静电容量测定的注意事项
, f$ O/ M3 |' j- ~: ^! S# y# V积层陶瓷电容器(以下、简称为MLCC)的静电容量在测定时、发生过如下问题吗?
来解决问题吧!!
※点击可移动至各个项目。
| 温度补偿型(低容量)MLCC在静电容量测定时、7 X, x/ r3 {& K6 _/ j7 n
测定值比公称值或大、或小。
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6 V3 z6 R& v& h; m: M2 M! u/ L | # D8 D6 \# Q! n5 \
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| 高介电常数型(大容量)MLCC在の静电容量测定时、. G; Z* M+ [0 ^' h9 ^+ \, E8 Q
测定值比公称值小。
2 Q" ?. `* W% B _! n5 q% c }4 } | ! m) {$ Z I$ m5 r
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※关于静电容量的测定条件、请确认详细的规格表。. { D$ _- a* j8 S, S8 e
※关于静电容量全般的测定、请参考资料『电容器的基础 【第7讲】 陶瓷电容器的静电容量测量法』
温度补偿型(低容量)测定的注意事项 | | |
温度补偿型(低容量)MLCC在静电容量测定时、
+ |& Y( n }5 ^& o- O测定值比公称值或大、或小。- G! W7 b" h8 h( O7 m
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/ G4 t( x3 B0 }; o# A9 U2 ] | 1 |$ \- v7 U$ H
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按以下顺序进行说明。
1)测定治具的“O”补正是?
2)OPEN补正时的端子间距离和静电容量测定值
3)静电容量测定值的变化理由
4)测定时的注意事项
8 l2 e- h( |2 C! r6 e) o# y
1)测定治具的“O”补正是?
% M- Q9 Y1 S+ m+ A1 k0 ^+ G7 l1 i①如下图MLCC在测定时、会发生
・测定线上串联电阻以及电感
( ? [2 w! n6 z7 d# d- a E) }. t$ h・MLCC夹住时测定端子间的浮游容量
4 a2 ^# N7 M$ Z2 t8 I, X: a
造成不能准确的测定MLCC的静电容量。
. [' ^9 Y' i0 u( V所以、为了消除这些影响因素的行为就称为『测定治具的“O”补正』。测定前的OPEN补正、SHORT补正就属于此补正。' u* ?8 b4 _+ i3 Z
7 @% e0 w0 N/ U$ n2 `0 v. J②OPEN补正是把MLCC夹住时测定端子间的浮游容量消除、SHORT补正是把测定线上串联电阻以及电感消除
" J5 x, K" \* i; a% y D
③在OPEN补正、SHORT补正后、MLCC测定精度可以得到确保。
) z3 K" Y% g; n7 Q9 i5 ]
1 j: S' H9 B+ C+ w# N
3 y+ l% k. |/ U# j. M2)OPEN补正时的端子间距离和静电容量测定值
; [! \2 d) m- L以1pF的MLCC静电容量测定为例、改变OPEN补正时的测试治具端子间距离然后确认静电容量
9 u S4 ~4 B+ ^9 B' |% d* o C' B结果、OPEN补正时端子间距离比MLCC的L尺寸越大静电容量测定值也越大、比MLCC的 L尺寸小静电容量测定值也变小。# G0 e% |, i1 N2 T: M* r
