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几种电源架构 通常设计人员要为各种DSP、mcu、FPGA、ASIC、音频/视频和显示电路提供多电压、更大电流、更高效率、更低功耗、更低噪声、更小形状因数的电源和电源管理。为此出现了各种各样的电源架构来满足变化的电源管理要求。 分布式电源架构 分布式电源架构(Distributed Power Architecture,PDA)是基站用的第一代电源架构。PDA的一个实例示于图1。这种电源架构对每个电压轨用隔离(砖式)电源模块提供。当电压轨有限时，PDA工作良好，但每增加1个电压轨，其成本和PCB面积都显著增加。电压轨时序也是困难的，需要增加外部电路来解决电压轨时序，这也会增加成本和板面积。 & m+ F+ M5 o4 T8 e3 R1 c6 p, ]
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) O8 w% o1 K6 t/ D5 {9 v' b3 ` 图1 典型的DPA架构 中间总线架构 为了克服DPA尺寸大和成本高的缺点，第二代系统采用中间总线(Intermediate Bus Architecture,IBA)架构。中间总线架构有固定电压(fixed voltage)IBA，非稳压(unregulated)IBA和准稳压(Quasi-regulated)IBA几种架构。图2所示的固定电压IBA采用单个隔离砖式电源模块和很多非隔离负载点(Pol)DC/DC变换器。Pol可以是电源模块(如TI公司的PTH系列)，也可以是分立的降压变换器。隔音变换器的输入电压范围(36~75V或18~36V)与第一代相同。它所产生的中间总线电压稳定到3.3V，5V或12V。中间总线电压选择取决于系统设计师。这种设计的好处是：较小的PCB面积、较低的成本和较容易的电压时序(由于有自动跟踪特性)。这种电源架构使效率降低，每个电压需要两次变换。 : Y7 I6 N- x# y$ y# H* c4 j, ?0 U$ M
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图2 固定电压中间总线架构 为了满足微小区基站设计对高效率和小占位面积的要求，需增加隔离变换器效率，使其工作在固定占空比和不稳压输出，这就是非稳压中间总线结构。这种结构采用非稳压总线变换器，其输出电压是输入电压之比(例如TI公司ALD17 5：1变换器产生的输出电压是输入电压的五分之一)。用这种技术设计的150W系统的第一变换级用十六分之一砖式变换器效率可达96%。这种架构的限制是总线变换器的最大输入电压范围是36~55V。Pol的输入电压必须小于12V，才能使Pol产生1V或小于1V的输出电压。 为了满足一些无线供应商坚持要保持36~75V传统宽输入电压规格的要求，电源供应商推出准稳压IBA。这种架构与非稳压IBA的主要差别是在输入电压超过55~60V范围，其输出电压稳定到10V左右。这种架构的缺点是隔离电源模块必须增大尺寸来实现稳压电路和在55V以上效率降低。 新一代SoC电源管理 APC(先进的电源管制器)靠动态或表态管理电源电压和漏电流，使SoC(系统芯片)能耗最佳化。采用两种技术：DVS(Danamic Voltage Scalling)和AVS(Adaptive Voltage Scalling)来管理SoC电源电压。APC适用两个软IP版本：APC1和APC2。APC1设计用于单SoC;APC2设计用更复杂SoC电源管理架构，支持个并行电压和时钟。APC2在内部共享电压域时具有控制多个独立时钟域的能力，这种能力特别重要，这可允许低功率工作。PWI2.0总线接口可使APC2连接到多个外设器件或另外SoC。图4示出采用APC2的双域SoC系统架构。SoC由两个主要逻辑单元(硬件加速器和CPU)组成。在每个电压域内有1个用于AVS控制的硬件性能监控器(HPM)。时钟管理单元为电压域和HPMs提供时钟信号。APC的4个主要功能单元示于APC2单元内。控制逻辑单元提供主接口(AMBA-APB)、CMU接口和中断管理服务。环路控制器管理AVS模式中的电压缩放。为DVS支持提供每个电压的频率—电压表。PWI2.0主机连接SoC到PMIC和其他外设。
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图4 采用APC2的双域SoC系统架构 分比式电源架构 分比式电源架构(Factorized Power Architecture,FPA)采用3个灵活的单元来重新规定每个变换级的范围，使得电源密度和效率都比较高。第1个单元是总线变换器模块(BCM)，这是1个窄范围输入、非稳压、高效率总线变换器，它采用ZCS-ZVS正弦幅度变换器(SAC)提供隔离和电压变换。有高电压(高达384V)和中电压(48V)输入两个版本。FPA的第2个单元是预调器模块(PRM)，这是1个高效率升压一降压变换器。FPA的第3个单元是电压变换模块(VTM)，它与PRM组合在一起提供低电压输出(如需要可低到0.82V)。FPA单元为电源系统设计提供更大的灵活性、伸缩性和更高的效率(图3)。就尺寸而言，工作在3.5MHz有效频率的SAC，对于高电源变换在小封装中采用平面磁性元件，这种结构使功率密度大于1000W/in3。 7 F9 @# f; o; L4 V- Z5 |
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图3 FPA系统(效率和尺寸) ! W1 c2 d. ]/ b4 H
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发表于 2019-6-25 09:34
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