Boost电路参数的一些问题

Joen0_0

最近在理解电感的参数/特性，以boost电路来说，mos管开启的时候，Vin对电感充电。
: w+ z; Y4 c+ {5 J( }4 w2 J) z看了一篇boost电路的介绍，看到mos管电流如下图，觉得奇怪，像是电感充电阶段的电流全部流入GND，这样的话，boost的效率不是很低？
$ A: i* K- j) s. a8 _; s/ V$ D

9 A5 r+ X' D$ ?2 L4 C( @但我在TI上随便翻了一个boost的datasheet，TPS61256，效率高达93%
0 `8 K! ]* t$ _; j7 C6 ^
/ `/ W& D3 D9 D0 o. s6 ^所以想问一下
1.一般来说，boost电路电感充电的时候，电流是不是基本不经过MOS到GND？不经过MOS管到GND好像没有完整的回路，这个应该怎么去理解这个电路行为？
2.如果确实如上图所示，有较大一部分电流流经MOS到GND，这个有计算公式或者资料推荐么？那效率是怎么做上去的？

wu6886

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hyz12888

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curry_wang

3 s0 A1 x! Q6 ~  ?( E+ d+ X7 ^9 X感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
0 J* y* @) N) b4 |" M& a4 K6 Y( w2. 损耗的能力主要是电感的DCR，MOS的导通 开关损耗。
! Y8 r6 J, e1 \4 X3. 效率一般实测，输出功率比上输入功率。    所以减小损耗，低电流用PFM,大电流PWM等等来提升效率。

上山砍柴

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Joen0_0

curry_wang 发表于 2019-6-10 10:17
感觉很有道理样；1. boost电路电感充电的时候，电流是经过MOS到GND的。但是大部分能能量都存储在电感上。
( Q/ s  S1 o9 U ...

, A+ [# j) W0 n- @% ]( g8 |3 \& k哦哦，想明白了，看到这个波形，第一反应是，电流这么大流进GND，效率不是很低~~！
! ?3 C  c6 N7 N- g$ x7 s$ x/ K" @没转过弯来，大电流虽然流进GND，但是功都做在电感里了，晚点翻一下资料贴上来！
* Z# R9 e# l/ B  |$ V多谢
, ]. @+ a: K5 q

Joen0_0

5 D4 V* G: |( S5 `看一下电感两端的波形，理想值：VL =VS，电感上的功率P=IxVs，相当于全部功做在电感上
4 X$ J, ^: p" V但是实际值应该是会从Vs逐渐下降的吧，不知道有没有大神有相关的资料可以看看
; k' S; D/ I+ v' p

jacky401

请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

sunny哥

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Joen0_0

jacky401 发表于 2019-06-10 22:16:39
请参见：https://www.eda365.com/thread-211440-1-1.html

6 E! J- ]# Q1 V" H* \
多谢????
% M( c5 M) o, K! L# ^1 t# m
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