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超低电感器 DCR 采样的电流模式开关电源
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( [" @5 n$ |9 M" u8 T- B( V当电流模式开关电源与电压模式开关电源相比时,前者有几种优势:6 H8 z+ W- k6 ?/ {
# e# ^& ~* k+ L1 g6 `8 `(1) 高可靠性,具快速、逐周期电流采样和保护能力;
* J/ b, _* X2 _. \(2) 简单和可靠的环路补偿,全部用陶瓷输出电容器就可稳定;3 v* K+ k2 l2 c, Z
(3) 在大电流多相 (PolyPhase) 电源中易于实现准确的均流。8 x! J9 J$ F. u* g$ c
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在大电流应用中,电流采样组件中的功率损耗是一个令人担忧的问题,因此采样组件的电阻必须尽可能低。问题是低电阻采样组件会使信噪比降低,因此在大电流和高密度应用中,开关抖动就成了问题。
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LTC3866(数据手册) 就解决了这个问题,使用该器件可以建立可靠和电流采样电阻 <0.5m 的电流模式开关电源。这款单相同步降压型控制器用内置栅极驱动器驱动所有 N 沟道电源 MOSFET 开关。该器件采用一种独特的架构,可提高电流采样信号的信噪比,从而允许使用 DC 电阻 (DCR) 非常低的功率电感器或电阻值非常低的电流采样电阻器,以最大限度地提高大电流应用的效率。这种特性可降低在 DCR 很低的应用中常见的开关抖动。
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这款控制器具备 4.5V 至 38V 的宽输入范围;运用准确度为 0.5% 的基准进行远端输出电压采样;运用电感器 DCR 采样时,提供可编程和温度补偿的电流限制;短路软恢复时没有过冲;芯片过热停机。就电信系统、工业和医疗仪器、以及 DC 配电系统而言,LTC3866 为高效率、高功率密度和高可靠性解决方案的设计提供了方便。该控制器采用低热阻 24 引线 4mm x 4mm QFN 和 24 引线裸露焊盘 FE 封装。% N8 k4 u% L [# {$ j. C
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特点! ~# ~) K4 }2 s' g1 Z7 Z
' I5 Q. v" A. T$ G( i" V: K; R+ ZLTC3866 采用恒定频率峰值电流模式控制架构,从而可确保逐周期峰值电流限制和不同电源之间的均流。
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该器件尤其适用于低压、大电流电源,因为其独特的架构能提高电流检测电路的信噪比。这允许 LTC3866 能以由 DCR 非常低 (1m 或更低) 的电感器产生小的采样信号工作,这在大电流电源中可提高电源效率。提高信噪比可最大限度地减小由开关噪声引起的抖动,而这有可能使信号产生讹误。凭借精心的 PCB 布局,LTC3866 可对低至 0.2m 的 DCR 值采样,尽管在这种极端情况下,应该额外考虑 PCB 和焊料电阻。# L8 n% Q2 h. x7 L: w
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如图 1 所示,LTC3866 有两个正的采样引脚 (SNSD+ 和 SNSA+) 以采集信号,并在内部对信号进行处理,这在响应低压采样信号时,可使信噪比改善 14dB (5 倍)。电流限制门限仍然是电感器峰值电流及其 DCR 值的函数,而且可以用 ILIM 引脚以 5mV 的步进在 10mV 至 30mV 的范围内准确设定。在整个温度范围内,器件至器件的电流限制误差仅约为 1mV。* k& U4 M- E2 h6 p
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图 1:具超低电感器 DCR 的 LTC3866 电流采样电路。大电流通路用粗线显示
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INDUCTOR:电感器: _. d; ]: P( f$ j
PLACE C1, C2 NEXT TO IC:靠近 IC 放置 C1 和 C2
9 O) |8 c- i M* i0 JPLACE R1, R2 NEXT TO INDUCTOR:靠近电感器放置 R1 和 R21 A$ B, ?' B" @7 u
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[size=14.2857px]SNSD+ 通路的滤波器时间常数 R1 x C1 应该等于输出电感器的 L/DCR,而 SNSA+ 通路的滤波器应该有 5 倍于 SNSD+ 的带宽,也就是 R2 x C2 = R1 x C1/5。一个可选的附加温度补偿电路保证在很宽的温度范围内实现准确的电流限制,这在 DCR 采样中尤其重要。
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* e: U2 v1 E" d$ V$ x3 ]6 Q[size=14.2857px]LTC3866 还具备精确的 0.6V 基准,而且其保证的容限为 ±0.5%,这就可以提供 0.6V 至 3.5V 的准确输出电压。其差分远端 VOUT 采样放大器使 LTC3866 非常适用于低压、大电流应用。
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