ESD防护知识介绍

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% Q, R0 C& p- @在CMOS 制程技术的成熟以及组件尺寸不断缩小，利用CMOS设计的高频电路已可达到系统所需求的效能，这使得CMOS 高频元件越来越受到重视。但随着CMOS 制程尺寸的缩小，闸极氧化层越来越薄，使得氧化层可靠度下降；MOS 组件信道长度越来越短，汲极源极的参杂浓度必须增加以有效防止通道的punch-through，伴随之而来的却是MOS 组件因浅接面的形成而导致对ESD 的防护能力下降。
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