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麻烦大神帮忙分析一下,低栅压NMOS泄放电阻和栅极电阻怎么摆放位置?

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1#
发表于 2019-7-12 11:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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选用了UTC6N10G,VGS(th) =1-3V ,驱动电压为5V,现在有两种方式,$ _3 j6 \1 F& a0 L- U+ e- D
图1是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2前,优点是不会对驱动电压造成分压,确保mos可靠开通,缺点暂时不知道。* J% T+ I' }/ U. \0 J# C/ i
图2是把栅极电阻R1放在泄放电阻R2后面,这样的缺点是会对驱动电压造成分压,栅极驱动电压只能到4.54V。
2 ~. t' F8 P) m求大神帮分析下两种方式的优缺点,哪种更适合,另外这个栅极电阻取值是否太大,增加导通损耗,不过我们用了十几年这个值了,没啥问题,且mos不会经常动,偶尔才会动一下。
- t. N$ y; t+ {$ X7 _: h
" W) }: N; S1 L9 \. U) P                                # x8 a; |4 ?; g' R3 V$ O* E
' q6 ]& O- H/ w2 i9 j
图1      ( X$ n. j! M8 e/ F5 U
                                                            
* J6 S2 ?) q3 P9 Y1 }/ E$ C9 g. |# a# Y; B1 o" w! Q/ v% J
图2) I' a& K; f$ I% A
$ }/ V- Z; Z" z" F$ v5 }* T

. j9 c- D9 P; D3 t2 @# R! _. U. q7 [% Z1 d% B5 l# [7 i

2 {2 p  m; e4 u0 p6 f

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发表于 2019-7-12 14:33 | 只看该作者
本帖最后由 huo_xing 于 2019-7-12 14:34 编辑 3 c9 _: ]; H: x$ ]/ K

, J1 s. o9 a- {# z) Y6 n1.那个10K的哪里是什么泄放电阻,别弄错概念了。这个电阻作用是在上电过程中,mos驱动状态不稳定,为了防止mos误动作。9 X. P2 |# F1 K( }: I  h
2.mos驱动中,如果控制器要关闭mos管,是不是要把驱动信号拉低。驱动端为低,这个10K电阻是不是相当短路了。还有什么作用。
5 R" M7 |: P# @; @3.真正的加快泄放是在mos驱动电阻上反向并联一个二极管,在mos关闭时,通过二级管把驱动电阻短路,加速gs电容放电。
3 q5 i: w; c: P

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发表于 2019-7-15 09:08 | 只看该作者
圖二接法,猜測是有訊號從G腳打回來,進而需要分壓,怕電壓把Mos前級像MCU打死了~~
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2019-7-12 12:32 | 只看该作者
    一般R2都是放后面吧  我们公司都是放后面的.  放前面的还真没有看到过
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    3#
    发表于 2019-7-12 12:34 | 只看该作者
    MOS管门极电阻一般都是1K,MOS管的姗源等效电阻比较大,开通时损耗较小。

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2019-7-12 13:13 | 只看该作者
    图2栅极怎么会造成分压呢?感觉图1栅极会被分压吧!是不是说反了
  • TA的每日心情
    开心
    2025-10-9 15:21
  • 签到天数: 1058 天

    [LV.10]以坛为家III

    7#
    发表于 2019-7-13 11:18 | 只看该作者
    图1跟图2搞反了吧?

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2019-7-15 08:35 | 只看该作者
    一直都 是用图1

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-7-18 13:47 | 只看该作者
    信号怎么可能从G极过来呢,除非mos管坏了。

    “来自电巢APP”

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-7-23 18:16 | 只看该作者
    图2这种接法 老外的图纸上见过很多
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