7 m7 f; Q+ Z) r4 b1 w3 x9 B, g3 W1 q
1、基本名词
常见的基本结构
■Buck降压
■Boost升压
■Buck-Boost降压-升压
■Flyback反激
■Forward正激
■Two-TransistoRForward双晶体管正激
■Push-Pull推挽
■HalfBridge半桥
■FullBridge全桥
■SEPIC
■C’uk
基本的脉冲宽度调制波形
这些结构都与开关式电路有关。
基本的脉冲宽度调制波形定义如下:
& n+ N9 V/ x0 ]* _' j- I, O
0 g% F& s0 i2 s$ A# i ]9 x
+ n1 ]" P0 L+ @+ G. f
2、Buck降压
8 D0 a, t: o( Y
3 ?. g, D8 e" S$ Y' d3 e8 M$ o
% G! \7 B M5 ]特点
■把输入降至一个较低的电压。
■可能是最简单的电路。
■电感/电容滤波器滤平开关后的方波。
■输出总是小于或等于输入。
■输入电流不连续(斩波)。
■输出电流平滑。
3、Boost升压
# [# T# X n5 ^+ _9 T) W/ I5 ]
~' O$ E( v3 ?8 v) O
2 _3 @$ C% ]4 i2 s! G# u8 |& ~0 D特点
■把输入升至一个较高的电压。
■与降压一样,但重新安排了电感、开关和二极管。
■输出总是比大于或等于输入(忽略二极管的正向压降)。
■输入电流平滑。
■输出电流不连续(斩波)。
4、Buck-Boost降压-升压
7 [3 ~' g" H* R![]()
5 ]+ l M5 I5 m2 g, v! q d- O" H1 n% g( ^, ?, a" y
特点
■电感、开关和二极管的另一种安排方法。
■结合了降压和升压电路的缺点。
■输入电流不连续(斩波)。
■输出电流也不连续(斩波)。
■输出总是与输入反向(注意电容的极性),但是幅度可以小于或大于输入。
■“反激”变换器实际是降压-升压电路隔离(变压器耦合)形式。
5、Flyback反激
% K2 V* h! j4 w* ?7 I1 W" q![]()
4 k6 [9 m |6 x! o& Z& E/ s
( H7 w7 @: ^; S% U& w3 D& C" R' H特点
■如降压-升压电路一样工作,但是电感有两个绕组,而且同时作为变压器和电感。
■输出可以为正或为负,由线圈和二极管的极性决定。
■输出电压可以大于或小于输入电压,由变压器的匝数比决定。
■这是隔离结构中最简单的
■增加次级绕组和电路可以得到多个输出。
6、Forward正激
* [4 a R2 ?* J# F3 ]
" o0 I5 {( |9 W3 c0 ?
, B3 X" y) j: b. n- J5 T特点
■降压电路的变压器耦合形式。
■不连续的输入电流,平滑的输出电流。
■因为采用变压器,输出可以大于或小于输入,可以是任何极性。
■增加次级绕组和电路可以获得多个输出。
■在每个开关周期中必须对变压器磁芯去磁。常用的做法是增加一个与初级绕组匝数相同的绕组。
■在开关接通阶段存储在初级电感中的能量,在开关断开阶段通过另外的绕组和二极管释放。
7、Two-TransistorForward双晶体管正激
( s0 T# U( \' R+ _" ]0 _
: Y6 y0 g) O0 P1 i: v+ l" H
; G! `: l# G3 d5 r" |$ l/ r特点
■两个开关同时工作。
■开关断开时,存储在变压器中的能量使初级的极性反向,使二极管导通。
■主要优点:
■每个开关上的电压永远不会超过输入电压。
■无需对绕组磁道复位。
8、Push-Pull推挽
: n/ O( Z& x* w, P; Y![]()
: }! ]$ r, @5 @2 U
T! q! o! M; x; f* l$ k特点
■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FET上的电压是输入电压的两倍。
9、Half-Bridge半桥
# { P4 U) [! C3 a![]()
( G6 C. k% |# H) g
) @& Y' |$ n4 u1 A0 n特点
■较高功率变换器极为常用的拓扑结构。
■开关(FET)的驱动不同相,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。而且初级绕组的利用率优于推挽电路。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FET上的电压与输入电压相等。
10、Full-Bridge全桥
5 o5 c! O& x6 T
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8 J5 K1 f+ e J: Y7 N* N" B5 ?7 K B9 R
特点
■较高功率变换器最为常用的拓扑结构。
■开关(FET)以对角对的形式驱动,进行脉冲宽度调制(PWM)以调节输出电压。
■良好的变压器磁芯利用率---在两个半周期中都传输功率。
■全波拓扑结构,所以输出纹波频率是变压器频率的两倍。
■施加在FETs上的电压与输入电压相等。
■在给定的功率下,初级电流是半桥的一半。