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Boost电路参数的一些问题

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1#
发表于 2019-6-8 20:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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" L- r; d/ V* [: L" ?  K最近在理解电感的参数/特性,以boost电路来说,mos管开启的时候,Vin对电感充电。1 X5 X8 y: t0 T+ q- j
看了一篇boost电路的介绍,看到mos管电流如下图,觉得奇怪,像是电感充电阶段的电流全部流入GND,这样的话,boost的效率不是很低?
: \* O1 W3 ?+ {, K9 y. a
# G$ \3 H" s3 S
1 R& S# {. Q# u但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet,TPS61256,效率高达93%
5 @3 H5 s  I- x- e" r$ A" h4 M" O8 c  y
所以想问一下  o! @/ V( X0 z' _, R$ l( X1 e+ ?
1.一般来说,boost电路电感充电的时候,电流是不是基本不经过MOS到GND?不经过MOS管到GND好像没有完整的回路,这个应该怎么去理解这个电路行为?
9 v4 \& e1 J1 j3 R; W. M7 a+ T  v2.如果确实如上图所示,有较大一部分电流流经MOS到GND,这个有计算公式或者资料推荐么?那效率是怎么做上去的?
" A3 V) m- H8 t; f8 H
- j' v9 N$ Z2 ]5 L

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4#
发表于 2019-6-10 10:17 | 只看该作者
本帖最后由 curry_wang 于 2019-6-10 10:26 编辑 ; T1 A& Y' C# W5 ?: o0 k$ @5 w) D
# Q) }0 Y6 c  F- ^( t& a
感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。& Y3 B& F7 t: ^5 e) V
2. 损耗的能力主要是电感的DCR,MOS的导通 开关损耗。, U5 q: H$ ]6 H" s/ w
3. 效率一般实测,输出功率比上输入功率。    所以减小损耗,低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。
! L) `' }& Q6 @1 Q# x

点评

哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~! 没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来! 多谢  详情 回复 发表于 2019-6-10 21:59

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6#
 楼主| 发表于 2019-6-10 21:59 | 只看该作者
curry_wang 发表于 2019-6-10 10:176 }/ U$ o/ `# l3 V2 H
感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。8 L) I( k% N1 c! n5 C& B$ b" }- O2 R
...

  P6 M1 T2 b+ ~+ ~哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~!
9 M' S+ ~; e& v6 s/ P, X( ]! T没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来!' ^; Y- `% I* c1 T
多谢* {0 f. P1 b7 A; Z" Y! i) y4 i1 Z

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7#
 楼主| 发表于 2019-6-10 22:09 | 只看该作者
9 H0 d2 G- n" G9 L" k. h

. e1 O$ g* y+ ~1 {看一下电感两端的波形,理想值:VL =VS,电感上的功率P=IxVs,相当于全部功做在电感上" `4 a. b; s& o5 V1 Z! R% |9 R
但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧,不知道有没有大神有相关的资料可以看看7 P& x* f6 z  J1 L8 T

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8#
发表于 2019-6-10 22:16 | 只看该作者

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10#
 楼主| 发表于 2019-6-11 12:13 | 只看该作者
8 K1 p8 E$ R9 k" T# L

5 f& p4 J6 a' a多谢????
2 z3 ~' N% {. V( Y. I# P
# y9 Q+ f  |% y

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    发表于 2019-6-13 00:18 | 只看该作者
    感谢分析

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    发表于 2019-9-16 10:14 | 只看该作者
    看一下电路分析
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