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本帖最后由 Allevi 于 2019-8-30 11:19 编辑 " n. ?$ a& [7 m6 r# C9 N& A
_% m7 k0 J' p2 V. R1 ~5 A大神的64个开关电源设计技巧(二)
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( ?0 R: b3 h% o) Q
3 A3 m; T. B8 z34.结构设计,AC PIN焊线材的需使用勾焊,如果不是则要点白胶固定。
: Q' r. d' P$ N$ ]7 R/ V/ j1 {, a8 u- S7 W9 w- a
经常被第三方机构退回样品,整改
% S) X! @' T& X: L9 L9 P35.传导整改,分段处理经验,如下图,这只是处理的一种方法,有些情况并不是能直接套用
) ?& y8 p( P/ I- f8 \: I4 ~# l( t0 @1 u, l: W3 R
36.辐射整改,分段处理经验,如下图,适合一些新手工程师,提供一个参考的方向,有些情况并不是能直接套用,最主要的还是要搞清楚EMI产生的机理。 ( W' Z2 @' _* @) ~& d* m1 s0 p- N2 y
$ N% H# D. Q$ u
37.关于PCB碰到的问题,如图,为什么99SE画板覆铜填充的时候填不满这个位置?像是有死铜一样
) n8 T9 g9 @& u7 L) i7 V' A5 x9 Y+ g Q( E$ G
D1这个元件有个文字描述的属性放在了顶层铜箔,如图 0 ?7 ~4 Y7 Q% X8 O1 `' X
3 i9 P5 X$ d+ f' f% t) Y
把它放到顶层丝印后,完美解决。
8 D+ T/ H, q! ^$ w. K3 u# m! u2 @/ D/ s) e
38.变压器铜箔屏蔽主要针对传导,线屏蔽主要针对辐射,当传导非常好的时候,有可能你的辐射会差,这个时候把变压器的铜箔屏蔽改成线屏蔽,尽量压低30M下降的位置,这样整改辐射会快很多。 2 A+ J# P5 a. _
EMI整改技巧之一 $ I& i$ z1 T- @( A* B2 J% r
39.测试辐射的时候,多带点不同品牌的MOS、肖特基。有的时候只差2、3dB的时候换一个不同品牌会有惊喜。
5 F7 l: B2 P! gEMI整改技巧之二 8 F9 O. R$ x* M: K: {6 k
40.VCC上的整流二极管,这个对辐射影响也是很大的。 # C; y2 T0 ^1 O. D9 g
一个惨痛案例,一款过了EMI的产品,余量都有4dB以上,量产很多次了,其中有一次量产抽检EMI发现辐射超1dB左右,不良率有50%,经过层层排查、一个个元件对换。最终发现是VCC上的整流二极管引发的问题,更换之前的管子(留低样品),余量有4dB。对不良管子分析,发现管子内部供应商做了镜像处理。 6 \" I% R2 A& b" p
41.一个冷知识,如何测量PCB的铜箔厚度? / h- _( Y. f# }. G/ Z0 c" a: V m+ L
方法:在PCB板上找一条光滑且长的线条,测量其长度L,再测宽度W,再用DC源加1A电流在其两端测得压降U - W6 Q# M T X+ G
依据电阻率公式得出以下公式: 例:取一段PCB铜箔,长度L为40mm,宽度为10mm,其通过1A电流两端压降为0.005V,求该段铜箔厚度为多少um?
