找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 246|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

 电源模块热设计分析

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2019-7-4 09:03 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
电源模块热设计分析
2 H- @: `* a6 d8 ], R

, f- a2 k7 N2 c4 [( n$ c摘要:一摸电源模块的表面,热乎乎的,模块坏了?!且慢,有一点发热,仅仅只是因为它正努力地工作着。但高温对电源模块的可靠性影响极其大!我们须致力于做好热设计,减小电源表面和内部器件的温升。这一次,我们扒一扒电源模块的热设计。
4 y2 M8 J& t" [. s" ~" u  `& N8 @
' u2 F2 H, A' s3 I0 L3 @3 _4 a高温对功率密度高的电源模块的可靠性影响极其大。高温会导致电解电容的寿命降低,变压器漆包线的绝缘特性降低,晶体管损坏,材料热老化,焊点脱落等现象。有统计资料表明,电子元件温度每升高2℃,可靠性下降10%。对于电源模块的热设计,它包括两个层面:降低损耗和改善散热条件。" R1 W2 A* E' h
& v) g8 _0 w3 Q  P
一、元器件的损耗8 A$ ]7 p) d1 T6 k2 X
损耗是产生热量的直接原因,降低损耗是降低发热的根本。市面上有些厂家把发热元件包在模块内部,使得热量散不出去,这种方法有点自欺欺人。降低内部发热元件的损耗和温升才是硬道理。1 }8 Y" M" ^+ m6 A& p  H. K( A

: G$ ~4 k3 M+ c2 X  [6 K电源模块热设计的关键器件一般有:MOS管、二极管、变压器、功率电感、限流电阻等。其损耗如下:: n- C1 _& B( }, i' |

1 Y0 Q4 ?8 `8 w5 Q3 {1、 MOS管的损耗:导通损耗、开关损耗(开通损耗和关断损耗);
0 I- a% a1 b* A% I5 J2 {9 o9 e2、 整流二极管的损耗:正向导通损耗;# H* V, A5 E8 C% C
3、 变压器、功率电感:铁损和铜损;
, Q2 a5 n/ S/ t! X  H4、 无源器件(电阻、电容等):欧姆热损耗。; u# _/ Y7 m! A& |. |# L$ }5 `

- T; _2 S  O, o4 p7 K" K7 M- ]6 c二、热设计3 t5 O' K& ^) h; D, B, f
在设计的初期,方案选择、元器件选择、PCB设计等方面都要考虑到热设计。* C" ^$ H& @# J! b) L. i) g5 N

* s" h/ r, s+ k$ u" ]4 p1、方案的选择
) E9 N/ |* Q( R# B! L9 A方案会直接影响到整体损耗和整体温升的程度。5 q& O+ g7 M, j; g  {7 Q5 H

+ u* z+ v4 |- S# t' Y8 o2、元器件的选择9 U0 g; U/ F7 {
元器件的选择不仅需要考虑电应力,还要考虑热应力,并留有一定降额余量。降额等级可以参考《国家军用标准——元器件降额准则GJB/Z35-93》,该标准对各类元器件的各等级降额余量作了规定。设计一个稳定可靠的电源,实在不能任性,必须好好照着各元件的性子,设计、降额、验证。图 1为一些元件降额曲线,随着表面温度增加,其额定功率会有所降低。
& }  }) b1 ]% L& L/ W! {6 l
& j  i3 I4 d$ \/ ^
+ [6 q3 ^* f0 M/ M6 h& ]! i# O2 x图1 降额曲线
. @6 L) P* K7 K3 D7 p( ~0 _4 D1 a4 \0 [- I* s3 x7 s+ F1 g4 H
元器件的封装对器件的温升有很大的影响。如由于工艺的差异,DFN封装的MOS管比DPAK(TO252)封装的MOS管更容易散热。前者在同样的损耗条件下,温升会比较小。一般封装越大的电阻,其额定功率也会越大,在同样的损耗的条件下,表面温升会比较小。
; t; f$ D0 L4 v: \, t7 r
7 O  Q8 }( r: B; @. C设计中,要评估的电阻一般有MOS管的限流检测电阻、MOS管的驱动电阻等。限流电阻一般使用1206或更大的封装,多个并联使用。驱动电阻的损耗也需要考虑,否则可能导致温升过高。
6 o5 U% I3 u  S7 R% }
( D3 B$ q( q, N& E% O3 L5 r' F有时,电路参数和性能看似正常,但实际上隐藏很大的问题。如图 2所示,某电路基本性能没有问题,但在常温下,用红外热成像仪一测,不得了了,MOS管的驱动电阻表面温度居然达到95.2℃。长期工作或高温环境下,极易出现电阻烧坏、模块损坏的问题。可见,研发过程中使用热成像仪测试元器件的温度尤其重要,可及时发现并定位问题点。通过调整电路参数,降低电阻的欧姆热损耗,且将电阻封装由0603改成0805,大大降低了表面温度。
  C/ E3 |1 {0 g. @% t
7 [0 s2 j7 q" m/ x! w' ~5 K. P2 q/ {* _! k* y0 o
图2驱动电阻表面温度
6 h7 N  w/ L; ?9 z. _& e* `
- h+ p" F7 y! V9 |& E3、PCB设计
. J4 n$ K8 d  }  E3 [, KPCB的铜皮面积、铜皮厚度、板材材质、PCB层数都影响到模块的散热。常用的板材FR4(环氧树脂)是很好的导热材料,PCB上元器件的热量可以通过PCB散热。特殊应用情况下,也有采用铝基板或陶瓷基板等热阻更小的板材。3 ?8 m4 ]/ j1 Y; W

