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大神带你实战运算放大器设计
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0 X; m% e& o% O C0 q$ C2 L 本文主要讲了一下关于运算放大器设计的一些知识,希望对你的学习有所帮助。+ E( `' u. \- p8 a- |/ M, s
Q1:OPA内部是怎样构成的?
6 C. s* I1 b6 l# H4 I “就是一堆晶体管”
8 z1 n) H: S+ Z" A) o - 包含输入级,中间放大级和输出级。基于应用的话,不用特别关注内部的结构。
: I I; h+ e; w3 y4 O$ A7 H: ? - 同相端和反相端输入地方有等效二极管,就是所谓的ESD保护。一般运放内部都会做。输出端也有。但是因为做在芯片内部,所以能力有限,即最大通过瞬间电流有限。
; \/ \4 G4 K5 t 提示:芯片级的ESD等级和产品级的ESD等级完全是两码事,遵循的不是一个规范。- E" @: v1 K6 Y O
芯片规格书上,ESD指标虽然写着2kV ,应用到实际产品上,如果打2kV静电上去,是无法承受的。产品ESD遵循的是IEC61340的标准。所以,设计过程中,想要通过选择自身ESD高的芯片去防止浪涌,是不可取的。
# J' L/ ?0 p, ~ 所以一般芯片,用静电枪直接打管脚,能承受400v静电的已经算顶尖芯片了。有的芯片会直接标机器模式,通常就是400v和200v这样的值了。
/ q( k6 h+ Y9 v( e& y; n- ` Q2:OPA常用封装有哪些?
) h: I0 V& }7 H# Y" A+ L5 z 常见1/2/4路,常用封装基本都兼容。
& U) W/ m1 @5 W8 o4 K8 D7 s 小提示:设计时候尽量选通用封装,否则很容易是Single Source(独一物料,市面上没有兼容的),结果就是被供应商绑架。
7 G h7 E1 g; N+ a) C q% a2 X 日系的很多封装尺寸很怪异。跟欧美系的很多封装不一样。所以选日系芯片的时候,留个心眼,一不小心,就是single source了。
; B c2 f) g& v Q3:OPA都有哪些作用?1 d$ \7 ]* f6 M8 O; [
放大小信号(或缩小大信号)
$ n5 {7 m; F! n/ N% E, U+ ?; v- X 阻抗匹配 h' w( i9 B# q2 i$ |
信号隔离:例如跟随放大器3 M2 U8 U v7 y
滤波(低通,高通,带通滤波等):一阶滤波用的比较多,提示,网上小工具可以用来计算参数。
* A, y5 _" |. e 驱动:可以驱动音响,驱动视频设备伽马线,这些应用都要求瞬间输出电流很大。
6 }( c' v: l4 m# q5 H7 t7 l -运放驱动长线:线约长,分布电容越大,运放驱动容性负载,会产生震荡
+ d. A+ |+ b4 s' ?# u# J1 _1 d# m 做小功率电源
- r9 u5 I# g* G* U -一般运放输出20-30mA,跟I/O口差不多。
5 [! R2 o) o, i d- {% I3 W4 i -有些特殊运放能够输出1-2A比较大电流的,可以当做小功率电源用,很干净。但是不能做基准源,因为精度不够。1 P% n, q# `4 ?9 n5 G7 {7 ]
Q4:OPA怎样供电?: U2 \. I' o9 ?; d$ n, K# e# W
- 引用业内资深专家:如果一个运放都不舍得用LDO供电,还指望谈稳定性?
; q. }% C% I6 e5 r( m - DCDC都不可以,最好尽量是LDO,最次也得7805。
, F* k) n/ s3 @9 q Q5:OPA都有哪些类型?
