麻烦大神帮忙分析一下，低栅压NMOS泄放电阻和栅极电阻怎么摆放位置?

Mhza · 发表于 2019-7-12 11:29

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选用了UTC6N10G，VGS(th) =1-3V ，驱动电压为5V，现在有两种方式，
图1是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2前，优点是不会对驱动电压造成分压，确保mos可靠开通，缺点暂时不知道。
图2是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2后面，这样的缺点是会对驱动电压造成分压，栅极驱动电压只能到4.54V。
求大神帮分析下两种方式的优缺点，哪种更适合，另外这个栅极电阻取值是否太大，增加导通损耗，不过我们用了十几年这个值了，没啥问题，且mos不会经常动，偶尔才会动一下。

图1

图2

huo_xing · 发表于 2019-7-12 14:33

本帖最后由 huo_xing 于 2019-7-12 14:34 编辑

1.那个10K的哪里是什么泄放电阻，别弄错概念了。这个电阻作用是在上电过程中，mos驱动状态不稳定，为了防止mos误动作。
2.mos驱动中，如果控制器要关闭mos管，是不是要把驱动信号拉低。驱动端为低，这个10K电阻是不是相当短路了。还有什么作用。
3.真正的加快泄放是在mos驱动电阻上反向并联一个二极管，在mos关闭时，通过二级管把驱动电阻短路，加速gs电容放电。

Ryanapp · 发表于 2019-7-15 09:08

圖二接法，猜測是有訊號從G腳打回來，進而需要分壓，怕電壓把Mos前級像MCU打死了~~

月色 · 发表于 2019-7-12 12:32

一般R2都是放后面吧我们公司都是放后面的. 放前面的还真没有看到过

月色 · 发表于 2019-7-12 12:34

MOS管门极电阻一般都是1K，MOS管的姗源等效电阻比较大，开通时损耗较小。

Tony_zhang · 发表于 2019-7-12 13:13

图2栅极怎么会造成分压呢？感觉图1栅极会被分压吧！是不是说反了

wu6886 · 发表于 2019-7-12 23:35

看看

th2010-gc01 · 发表于 2019-7-13 11:18

图1跟图2搞反了吧？

hyz12888 · 发表于 2019-7-15 08:35

一直都是用图1

宝庆书生 · 发表于 2019-7-18 13:47

信号怎么可能从G极过来呢，除非mos管坏了。

msmba_kb · 发表于 2019-7-23 18:16

图2这种接法老外的图纸上见过很多

anguchou · 发表于 2019-8-22 16:04

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