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晶振这样走线有没问题啊?

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1#
发表于 2019-8-21 17:08 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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EDA365-电子硬件设计交流群
& c7 b' G" V& n; M: O红色楼主,蓝色群友)* o. y9 @# P/ M3 x, |5 t. I
! }( V9 R5 W2 `0 m1 {8 b/ E
蹦蹦:
3 A; D( g& L, N) ^ 9 g, d) ~  ~5 N3 O) a
; K6 O8 Z9 U9 z/ W. z
蹦蹦:, E8 X$ c2 E. P  L8 Y
晶振我这样走线有没问题啊
8 m! d3 i) [5 t: K( B2 R8 }, O( _1 x# x0 z$ h. n
孙宁:
3 U. z7 s, T# ]; e先到电容,再到晶振会不会好点?' r! b# A) Z/ U& q

6 j- Z; o: U' t* h0 p- S$ GRay:9 }3 f/ _) U0 q
π型滤波,先过电容再过晶振,最好内差分走线
* a$ c5 U, K/ Z! i6 ~
4 k# j& k" V. j蹦蹦:# \+ l# d! J" D$ s3 B

& u; S% D9 i* `5 l
" r/ b( L* b9 b- s7 j( j: I( q2 LLucifer:9 \- X& Q1 R& u# |% w
看下你的频率咯如果32.768k的话无所谓了哈哈哈
3 b1 J0 b2 Z& ?: l$ S
1 p2 H/ c* T* j( N$ p蹦蹦:
0 @0 Y: J, K3 ^0 B& M2 r* L  {& d我看的一个参考6 H: I# R; ^% B5 }) @8 \8 z4 r
8 c" a, r! v" D1 D0 E- `6 X
Lucifer:1 _& m6 C9 X/ G6 T
这个做了包地和外壳接地处理,教科书的情况
1 P( {0 o( Y5 }4 N" U# r5 G
6 T& L9 U! Q. X5 A8 D0 e* u' r4 ^7 M蹦蹦:
! r4 d4 p# `, {  E) |, E那我这个先过电容,然后晶振需要倾斜吗
8 @0 `/ z  \6 G: _! O9 y
4 z# t, C6 L$ bRogers:/ ~$ v- m" q: v7 F4 |" }8 {. t
你这么走问题也不大,但是最好是先过电容再到晶体@蹦蹦
1 l4 d1 J: f  {
# N6 ^& }! p3 T2 d6 H3 K8 ^: c( qRogers:
$ I- V! U! F; d这里不是滤波,属于振荡器的匹配电容
. j4 j3 L/ {  m7 s
. g) s0 F( [$ _6 e+ M& X. |Rogers:2 T+ I5 I6 u$ G4 y4 |
晶体下方铜挖空,然后做个孤岛会比较好$ K  K- P6 f% v( ]; s. o) O. N# T* B# _. V
5 b, e# B7 p: \
蹦蹦:
" G) @( B* |! {9 K3 E晶振32M
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4层板1 D+ I' u/ \# ]1 m

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, m$ J2 h. m7 M8 E8 T/ z
5 |6 R) B- Z9 E. }Rogers:
9 w, K7 g& {! b/ {2 E* Y7 a一般是这么玩
9 w& y) ]9 v6 F7 |8 z0 t' \7 {1 ^; g! L1 S" {  x
Rogers:
. _' F& E5 M) Q1 c% y# e: l如果有高温要求,再让厂家给你调一下负阻抗匹配,就ok了3 u) h1 d. v8 z7 B1 l
' q/ @( e, T# ~0 u: Q
蹦蹦:4 W# L$ q0 Q# i9 T4 C" F/ b
晶振下放所有层都不覆铜吗! N, u  U% r. E2 u
/ d/ b3 r/ r. o. ~5 `
Lucifer:3 P  s) y, M0 s0 [5 Z' _. P
看下你的走线。。。为什么歪歪扭扭的。。。7 S% ?/ k: s. P- C, k5 c
2 ~/ d% x6 q& ^- ~5 p. ]
Lucifer:
$ O2 o$ @. l% b& z2 k* F蹦,晶振下面不要走线
8 \5 h) B. ~) q: o% n' f' q( W& l+ J( u: Y% ~# B; ?
蹦蹦:
$ M/ l0 E5 d) ~. s; a我说覆铜- P6 g. E+ o+ M- P$ {* S) F

0 q, A# g9 L& \2 y# n0 t蹦蹦:& X9 |+ `, z1 L0 g8 K
我这板子四层都会覆铜
4 W5 Z& u: f7 d' E
* M6 {  g# I3 f" ^蹦蹦:2 j' r  E( V4 I: R
我看有的说法是走线不要从晶振内部过# f/ l# ]5 `4 J" T' K

  X9 N6 `& N. Q. V蹦蹦:/ N3 x# V* D7 d3 q( k# T

" l7 Q+ q- m5 y) R4 V! I" w+ C( x  g' D) G- V
Rogers:
/ L! v$ n: H4 M& F6 \0 Q. f% s$ F- r+ J问题不大8 F/ c0 e; ?- L( O$ d1 R. i
5 n5 r2 n0 y3 J2 t
Rogers:
$ g) @+ U! E8 G$ a走的是它本身的时钟引线2 h& O6 {2 k8 D7 r