' O& w  a9 P: T3 J  c! T" yPCB的布局布线也要考虑到模块的散热:( l- l1 K; b( u$ |% }
' H  `1 y' L3 t9 R" k4 t+ i4 s
(1) 发热量大的元件要避免扎堆布局,不要哪里“热”闹,就往哪里凑,尽量保持板面热量均匀分布;
3 s+ L: F( `# S(2) 热敏感的元件尤其应该“哪边凉快哪边去”;6 G! E0 q, j# u* ~' m
(3) 必要时采用多层PCB;* ]7 g+ n2 k/ [+ @, c: {7 Z( v
(4) 功率元件背面敷铜平面散热,并用“热孔”将热量从PCB的一面传到另一面。热孔的孔径应很小,大约0.3mm左右,热孔的间距一般为1mm~1.2mm。功率元件背面敷铜平面加热孔的方法,可以起到很好的散热效果,降低功率元件的表面温升。如图 3所示,上面两图为没有采用此方法时,MOS管表面温度和背面PCB的温度;下面两图为采用“背面敷铜平面加热孔”方法后,MOS管表面温度和背面铜平面的温度。可以看出:
) Z. f) o5 n  V6 [) Y. T6 G+ V" E4 f' n. o- ]7 K: O5 i4 a
a) MOS管表面温度由98.0℃降低了22.5℃;
7 ?6 C* ]2 L- C, Zb) MOS管与背面的铜平面的温差大大减小,热孔的传热性能良好。$ N9 I. {9 O( u0 W6 n2 B; R5 w

  y# M% p5 R4 @* S/ a
! `3 ~. f% ^5 m3 v3 j3 g图3 背面敷铜加热孔的散热效果
5 S; O3 l# ~8 k0 ]$ m, t
8 L  s8 [2 U: S热设计时,还须注意:
. t( l/ S! L" I" b: J9 P2 q6 x9 U# M* }+ t9 F; p6 _, R
1、 对于宽压输入的电源模块,高压输入和低压输入的发热点和热量分布完全不同,需全面评估。短路保护时的发热点和热量分布也要评估。0 f7 [+ m8 ~0 ~* \
, O2 `$ X! c& c3 @. L/ W; C
2、 在灌封类电源模块中,灌封胶是一种良好的导热的材料。模块内部元件的表面温升会进一步降低。即便如此,我们仍要测试高温环境下内部元件的表面温升,来确保模块的可靠性。那怎么才能测试准确地测试内部元件的温升呢?请查阅《ZLG是如何测试电源模块内部的温升的!》一文,文中有详细的描述。
, O; S1 S6 S7 n3 l( c: N- S+ Z1 N$ {) U
$ h3 i0 [+ H, E7 E
6 h( h+ x) z  `
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

推荐内容上一条 /1 下一条

EDA365公众号

关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

GMT+8, 2025-10-10 05:01 , Processed in 0.125000 second(s), 23 queries , Gzip On.

深圳市墨知创新科技有限公司

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

快速回复 返回顶部 返回列表