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Boost电路参数的一些问题

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1#
发表于 2019-6-8 20:39 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x

% O: C# u( H, l  V/ G: o% ~最近在理解电感的参数/特性,以boost电路来说,mos管开启的时候,Vin对电感充电。4 F3 Z0 l" H2 t0 v( n8 C
看了一篇boost电路的介绍,看到mos管电流如下图,觉得奇怪,像是电感充电阶段的电流全部流入GND,这样的话,boost的效率不是很低?: d& j1 Y% L& |7 B) Y" c
5 w- E$ n0 |8 p$ H; {" S5 Q( ?

4 W* W$ C, s& h& z  j: v但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet,TPS61256,效率高达93%
- i& e; Q5 S% d6 `  c  W3 C7 k2 E! `  o! @: j
所以想问一下9 v0 r5 k1 b  T
1.一般来说,boost电路电感充电的时候,电流是不是基本不经过MOS到GND?不经过MOS管到GND好像没有完整的回路,这个应该怎么去理解这个电路行为?9 K- f9 a5 q( Q2 J3 u2 B+ K" X
2.如果确实如上图所示,有较大一部分电流流经MOS到GND,这个有计算公式或者资料推荐么?那效率是怎么做上去的?
. S. F# b( s7 i9 n, k4 O5 c, k  U  c& M9 y' B  B& Z

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4#
发表于 2019-6-10 10:17 | 只看该作者
本帖最后由 curry_wang 于 2019-6-10 10:26 编辑
+ M. G/ q) t8 z6 R7 x- f( ]$ Q1 `7 X  g# B5 a
感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。* q1 W. n' t% e( ]! d. v4 C
2. 损耗的能力主要是电感的DCR,MOS的导通 开关损耗。
1 w) @1 C% x; l+ b- F! I* {( i3. 效率一般实测,输出功率比上输入功率。    所以减小损耗,低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。
6 C) G$ d$ B5 g

点评

哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~! 没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来! 多谢  详情 回复 发表于 2019-6-10 21:59

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6#
 楼主| 发表于 2019-6-10 21:59 | 只看该作者
curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17
7 v  G: P3 I& k! G( r4 X8 a感觉很有道理样;1. boost电路电感充电的时候,电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。# |" [2 z, O5 t- S/ r5 y
...
( d2 S$ O: _5 g6 }
哦哦,想明白了,看到这个波形,第一反应是,电流这么大流进GND,效率不是很低~~!
( u! ]5 p' {' A8 t没转过弯来,大电流虽然流进GND,但是功都做在电感里了,晚点翻一下资料贴上来!
1 P  E& t% X! d" S* G多谢: D  E5 G% N$ k/ x$ e) S% N

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7#
 楼主| 发表于 2019-6-10 22:09 | 只看该作者

: i6 h; |5 V8 y
" [# \7 o6 w+ b4 l& `看一下电感两端的波形,理想值:VL =VS,电感上的功率P=IxVs,相当于全部功做在电感上$ D2 Y6 R; z3 z
但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧,不知道有没有大神有相关的资料可以看看; J, }: c2 s: Q2 W+ j

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8#
发表于 2019-6-10 22:16 | 只看该作者

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10#
 楼主| 发表于 2019-6-11 12:13 | 只看该作者
0 h# _% v' [- ^3 ^6 ?
* y( _# j9 m( W: O0 I
多谢????
. C3 A' A- s- F! o$ z. U; d' ~7 ^& z* w+ b8 K0 G, D

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    发表于 2019-6-13 00:18 | 只看该作者
    感谢分析

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    发表于 2019-9-16 10:14 | 只看该作者
    看一下电路分析
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