TA的每日心情 | 开心
2019-11-20 15:00 |
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MOS管应用概述——基本参数
1 i4 B) g7 c2 H1 V7 K, ?: m0 l: \) Z2 R
mos管的基本参数，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。, Z% L% }/ T; K/ t# f* t. X
![]() / {/ U( o: J1 }% Q' t& X
( e) ]9 T2 C; d8 H+ `4 j
上图四项指标，第一项是导通延时时间，第二项是上升时间，第三项是关闭延时时间，第四项是下降时间。定义如下图：7 |$ d, N0 l6 }& K, g0 i
![]() % _6 D& p8 N; u% v- H
* i" ]0 j/ E& X) h0 z9 K; H. u
在高速H桥应用中，MOS管内部的反向并联寄生二极管的响应速度指标Trr，也就是二极管的反向恢复时间这个指标很重要，否则容易炸机，下图为高速二极管。! c+ ~) ~# s5 ~% Z
![]() + {) r; \ L+ D; z" x
: D+ P& K( K& T高速下，二极管也不是理想的，二极管导通后，PN节中充满了电子和空穴，当瞬间反向加电的时候，需要时间恢复截止，这个类似一扇门打开了，需要时间关上，但在高速下，这个关上的时间太长，就会导致H桥上下管子导通而烧坏。所以在高速应用中，直接因为MOS管工艺寄生的二极管的反向恢复时间太长，所以需要用特殊的工艺制作实现高速的内置二极管，但哪怕特殊工艺制作的，其性能也达不到独立的高速二极管性能，只是比原MOS管寄生的指标强一些而已，但已经满足大部分软开关的需求了，500KHz下没问题。比如Infineon的C6系列，后缀带CFD的管子，内部的二极管就是高速的。# q0 o& r7 K% t' t5 I8 X$ Y
若有些场合需要更高速的二极管，而内置的二极管性能达不到，则需要特殊的处理方式，MOS管先串联二极管，再外部并二极管，这样子实现，可以应用于频率超过500KHz的场合。2 J' s% M8 j$ F
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发表于 2019-6-3 10:40
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