■测定条件
' J0 r; s: p( I3 s4 L+ r型号 :GRM0334C1H1R0B5 x+ A2 D, L: Z7 O
測定器 :HP4278A
/ ^; h/ M3 g3 L% O測定治具:HP TEST FIXTURE16034E(挟み込み型)4 |1 m, S1 f/ s- x6 Q' c
条件 :1±0.1MHz/1±0.2Vrms
* |2 d* o# h/ P* ^6 `5 t6 w8 k# ]; k. b! o* h5 v- [4 W; g
3)静电容量测定值的变化理由
5 N3 d3 R2 ~/ a: [5 a■为何OPEN补正时端子间距离会使静电容量测试值产生变化呢?
| | 金属和金属间存在绝缘体的话就会产生静电容量。& U! X1 u% T+ ?% v6 A
因为空气也是绝缘体所以测定端子间会发生静电容量。
" [' ]5 B0 T# `6 F6 A
0 d4 N) H! s, K* }4 D# z/ P金属和金属间的距离越短端子间静电容量越大 |
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) W& o4 ?4 `3 ?1 R4 F■OPEN补正端子间距离和静电容量测定结果
: w6 m- y V- b2 j6 v7 u
9 o% I. `' |/ ], \3 r: y
4 g' u6 l1 u. c, r, ~3 T' i: j I! M6 j* N
. r8 `/ N4 s# T3 V7 @" A4)测定时的注意事项<OPEN补正时的重点>OPEN补正端子间距离和静电容量测定结果
OPEN补正时的端子间距离、请和瓷片的L寸法一致。
7 X# `2 r+ g0 n" b& p1 o8 g$ s4 J9 B# h* z: Y5 Y2 ~
测定治具端子间距离长的情况下进行OPEN补正、补正时的浮游容量比实际的测定时的静电容量小。 |
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C=ε・S/d ・・・・・ 式① d变大的原因# u2 g. [+ ?8 Z& U
# l3 m& ?# w5 H$ W1 o" d) bC :浮游容量(静电容量)
+ A: n/ m3 {# z2 |1 i1 M4 I3 Oε:诱电率
; M& g* P6 q$ f* `1 ?- m1 v4 DS :电极面积3 }; K- w8 F |: c1 m) y
d :端子间距离(电极间距离) |
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4 t' U% U7 M, f
5 v1 Y1 u+ r! k) T
OPEN补正端子间距离和MLCC L寸法不一样的状态下进行补正、治具自身的浮游容量就不能得到正确的0补正。
8 C5 G. C3 s( v5 `- M) B/ O" [1 Z6 T; c6 U7 \$ m
OPEN补正时端子间距离比MLCC L寸法小、导致治具间的浮游容量比实际大的情况下0补正、结果补正后的测定结果变小。" H3 C8 U3 e8 l r" n% o* O
' Y$ h8 m+ W6 V4 O I5 u
相反,端子间距离比MLCC L寸法大时、补正后的测定结果变大。
) i- S; f$ n/ G i( u( hOPEN补正时端子间距离的偏差、比起使用夹具型的测定治具(例如Agilent16034)、镊子型的治具(例如Agilent16334)的偏差要大些。
" n# T! j6 A. g1 l" R( _. Y6 ~- ^# l$ s; i4 X _% n# M* @5 z
镊子型的治具和夹具型的相比、测定端子先端的面积(式①的S)大、所以因端子间距离的差异而产生的静电容量测定值的变动也大。1 @9 t& ?; z k, @8 G- C, c* p
. p j7 N Q$ u& R1 X! ?
6 N$ ^, u3 D t; D/ ~' |' w( B1 n6 _ D V" ]
# {4 q2 ?3 v8 t6 j1 w+ p$ l& ^
高介电常数型(大容量)测定的注意事项
' F5 w( O5 Y9 ]4 o; G高介电常数型(大容量)MLCC在の静电容量测定时、
. i, O; G1 E8 n. G( B测定值比公称值小。 | 6 ~" P, N. f8 {* q# x
| % {3 q1 F& j; }# B
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按以下顺序进行说明。
1)大容量MLCC的测定事例
2)静电容量测定值低下的理由
3)测定时的注意事项
. y9 U! |2 |9 ?$ Q
: T) T% @) T+ l" V& E n( _1)大容量MLCC的测定事例6 R K8 C A0 B9 A