" E8 ]7 q) N* b- i7 q 超低功耗运放(Nano Power OPA):几百nA
! L/ v e4 c9 C4 i! V 低功耗运放(Micro Power OPA):
/ e# F. A/ W. \6 Y8 M 高速运放(High Speed OPA):重点两个参数:增益带宽积(GBP)和压摆率(SR)
) {# p" ^' C) g0 \0 K+ D) y4 g 高精度运放(High Precision OPA):重点两个参数:Vos失调电压(低于采样电压的一半),温漂
9 [$ i% v8 q0 o+ C 低噪声运放(Low Noise OPA):常用于脑电波,心率,脉搏等小信号采集
# V6 ^0 O5 u& E- r/ v 差分放大器(Fully Differential OPA):输入共模抑制比足够大(有人拿高精度运放当做差分放大器,为了节省成本,但是效果不行。)2 D5 i/ r* s" v# z w- W- a
功率放大器(Power OPA):功放驱动! C9 m' Q8 |+ Z( {
音频放大器(Audio OPA):
( Y7 n4 F, f. E5 O- \2 [/ a9 E9 B 仪表放大器(Instrumentation OPA):共模抑制比很高。配合专门电路,能够有效去除共模干扰。
o3 Z: b4 e z( f; ~ 其他专用型放大器6 f4 Z3 ]" c! d! u
Q6:OPA常用的参数有哪些?( \( b. X) D+ {! c9 p
输入失调电压(Input Offset Voltage) Vos" ~7 O+ v- s2 w0 ~
输入失调电压的温漂(Offset Voltage Drift):对Vos的补充4 B+ @) v4 c) t
输入偏执电流(Input Bias Current)IB:
7 e2 o' J$ N7 b, K0 X2 ` 输入失调电流(Input Offset Current)Ios:是IB的补充
2 X7 X' R! O2 K4 {2 G4 g 共模电压输入范围(Input Common-Mode Voltage Range)Vcm:运放在某个供电下,同相端和反相端给到的最大信号范围。% K1 W4 f+ u" w S
输出特性(Output Characteristic)
( m! o0 K) O3 t8 N0 D 输出电流限制(Output Current Limit):关注这个参数,主要因为,有些应用要求输出电流尽量大,比如输出线很长(跳线连接两个系统)或者 负载输入阻抗很小。
: y/ ]; @& |. q& e! ^8 A0 _; x4 Q 小提示:如果用长线链接两个系统,输出要串个电阻:1)来限流。2)防止热插拔瞬间的浪涌。
; F n3 x) \/ h0 r8 a$ L6 R& \) r ESD和浪涌的区别。* |2 e0 M5 }! q3 @& t1 h; [
1) 浪涌持续的是毫秒级,ESD静电只持续微秒或者纳秒级别。/ b# p4 s4 C2 g% J4 e4 h+ i
2) 浪涌一般示波器可以抓下来。ESD静电一般示波器是看不到的。
, b3 _5 J8 H, w2 @4 _; r 工作电压范围 VDD& t) K5 C; e: P% q8 Q% B% S
静态工作电流(Quiescent Current)Iq' E4 C+ U' Q4 `) P0 P1 g- u7 P9 x
增益带宽积(Gain Bandwidth Product)GBP:对交流信号非常重要 ,直流信号可以不用关注太多。
: [' Y: e( p! ?4 S, x* D& ?* O 压摆率(Slew Rate)SR:GBP大,意味着SR大;SR值用来反映跳变沿快慢的。5 e! T# A. P. l: k2 R2 B% S$ n4 m
开环增益(Open-Loop Voltage Gain)Aol:常见120db;这个值越大,留给设计放大倍数的余量越大。也是交流特性,跟频率密切相关。, A1 }! f- B% a6 q, i5 Z9 t
电压噪声密度(Voltage Noise Density)en:( o5 w$ }+ X+ M" q% i' I5 L; J7 A
相位裕度(Phase Margin):越大越好,越稳定4 f( @1 @( I9 v' r3 [! K( Y
共模信号抑制比(Common Mode Rejection):反映了对共模干扰信号的抑制能力,值越大越好。6 D. W* l8 n. W8 B
电源纹波抑制比(Supply Voltage Rejection):反映了对供电端噪声的抑制能力,值越大越好。
) i9 `0 v* l- ?6 Y! d; H+ R e Q7:三极管放大能代替运放放大吗?
