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关于DDR3地址线拓扑结构问题

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  • TA的每日心情
    开心
    2021-11-19 15:04
  • 签到天数: 54 天

    [LV.5]常住居民I

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    1#
    发表于 2019-6-28 09:11 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    过于DDR3地址线的拓扑结构问题请教,如图片所示,应该选择1、2两种方式中的哪一种,第二种绕线很长,第一种不好出线3 V2 v6 r2 ?+ P5 ?- v. b( c) T

    QQ截图20190628091036.png (486.97 KB, 下载次数: 2)

    DDR3拓扑结构

    DDR3拓扑结构

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2019-6-28 09:18 | 只看该作者
    双t 或者fly-by

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2019-6-28 10:27 | 只看该作者
    最好照着demo抄。7 |7 \: J$ d) n, M5 r( o
    我看到部分imx6 demo用的是T,如果你要用fly-by,那要确认sdk里是做了write leveling。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-6-28 15:52 | 只看该作者
    如果CPU支持地址镜像的话也可以用正反贴

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2019-7-1 08:46 | 只看该作者
    我们公司的做法是正反贴,T型拓扑,imx6+4片DDR3
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-9-29 15:28
  • 签到天数: 114 天

    [LV.6]常住居民II

    6#
    发表于 2019-7-1 15:19 | 只看该作者
    仿真少不了的
    ; V0 o: ?7 M- s6 T) y) a
  • TA的每日心情
    奋斗
    2019-11-19 15:21
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    7#
    发表于 2019-7-1 17:32 | 只看该作者
    demo抄过来不是简加单
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