) Z- B" S" x" i5 \# b( X4 a蹦蹦:3 v5 Z2 F4 }/ o8 f% i
需要等长不0 Z/ G, O9 o/ y$ g8 ]8 o( O

7 \; C# B9 g# {% }) ?Rogers:
0 B3 C( }8 _9 V! m2 e挖第一层就行,目的是为了匹配电容的准确度* U  B' L0 m$ P+ q* l. Z" L
4 S) r! x& [& G& x9 S
Rogers:
% d- J' f; Q% b' C7 s等长差分都不需要,当然你别拉太长就好
3 R, S5 Z; G4 {5 B
2 ]; k6 l* |. J7 aRogers:7 l" {6 i+ X7 B/ _
有高温要求需要做负阻抗匹配,这个很重要& z5 b$ j6 p9 P

1 f% m" d) {9 K( G5 w蹦蹦:
- U5 F& c1 V* o( v包地是要的吧
/ f% l# C7 Q3 ~$ M6 b5 c9 v4 g
; e% l- c" t( N) m2 _* e. I$ W6 L. lRogers:
, A. m+ \+ W" |包,但是我们的一般做法是直接过孔到内层地,不连接表层的覆铜$ C7 X3 I& _$ w& E. _  a/ Z
' b0 l  x" b7 H$ Q
Rogers:
7 X! i. ?  B7 F, d7 f  K这样可以减少时钟的干扰对表层器件和走线的耦合+ R9 W7 @* L" c# Y

, }4 b9 U3 {! Y9 U( u- [蹦蹦:
6 b) d9 u8 E& e9 G; t$ U8 p可以# j8 R2 S2 G# I

0 M$ ?  e) B. j6 U, e
0 b4 Z) e0 z9 ?7 Y

该用户从未签到

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发表于 2019-8-22 14:13 | 只看该作者
不管是挖空地平面,还是先过电容等等,都得弄清楚其中的原理:
/ f% C  z& _" X" Y" C1 o0 r& N1.晶振需要容值准确且Q值高的电容,PCB走线或者pad电容都会增加电容且减小Q值还会增加电容温度系数,所以尽量减小走线电容。
2 R9 d: w, x+ |( Z$ b: U' G2.晶振需要恒定温度减小温漂,所以晶振必须离发热量高的IC远,很不幸很多时候就是这个IC接晶振,所以走线长度得妥协处理。! n: F# @% U9 ]. ?  X
3.晶振怕干扰,可能会导致相噪增加,所以得包地处理,走线下面最好有完整地,且要和表面的其它地隔开(如果表面地不干净的话)。而且挖空地层的做法也对抗干扰不利,所以挖多少层地,都得妥协处理。
: u' `  }$ n6 v  I2 m; P% d

点评

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支持!: 5
赞一个  发表于 2019-8-26 17:34

该用户从未签到

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发表于 2019-8-22 09:32 | 只看该作者
之前也这么布线过,晶振频率≤50Mhz,没有问题。查看过老产品其他板子的布局布线,也有 先经过低频率晶振(≤20MHz)在过电容的,连线特别短。在实测的时候也没有发现问题。还是应该详细看看晶振和主控芯片端口的设计要求。
  • TA的每日心情

    2020-6-21 15:40
  • 签到天数: 44 天

    [LV.5]常住居民I

    4#
    发表于 2019-8-22 09:03 | 只看该作者
    学习学习,学到了

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2019-8-22 11:34 | 只看该作者
    頻率低,應該是沒有問題才對

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    7#
    发表于 2019-8-22 11:41 | 只看该作者
    线要宽   线长要短、。包地,单点接地。

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2019-8-22 13:16 | 只看该作者
    线要加宽一般大于>8mil   线要短,j尽可能的靠近芯片、立体包地,周围加地过孔。

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-8-22 21:21 | 只看该作者
    要先经过电容,外部电容可以调整晶振的频偏

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    11#
    发表于 2019-8-23 08:42 | 只看该作者
    没有问题,实际验证电容在前还是在后都是没有问题

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2019-9-11 11:34 | 只看该作者
    要求不高问题不大:常规不同的芯片要求不同,晶振线路不需要走直角和靠近音频等波动大的线路!

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2019-9-11 11:57 | 只看该作者
    我来贴张高通的晶振要求图片L5层
    - R4 @# U% `+ d. y- F( E3 W( D* W- V; w8 C
    L4层
    8 q& j' P" y$ f( l! k4 G2 R三层单独跟外界有个隔离,周围打孔5 |! ?# |* i* [' I+ |1 T, ~) E; {
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    2020-7-3 15:14
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    [LV.4]偶尔看看III

    15#
    发表于 2019-9-11 15:15 | 只看该作者
    先过电容,再接晶振,晶振包地不和其电容地或其他信号地相连,且晶振下方所有层铺地
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