' O C1 J1 {: v3 [/ Q- F# r8 q# n Yes:运放内部本身就是一堆晶体管的集成,音乐发烧友所推崇的所谓“胆机”,很多就是用分立的晶体管、电子管所设计。
A! A3 Z! K, D1 c3 ^ No:但是三极管参数一致性差,放大电路批量生产良率低,需要微调参数,生产工艺麻烦。
# x3 y6 Z; y5 {8 I2 u( } Q8:什么是轨至轨运放?
; J3 h, `- c# H, ?. y 轨(Rail)指的是供电电压
2 {9 P4 r4 F" n! D/ b 共模输入电压(Common Mode Input Voltage)范围“包含(超过一点)”供电电压,即所谓轨至轨输入。* X! W- [2 C* c+ u% Q! Q
输出电压范围“包含(几乎达到)”供电电压,即所谓轨至轨输出。
3 S' P& D1 u& O0 B6 {1 z" f Q9:运放可以用作比较器么?0 Y- A. C8 e) ?! O/ j, g
Yes:
4 @/ K+ C6 g" g( r' V 大部分运放是可以再开环下工作的; l% y& \+ T9 t5 I. m0 w. M8 w& `
No:* I, [ v, U7 @, Z! Z& e
-有一些运放的同相输入与反相输入之间有嵌位二极管(差分二极管保护),用作比较器时(压差超过0.7v)会导致其中一个嵌位二极管导通,(如果源输入阻抗很低,可以供的电流很大)从而有大电流流过,甚至烧坏芯片。
5 n D+ b0 I% J. i( p (看差模输入电压范围,这个参数大,说明没有嵌位二极管。可以用。)0 Q* F2 a+ b" p' R
-反应速度慢,即使高速运放,也不够快。5 ]5 m( j. |$ r7 D- D/ _0 I
-稳定性不佳,过载饱和时恢复时间长。
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- 输出无法真正到轨 @( J* N8 |! ?9 o4 R8 G- X, {
输入级由于补偿电路作用,可以超过供电轨,但是输出级由于晶体管的导通内阻,无法真正到轨,会有几mV~几十mV的差距。. [: Y9 _9 q$ R W! ^* Z
- 输出误差和带负载阻抗相关:负载大,输出小,负载很重,输出到电源轨的差距就很大
: K& U d0 S5 X7 E. O Q10:怎样选择合适的运放?
) o# r* I% S- Z1 _ 直流信号:7 _1 u& a# J3 m& P! ^% M9 u6 l" O
- 确定信号具体特性:信号范围,精度。确定好这些参数,甚至就可以直接联系FAE来帮助选型。: }# b3 c& i9 y" h$ z
- 输入失调电压(Vos):根据信号最小值,来决定,通常取最小信号值的二分之一以内。例如,最小信号值是1mV,那就需要尽量选择Vos在0.5mV以内的。所有的运放都会给出该参数。着重看最大值,而不是典型值。
$ K: W5 s( @6 ` s q: p+ L - 温漂:看产品输出地点,环境温度可能不同。; |0 l3 f" F) \/ g
- 输入失调电流:如果传感器带载能力很差,即输出阻抗很高,输出电流小。对运放的输出失调电流就有要求了,要求输入运放的电流小,这样对原信号的分压就小。6 n. Z; S# \+ z9 |* d- C0 u+ F1 T
- 耗电要求
. a6 j ?3 J4 P- G K& @; H& O - 工作电压范围$ I3 T- u8 x$ I- E6 Z' C
- 输入输出特性: 是否轨对轨的?还是非轨对轨。
6 }& }& i; W; r4 V1 e. Y+ a 交流信号* b6 E8 i( U) p" T* c
-交流信号的具体特性
# G( H& N9 K0 G* P5 y* Y4 z -增益带宽:待处理信号频率X放大倍数 X系数(一般取5-10)<=运放带宽) q& E, B H3 I! [* w4 Z
-开关增益- d; S8 c: X0 a$ Q7 s6 ?1 W
-电压噪声密度4 x0 O! |1 }+ ^ M' T( G
-耗电要求
. H3 _" X$ w# C% ^+ _ -工作电压
& u0 E3 R! {2 l8 y5 H -输入输出特性 ' d3 l& {: p" n4 U9 i
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