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开关电源的11种拓扑结构

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    [LV.1]初来乍到

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    发表于 2019-6-15 09:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    开关电源的11种拓扑结构! W6 ]4 j! G$ }$ w! Y
    5 @/ i; h8 g! T, j
    7 m7 f; Q+ Z) r4 b1 w3 x9 B, g3 W1 q

    1、基本名词

    常见的基本结构

    ■Buck降压

    ■Boost升压

    ■Buck-Boost降压-升压

    ■Flyback反激

    ■Forward正激

    ■Two-TransistoRForward双晶体管正激

    ■Push-Pull推挽

    ■HalfBridge半桥

    ■FullBridge全桥

    ■SEPIC

    ■C’uk

    基本的脉冲宽度调制波形

    这些结构都与开关式电路有关。

    基本的脉冲宽度调制波形定义如下:

    & n+ N9 V/ x0 ]* _' j- I, O
    0 g% F& s0 i2 s$ A# i  ]9 x
    + n1 ]" P0 L+ @+ G. f

    2、Buck降压

    8 D0 a, t: o( Y
    3 ?. g, D8 e" S$ Y' d3 e8 M$ o

    % G! \7 B  M5 ]

    特点

    ■把输入降至一个较低的电压。

    ■可能是最简单的电路。

    ■电感/电容滤波器滤平开关后的方波。

    ■输出总是小于或等于输入。

    ■输入电流不连续(斩波)。

    ■输出电流平滑。

    3、Boost升压

    # [# T# X  n5 ^+ _9 T) W/ I5 ]
      ~' O$ E( v3 ?8 v) O

    2 _3 @$ C% ]4 i2 s! G# u8 |& ~0 D

    特点

    ■把输入升至一个较高的电压。

    ■与降压一样,但重新安排了电感、开关和二极管。

    ■输出总是比大于或等于输入(忽略二极管的正向压降)。

    ■输入电流平滑。

    ■输出电流不连续(斩波)。

    4、Buck-Boost降压-升压


    7 [3 ~' g" H* R
    5 ]+ l  M5 I5 m2 g, v! q  d- O" H1 n% g( ^, ?, a" y

    特点

    ■电感、开关和二极管的另一种安排方法。

    ■结合了降压和升压电路的缺点。

    ■输入电流不连续(斩波)。

    ■输出电流也不连续(斩波)。

    ■输出总是与输入反向(注意电容的极性),但是幅度可以小于或大于输入。

    ■“反激”变换器实际是降压-升压电路隔离(变压器耦合)形式。

    5、Flyback反激


    % K2 V* h! j4 w* ?7 I1 W" q
    4 k6 [9 m  |6 x! o& Z& E/ s
    ( H7 w7 @: ^; S% U& w3 D& C" R' H

    特点

    ■如降压-升压电路一样工作,但是电感有两个绕组,而且同时作为变压器和电感。

    ■输出可以为正或为负,由线圈和二极管的极性决定。

    ■输出电压可以大于或小于输入电压,由变压器的匝数比决定。

    ■这是隔离结构中最简单的

    ■增加次级绕组和电路可以得到多个输出。

    6、Forward正激


    * [4 a  R2 ?* J# F3 ]" o0 I5 {( |9 W3 c0 ?

    , B3 X" y) j: b. n- J5 T

    特点

    ■降压电路的变压器耦合形式。

    ■不连续的输入电流,平滑的输出电流。

    ■因为采用变压器,输出可以大于或小于输入,可以是任何极性。

    ■增加次级绕组和电路可以获得多个输出。

    ■在每个开关周期中必须对变压器磁芯去磁。常用的做法是增加一个与初级绕组匝数相同的绕组。

    ■在开关接通阶段存储在初级电感中的能量,在开关断开阶段通过另外的绕组和二极管释放。

    7、Two-TransistorForward双晶体管正激


    ( s0 T# U( \' R+ _" ]0 _: Y6 y0 g) O0 P1 i: v+ l" H

    ; G! `: l# G3 d5 r" |$ l/ r

    特点

    ■两个开关同时工作。

    ■开关断开时,存储在变压器中的能量使初级的极性反向,使二极管导通。

    ■主要优点:

    ■每个开关上的电压永远不会超过输入电压。

    ■无需对绕组磁道复位。

    8、Push-Pull推挽


    : n/ O( Z& x* w, P; Y
    : }! ]$ r, @5 @2 U
      T! q! o! M; x; f* l$ k

    特点

    ■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

    ■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。

    ■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

    ■施加在FET上的电压是输入电压的两倍。

    9、Half-Bridge半桥


    # {  P4 U) [! C3 a
    ( G6 C. k% |# H) g
    ) @& Y' |$ n4 u1 A0 n

    特点

    ■较高功率变换器极为常用的拓扑结构。

    ■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

    ■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。而且初级绕组的利用率优于推挽电路。

    ■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

    ■施加在FET上的电压与输入电压相等。

    10、Full-Bridge全桥

    5 o5 c! O& x6 T

    8 J5 K1 f+ e  J: Y7 N* N" B5 ?7 K  B9 R

    特点

    ■较高功率变换器最为常用的拓扑结构。

    ■开关(FET)以对角对的形式驱动,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。

    ■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。

    ■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。

    ■施加在FETs上的电压与输入电压相等。

    ■在给定的功率下,初级电流是半桥的一半。


    - y% H, \, g% m1 U) q' Y) Z8 _1 _# Y6 v0 O& ^, s: O6 R! r

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2019-6-17 11:24 | 只看该作者
    学习啦,7,8推导不出来,大神可否加上推导过程。。。。。
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