# E) h1 G# r# O" {2 r42.一款36W适配器的EMI整改案例,输出12V/3A,多图对比,整改花费时间3周。
, l# {$ `* v0 Y3 J9 N/ d# O/ o& j. n变压器绕法一:Np1→VCC→Ns1→Ns2→铜屏蔽0.9Ts→Np2 - M9 M$ d! N+ ~
PCB关键布局:Y电容地→大电容地,变压器地→Vcc电容→大电容地 - g3 s" a* J) s/ I: [( n
注:变压器所有出线没有交叉
9 q- q6 Q! p( F9 Z- I) ]9 R, r9 n图一(115Vac) ) v1 P$ _. {; E1 n) Q6 r3 t
图一所示可以看到,130-200M处情况并不乐观; / J0 M5 @" o; T( [
130-200M主要原因在于PCB布局问题和二次侧的肖特基回路,改其它地方作用不大,肖特基套磁珠可以完全压下来,图忘记保存了。 / B' V: S6 K) _
为了节约成本,公司并不让我这样做,因为套磁珠影响了成本,当即NG掉此PCB布局,采用图一a方式PCB关键布局走线。
' u- R# i6 Y- Z变压器绕法不变:Np1→VCC→Ns1→Ns2→铜屏蔽0.9Ts→Np2 % U9 J8 F- X8 b4 e) t6 X; z
PCB关键布局:Y电容地→变压器地→大电容地
6 C2 w/ _+ ]5 U" `! G( |注:变压器内部的初级出线及次级出线有交叉
+ R; p( n) C+ a9 U% P# Z4 H9 W ]5 F4 U+ a& n* s% ]8 ]9 h" j0 F
图一a (115Vac)
K! n( ]' C) v$ |: m) R# f- g图一a可以看出,改变PCB布局后130M-200M已经完全被衰减,但是30-130M没有图一效果好,可能变压器出线无交叉好一些。仔细观察,此IC具有抖频功能,传导部分频段削掉了一些尖峰;
+ Y3 t) @8 t2 k: J图一b(230Vac)
7 }9 [' j. [2 V3 w/ L. J图一b可以看到,输入电压在230Vac测试时,65M和83M位置有点顶线(红色线) 6 f* \1 O; n+ a' F' Z* d) o& K
图一b-1(230Vac) & X. [$ E$ J; z y7 r
原边吸收电容由471P加大到102P,65M位置压下来一点,后面还是有点高,如图一b-1所示; : O. ]6 `2 P; o
图一b-2(230Vac)
: ] E4 n+ v: p' o5 E7 K$ \; p变压器屏蔽改成线屏蔽(0.2*1*30Ts),后面完全衰减,如图一b-2; ) C5 e, ^9 S( b2 a% H( ?! {4 Y- q
图一b-3(115Vac) % y& w; D$ W$ ^7 `4 A0 B
115Vac输入测试,后面150M又超了,发克!高压好了低压又不行,恼火啊!看来这招不行; 2 y0 V" s( ^# g8 o; E, i% ~$ \
图一b-4(115Vac) r' K1 `2 C5 M
变压器屏蔽还是换成铜箔屏蔽(圈数由0.9Ts改成1.3Ts),效果不错,如图一b-4所示。 3 s0 s; h3 Q. J# x* T" w
图一b-5(230Vac) ! Q. C% }2 h" {- L' l; g
115Vac输入测试,测试通过。
8 F" x3 s, f/ H1 ^* @1 w7 p结论:
' ~1 J }% R d5 A) M0 q) d一:变压器出线需做到不交叉; $ k% E/ c5 }0 @ d( ~4 K6 Z( b% n
二:Y电容回路走线越短越好先经过变压器地再回到大电容地,不与其它信号线交叉;
/ a0 @: ?% K8 y# G$ @43.一款48W(36V/1.33A)整改EMI案例,仅仅是调整了肖特基吸收就把30-40M压下来。 ; L# H, l1 D. O2 N' f7 H( W/ q" c
115Vac低压30M红色顶线 230Vac高压30M红色也顶线 8 P9 H0 J- n s6 A& u
调整肖特基吸收后:
( r+ ~' D1 H& d- a. w115Vac低压,走势图非常漂亮 230Vac高压,走势图非常漂亮
& _9 j3 ?2 D+ _( l44.安规距离一览表。 ; p! s8 v9 h% F5 q2 D4 n' v
: u f8 H. _ I5 b* D45.刚入门使用CAD、 pads上容易遇到的问题。