大容量和非大容量MLCC在ALC (Automatic Level Control )ON/OFF的状态下测定静电容量。结果如下。
4 u. ^( U/ p" I8 k S8 w6 \0 i1 w
■测定条件
型号:GRM188R60J106K/ GRM188B11H103K
3 _8 c6 n, s7 F3 Y) B, k测定器 :Agilent E4980A
" R$ v. `4 C, S* d+ E! i' e% ?( E测定治具:Agilent TEST FIXTURE16334(镊子型)
9 q: s9 c9 d( F
条件 : GRM188R60J106K;1±0.1KHz/0.5±0.1Vrms
0 ~" b( r3 K" V" a3 C! {
GRM188B11H103K;1±0.1KHz/1.0±0.2Vrms
6 E2 X" a; ^5 X0 @
⇒大容量的静电容量测定时、ALC 设定OFF与ALC设定ON的状态下相比,静电容量测定值要小
( q! h& {& r$ I3 |( @! E% Y0 s$ A k5 d8 P
■静電容量測定結果
' ]& h% ]& N+ `
8 w7 ^, L0 o; `/ c5 C% ^9 @( a
0 Z; W- ]- P* q& C B8 a+ x; D
) H! m2 C8 x# t2)静电容量测定值低下的理由
0 \3 h; A# e2 L& \! J各种情况下用
万用表测试测定电压的结果如下。
, h2 Y6 g; a; [- G1 H1 f
对于大容量MLCC、ALC 设置OFF时测定电压值不满足测定条件
& ~! P5 ~7 W5 O5 l, R
■測定条件:1±0.1KHz/0.5±0.1Vrms
■測定条件:1±0.1KHz/1.0±0.2Vrms
# }/ R9 v/ i9 [! b A2 r7 y3 T8 q" n. a C
, g5 E0 b4 D; T0 c+ Z/ C' H3 w& u/ j+ P4 X: w
# o$ _, c+ r2 @# q3 b0 x3)测定时的注意事项5 ^1 m, I! S' ?8 u. J
■静电容量低时、准备好万用表对测定电压进行测量。
2 R0 J, w) l7 g& Q: i7 X: i
如果、测定电压比规定的测定电压小的话、
7 _2 C* T/ D, @1 W. Z
. l5 D% b5 w0 Q+ Z% ] l①设定ALC ON
$ S. M7 W+ S6 g! w②使用能发生规定电压的测定器
) A- |; B7 w+ O. A% z3 C/ d
- R, T$ B f# o5 c# j
测定电压在测定时、如下照片把万用表搭在测定治具的两端。
$ C) x* G, p: L; T( `: M9 H
6 F. C" p [- d9 t. r+ D
7 \: f; |: s j, Y
关于高诱电系积层陶瓷电容的老化
' E6 m7 Q: M& b/ j
. g. I& F* b! y- M0 @+ k高诱电系陶瓷电容器,主要构成成分为钛酸钡(BaTiO3)。本系列电容器具有静电容量随着时间的推移而变小的现象。这个现象就叫作静电容量的老化特性。
BaTiO3系是下图1所示的钙钛框形结构,在居里点以上温度时,就是这样的立方形。
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图1:BaTiO3 系电容器的结晶构造
: P( M# [7 c- Z1 I; h3 `9 }, E | 图2:随温度结晶构造及介电率的变化(BaTiO3系)
( D9 I3 D* ?; r2 T |
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( ^0 X; S$ Y' w- }1 ]6 L
BaTiO3系陶瓷电容器加热到居里点以上时,结晶构造由正方晶系转变成立方晶系。/ x2 I( W5 E0 t+ C4 _+ w3 u
冷却到居里点温度以下时,结晶构造由立方晶系转变成正方晶系。(图2)
总之,结晶对的微细构造加热到居里点以上温度时,就能恢复到最初状态,老化也就再次开始。
. _3 C# b0 Z8 X
- S; |1 |* s7 A" |5 S4 u由于老化减少的静电容量,在贵公司安装工程的加热过程可以恢复。
$ O% Q; [* E( u, i$ A
[补充资料]
高诱电系的积层陶瓷电容器的静电容量,以经过125℃以上的热处理24小时后的值作为基准,与时间成对数关系直线性下降。请参考如下本公司制品静电容量老化特性的代表例子。
& z( Q* N' Y& C! c q& c/ T
- e. V& q, K9 e* ~. p" t
补充资料/ GRM188B11H103K测定比较
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5 y) ~, \% D# [1 ~6 m2 l, |