关于线屏蔽的问题

ygcgsa · 发表于 2019-6-17 11:17

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一个资料上看到一句话,/ q& g- ]2 D/ u) j7 X1 l& r4 W4 Z

线屏蔽自己以前也绕过，但是没有特别注意起绕位置，按照资料上说的，可不可以这样理解。（反激变压器）如果初级绕组采用三明治绕发，起始从MOS管的D级开始绕，那么线屏蔽是不是要从辅助地开始起绕，悬空结束，传导效果比较好？还有考虑到线屏蔽绕的过程中感觉先接地后悬空或者先悬空后接地因为线太细都不是很好处理，变压器厂手动绕或者机器自动绕怎么样操作比较方便，请教大神，感谢！

relchhiclty · 发表于 2019-6-17 16:50

楼主你的问题解决了吗

GT2046 · 发表于 2019-6-17 19:40

线屏蔽是对辐射抑制效果好，铜箔屏蔽才是对传到抑制效果好！

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