) a3 O4 Z+ i+ @+ P, Ca..PADS画好的PCB导出为DXF文件,CAD打开后是由双线组成的空心线段,如图: 7 }2 G0 V, W- J8 C6 a; k w6 v; }# f
# Z' F( F4 H- e. B: }
刚开始不会时,是用L命令一根一根的描,狂汗 。。 0 c) r- O3 B" T& V9 u2 R6 b
使用多次后,解决方法是使用X命令就可以变成单根线 2 ~/ R. b) X) e) E% w* s; [1 s9 D* s
b..CAD图档线框转PADS做PCB外框图方法:
9 b6 g9 A0 F; S$ m+ n/ L, B2 v4 nstep1.在CAD里面刪掉沒有的线,只剩下板框,其它线也可以不删。
- Q; y, B. c6 k( d: R$ Astep2.在键盘上敲PE,回车,鼠标点中其中一边,再敲Y,回车,再敲J,回车,拖动鼠标把整个板框选中,回车,按Esc键退出此模式。
) Y7 h6 N! o- n# m8 K! Lstep3.比例调整,SC 按空格,选取整个板框,按空格,任意地方单击鼠标一下, 比例: 39.37 ,按空格。 , W4 T9 [* O' @5 t4 R7 X4 D
46.在画PCB定义变压器脚位时,要考虑到变压器的进线和出线是否会交叉,因为各绕组之间的绕线在边界处存在有45-90度的交叉,需在交叉出线处加一个套管到pin脚。 9 t- O' O" r% F( u6 |6 |
8 [6 t+ H( T5 G0 S: F. \
47.PCB的热点区域一定要远离输入、输出端子,防止噪声源串到线上导致EMI变差,在不得已而为之时,可增加地线或其它屏蔽方式进行隔离,如下图增加了一条地线进行有效隔离。 % q( u" x P" g- J
; ?0 d) V% N. [ V需注意这条地线的安全距离。 * k, k6 Y6 \% `0 I* U7 h$ d+ D6 k
48.驱动电阻尽量靠近MOS、电流采样的电阻尽量靠近芯片,避免产生其它看不到的后果。
) o$ K/ M, Q0 i; C' EPCB布局铁律
' k% _0 s$ b# z' y49.分享一个辐射整改案例,一个长条形散热片有2个脚,2只脚都接地,辐射硬是整不过,后来把其中一只脚悬空,辐 射频段变好。后面分析原因是2只脚接地会产生磁场回路。 ; w# O3 m- `6 \/ r9 v
这个整改花了很多钱 9 W S0 G ^" W' u* o6 M4 g. \
50.配有风扇的电源,PCB布局要考虑风路。
$ k5 l/ g! I! m一定要让风跑出去
6 t" X l( v5 z# x0 C, K+ B ]51.棒型电感两条腿之间,切记,切记,切记,禁止走弱信号走线,否则发生的意外你都找不到原因。
* [* p* Z7 A4 c, [3 M# C& {! x切记,以前在这上面吃了大亏 ' S7 }4 p: v+ e2 ]8 }5 @
52.变压器磁芯形状选用小结 4 P# p0 x/ _- }# ?7 s, \5 Y% s
a..EE,EI,EF,EEL类,常用来制作中小功率的变压器,成本低,工艺简单 ! R. _, D; q. v- ]! f1 Y) z; F
b..EFD,EPC类,常用来制作对高度有限制的产品,适合做中小功率类 0 R% L' T) Q5 S0 X# @ p
c..EER,ERL,ETD类,常用来制作大中型功率的变压器,特别适合用来制作多路输出的大功率主变压器,且变压器漏感较小,比较容易符合安规
' u& U$ B$ v. F: wd..PQ,EQ,LP类,该磁芯的中间柱较一般的磁芯要大,产品漏感较小,适合做小体积大功率的变压器,输出组数不能过多
0 j7 N8 X+ V( x4 de..RM,POT类,常用来制作通讯类或中小功率高频变压器,本身的磁屏蔽很好,容易满足 EMC特性 0 l0 {* s3 ]+ d) R* u5 E0 G. x
f..EDR类,一般常用于LED驱动,产品厚度要求薄,变压器制做工艺复杂
: Q J% X% g+ ~( n" s5 u53.某些元器件或导线之间可能有较高电位差,应加大它们之间的距离,以免放电引出意外短路。
- c+ a. `( v. s: G% j如反激一次侧的高压MOS的D、S之间距离,依据公式500V对应0.85mm,DS电压在700V以下是0.9mm,考虑到污染和潮湿,一般取1.2mm
2 g: e3 n- g, H) e( A! b5 I% x54.如果TO220封装的MOS的D脚串了磁珠,需要考虑T脚增加安全距离。 7 q9 U* j. E9 [% e. k
之前碰到过炸机现象,增加安全距离后解决了,因为磁珠容易沾上残留物
