞损也愈大。6 q8 }' ~- Q$ z$ ~
, G1 y. {" q2 d Z' D$ X$ \
在电感器之等效电路中,常用一个并联于电感的电阻来表示铁损。当频率等于SRF时,电感抗和电容抗抵消,等效电抗为零,此时电感器之阻抗即等效于此铁损电阻串联绕线电阻,且铁损电阻已远大于绕线电阻,所以在SRF时的阻抗就约等于铁损电阻。以一低压电感为例,其铁损电阻约在20kΩ左右,若以电感两端的有效值电压5V来估算,其铁损约为1.25mW,这也说明了铁损电阻愈大愈好。- s; Z) x+ i6 S6 P/ |8 z6 g
' ?6 c+ V/ r* T% _1 c8 M$ F1 m7. 封装结构(shield structure)
0 Q5 \$ x1 A) l6 r* X" l4 ^- w& j# |. ]& d& ^" k! e/ |
铁氧体电感的封装结构有非遮蔽式、加磁胶之半遮蔽式、与遮蔽式,而不论哪一种都存在相当的空气隙。显然此空气隙会有漏磁发生,且最坏的情况是会干扰周遭之小信号电路,或者,如果附近有导磁材料,其电感值也因此被改变。另一种封装结构为冲压式铁粉电感,由于电感内部没有间隙,且绕组结构扎实,因此磁场散逸问题较小。图10是利用RTO 1004示波器之FFT功能量测冲压式电感上方及侧边3mm处之漏磁场大小。表4列出不同封装结构电感的漏磁场大小比较,可看出非遮蔽式(non-shielded)电感之漏磁最严重;冲压式(molded)电感的漏磁最小,显示其磁遮蔽效果最好。这两种结构的电感之漏磁场大小相差约14dB,也就是将近5倍。7 s) y l# X+ w2 D5 t
0 q+ B/ S5 F; ?+ u/ V
& W# S$ w# F" h* W" ?: N# C
图10、冲压式电感上方及侧边3mm处之所量测之漏磁场大小: p- F- I/ e6 E7 l! l8 m
$ h' G R7 B$ i8 W* M; z, r2 @
Structure Location3 A. y6 n" U& w8 Z; l
| Non-shielded
. V6 }: w/ `4 l7 B" L- n2 p | Semi-shielded, @& R$ K2 x8 \1 V& m& ]2 e
| Shielded
. l. K8 C$ ~2 I! n% H& ]' D | Molded$ R y. u5 m8 i* }
| Amplitude (dBμV)7 ]0 D3 {& H: R) v" K1 ~
| 3mm Above
! P0 O7 y0 F6 i+ E6 y, [, x e1 y | 87.11 ?# ^/ U3 U# v9 W
| 83.2
( r* j% w, `1 j& `: ~5 j: s | 76.04 s% V8 k/ \! _2 z
| 73.3
4 \/ H% o/ r8 p( S# ]' A | Amplitude (dBμV)
- n0 q2 K+ y, Y9 A$ A& @ | 3mm Aside5 B' I* g- B& \' L2 v8 g
| 71.3
$ A; W/ p0 g E8 v. r3 V, @/ n | 66.8
6 P. R4 V1 {% K) z$ M) G' _% s | 59.8
: n/ A2 K: y& R | 57.8
3 ^0 ^, H9 N- u, X( m: A; S |
! ~: F$ L4 i' j7 X表4、不同封装结构电感之漏磁场大小比较
) f4 N& f) Q/ x! _6 e7 x. F
6 M9 H, y8 Y4 P* V" R0 e+ h8. 耦合(coupling)3 u* H8 ?9 r% A% L2 F+ ^' [' Q
* O+ d' K6 j. G( a% |$ \6 F& A在一些应用当中,有时PCB上会有多组直流转换器,通常会相邻排列,且其对应之电感器也会相邻排列的情况,如果使用非遮蔽式或加磁胶之半遮蔽式的电感器,可能会相互耦合,形成EMI干扰。因此,在放置电感时,建议先标注电感的极性,将电感最内层之起绕点接到转换器之切换电压,如降压转换器的VSW,即动点,而将电感之外层出线端接到输出电容,即静点;铜线绕阻也因此如同形成一定程度的电场遮蔽。在多路转换器的布线安排中,固定电感的极性,有助于固定互感的大小,避免一些意想不到的EMI问题。8 a# Y4 |3 e4 e7 O( a1 J
! p, Z6 g, u4 q# n1 U
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