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超详细的MT29F2G08ABAEAWP-IT:E特点介绍 |+ ^4 S; _' ?6 H
3 i7 P2 r- h/ Y! N3 b# X& i; h
特征
$ F; f |5 K0 I; B- ]# w5 k·开放式NAND闪存接口(ONFI)1.0兼容!; ^; ~9 J! K/ B7 L6 U3 L8 a
·单级单元(SLC)技术
2 t! q# O* f1 e: L/ M8 v4 q: o·组织
# u3 j6 G% [: W( m0 N - 页面大小x8:2112字节(2048 + 64字节): G2 N- O% ]% v( q
- 页面大小x16:1056字(1024 + 32字)5 b- {- r5 R9 X( R" }# L, N! S
- 块大小:64页(128K + 4K字节)
5 B0 k( ~# B6 w, e - 平面尺寸:每平面2个平面x 2048个块
9 ^0 U! {, @7 O) f, u - 设备大小:4Gb:4096块; 8Gb:8192块
" F l% p& C* |4 a! Y16GB:16,384blocks
5 G' ^7 d" N/ _( {' L& K, w+ b5 U·异步I / O性能
0 U' [7 g5 Q( v- R-TRC / WC:20ns(3.3V),25ns(1.8V)6 T- p* ^) d- r) W0 O$ {, q
·阵列性能8 `0 u$ Y- [2 [& k
- 阅读页面:25us3" @, t/ K6 F6 f; a& f! F' E2 V
-Program page:200us((TYP:1.8V3.3V)3
9 e3 S" w, d; E8 d1 ]5 F - 删除块:700us(TYP)" J4 Y" c# w" ~6 f9 n |
·命令集:ONFI NAND Flash协议 l& W5 M5 Q6 y% t+ |* T3 ]
·高级命令集
" {! g/ W. ]: P: p - 程序页面缓存模式40 q6 P; B9 ], e% m% { y6 t
- 阅读页面缓存模式4
; S; V" Z4 L6 w% B. s - 一次性可编程(OTP)模式5 R R' r6 f% a% }0 S; A7 ^
- 双平面命令46 |5 e) ]- a$ A( y
- 交织模(LUN)操作
: e2 i6 ~+ s9 N( T - 阅读唯一ID
# U$ T1 g6 j+ k - 锁定(1.8Vonly)
+ e9 k$ ~2 m2 r" t' Z - 内部数据移动
: C6 x _" S8 Y$ _! J) M·操作状态字节提供检测的软件方法
+ ?* V- J. Q! m+ V) J- w1 Z - 操作完成
9 N2 m6 U" {( h2 K - 通过/失败条件
" P+ [5 v: e& v, ? - 写保护状态
% U: {' ^: c; o: u·就绪/忙碌#(R / B#)信号提供检测操作完成的硬件方法
6 [0 ?% y0 p+ T/ q; i·WP#信号:写保护整个设备
2 k/ G& ]* j, o+ s5 H1 I·第一个区块(区块地址00h)在发货时有效来自ECC的工厂。有关最低要求的ECC,请参阅错误管理。0 ], ?, N* Q4 Q" D7 ?2 Z
·如果PROGRAM / ERASE cy-块O需要1位ECCcles小于1000
# w4 d% d; M$ z9 i) r; Y·复位(FFh)作为电源后的第一个命令ER-上
- ?! q% {7 d. }·在读取数据的平面内支持内部数据移动操作, y9 N! U+ L( v3 o! f
·质量和可靠性 - 数据保留:10年) F2 [* W4 c3 |
- 保证:100,000次PROGRAM / ERASE周期. ~& L, A5 T4 _; _# f2 h5 D
·工作电压范围6 p# d/ B; T6 p2 ^
-Vcc:2.7-3.6V
4 f" _ ]' N( V4 T9 s-Vcc:1.7-1.95V
' i) H! U1 J/ Q: T3 C; Y( v6 |·MT29F2G08ABAEAWP-IT:E工作温度:
O Y( Y) @( a6 ? - 商业:0℃至+ 70℃
5 o2 a) c% c* `( S$ {: e - 工业(T): - 40℃至+ 85℃6 v. k3 C( f- q, E2 }2 L
·包装8 L+ {* }+ X, B- _
-48引脚TSOP类型1,CPL2
. I5 j$ ~. \* h3 C3 _' ]-63-ball VFBGA
" c5 F5 o4 | a- f& c
G2 c0 a9 W! R2 e- ]# ]& s7 }1 A |
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