t) R6 _8 U _* l) _55.发一个验证VCC的土方法,把产品放低温环境(冰箱)几分钟,测试VCC波形电压有没有触发到芯片欠压保护点。
2 ?# P, m$ y* M0 Q! ]8 ~小公司设备没那么全,有兴趣的可以做个对比,看看VCC差异有多大
1 P. n3 Y/ b5 {6 q4 u6 P关于VCC圈数的设计需要考虑很多因素 ; E2 g, k; n, D7 U: O. w/ M
56.在变压器底部PCB加通风孔,有利于散热,小板也一样,要考虑风路。 6 K ]! l: w; b g; f+ F6 [
在安规认证,变压器温度超了2度左右时,可以用这个方法 3 O/ x5 i2 R: x+ g
57.跳线旁边有高压元件时,应要保持安全距离,特别是容易活动或歪斜的元件。 8 x8 s" X: @/ y/ w% p
保证产品量产时的稳定性 5 r- R7 B2 a: d! ^, Y h+ F: K
58.输出大电解底部不得已要走跳线时,跳线应是低压或是地线,为防止过波峰焊烫伤电容,一般加套管。 $ G! f- r0 Z0 C+ s/ l6 v. B6 c9 Y
设计的时候尽量避免电容底部走跳线,因为增加成本和隐患
' I1 f; y' Y! t9 p3 Q* G' ]9 O, I: N+ G59.高频开关管平贴PCB时,PCB另一面不要放芯片等敏感器件。
- L6 B7 ]: e$ g理由:开关管工作时容易干扰到背部的芯片,造成系统不稳定,其它高频器件同理 7 o* K! J0 W1 l7 r: g
60.输出的DC线在PCB设计时,要设计成长短一至,焊盘孔间隔要小。
, K" n( D% D8 V% h8 B& X& S理由:SR的尾部留长是一样长的,当两个焊盘孔间隔太远时,会造成不方便生产焊接 : q+ t8 F# a# W |/ i$ r
61.MOS管、变压器远离AC端,改善EMI传导。 0 Z! Q+ |% H5 k( j+ d3 e1 _
理由:高频信号会通过AC端耦合出去,从而噪声源被EMI设备检测到引起EMI问题 " T9 l' {6 |! f2 g
62.驱动电阻应靠近MOS管。 6 C! A) b& c$ P6 d
理由:增加抗干扰能力,提升系统稳定性 1 f* `+ g O1 E: Z
63.一个恒压恒流带转灯的PCB设计走线方法和一个失败案例。 ! }6 G5 E8 J# D$ A: u: t; S% x+ _' E
PCB设计走线方法请看图: * t! a C; e0 r) ~
! ]9 F: d) V! m(a) 地线的Layout原则 : X5 r6 y; V f; D; B( |& H
如(1)(2)(3)绿线所示,R11的地和R14的地连接到芯片的地,再连接到EC4电解电容的地。注意不可连到变压器的地,因为变压器次级A->D3->EC4->次级B形成功率环,如果ME4312芯片的地接到次级B线到EC4电容之间,受到较强的di/dt干扰会导致系统的不稳定等因素。 $ m- b! o/ y0 X6 @6 x5 ^8 E+ H
失败案例: 6 C5 t/ C3 G- {" X; f
$ [0 g; r9 z+ G* F. E造成的问题:转灯时红灯绿灯一起亮,并且红灯绿交替闪烁。 3 H, k. [5 n, ^6 H
整改措施:
- v9 r5 }$ e# `通过断开PCB铜箔使用一根导线连到输出电容地,隔开ME4312B芯片地,如下图:
9 g; T% }( b$ S" v; {7 I# b0 k* D/ ~" D" L+ ?* h& N; a
通过以上处理,灯闪问题已经解决,测试结果如下: 5 R: d& ?* l& j
CV15V 1.043A CV14V 1.043A CV13V 1.043A CV12V 1.043A CV11V 1.043A CV10V 1.043A CV9V 1.043A CV8.5V 1.043A 1 P3 b3 J U. {$ L; q
CV8V VCC欠压保护
8 n, { d: a: [3 \3 J: f7 `9 V0-94mA转绿灯 96mA以上转红灯 % u& m* n2 t( ^7 k0 ^
转灯比例 94/1043=9%,转灯比例可以控制在3-12% - i1 c: `3 W. |/ P a! A* [" W
64.一个最近贴片电容涨价的应对小技巧,贴片电容都预留一个插件位置,或104都改为224P,这样相对便宜很多。
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