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射频电磁场辐射抗扰度 

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1#
发表于 2019-6-13 13:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 zophim 于 2019-6-13 13:49 编辑
5 L; C7 e: p/ F. |5 Z% b) i- U
, m1 F+ G2 R0 L5 u3 T6 R射频电磁场辐射抗扰度---标准上给出的试验场强是未调制的载波信号,但作为试验设备,要用1KHz的正弦波对载波信号进行80%的幅度调制来模拟实践情况。
6 O1 W, I+ J( a- u. y: v对此不能理解:
& y% ^3 M  }8 i" c1)为什么不直接用试验场强呢,必须要用载波信号调制?* B: H: Y2 D: ~- K* d
2)为什么不是全调制只是80%呢?
& U# d! f: Q8 H: r& r' l3)信号调制有什么物理意义呢?

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2#
发表于 2019-6-13 13:48 | 只看该作者
这个得看应用范围吧,CMOS属于传统的,应用范围广;MMIC属于新兴的半导体技术,应用范围主要集中在RF领域。

该用户从未签到

3#
发表于 2019-6-14 13:19 | 只看该作者
这个怕难说呢
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