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其实你可以打开一个ibis模型1 _ n, u. G' @
查看一个IO buffer的[Ramp]波形7 \) [: o' j5 _/ `( c2 K
你会发现有三个波形,对应这里的Typ、min、max
7 l: `) Q2 a+ y _- A它的dV值是不同的,因为三根曲线的幅值就不同
+ y0 f5 [* H1 q% `0 N+ m所以它的20%~80%电压就不同3 l1 @' h4 R9 M. [( W
当然三根曲线的斜率也不同/ L H- @4 r1 x' p ]4 D
袁荣盛 发表于 2009-7-7 12:43 ![]()
7 V2 B `9 s5 {, {/ e谢谢这位兄弟,我对这个参数是这样理解,不知对不对
7 d$ U6 O5 E3 w0 \从[Ramp]参数可以得到四个信息:tr(20%-80%);压摆率;输出电压稳态值;buffer的输出阻抗信息。
/ M0 r- u# x6 v# i: lbuffer输出电压的稳态值等于输出阻抗和50ohm的分压,因为typ、min、max情况下的输出阻抗的不同,因此稳态值也不同,从而dV=(20%-80%)*稳态值也不同。
: Q1 L5 g: E! [" B: v$ `- z$ u这里的稳态值就是iBIS spec中的 Voltage swing。
+ U3 v6 u4 v0 @* Z; O; G8 m p/ p @$ T7 Q- }0 E5 {( y
下面是IBIS spec中[Ramp]的说明,1 F' I' M1 d0 @& } k* b
7 ]) Q; ^- C CKeyword: [Ramp]/ s/ b4 u) H1 U5 q) S0 H0 n+ j
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$ O5 z5 I4 S! {* v4 x| Required: Yes, except for inputs, terminators, Series and Series_switch
! a& u" g$ r+ |: e$ z1 V5 H| model types
3 \4 \# \0 R' {+ R| Description: Defines the rise and fall times of a buffer. The ramp rate; @5 M( d. }8 f1 T
| does not include packaging but does include the effects of the
+ g1 K) N4 t0 T| C_comp or C_comp_* parameters.( M( ~8 R# y3 h! Z
| Sub-Params: dV/dt_r, dV/dt_f, R_load
8 s3 C; s h5 H% q| Usage Rules: The rise and fall time is defined as the time it takes the
i ^0 j7 x: h8 S| output to go from 20% to 80% of its final value. The ramp( Y: c9 A3 X* r$ ?2 F
| rate is defined as:
3 R/ k+ I* m* t3 k0 d e|7 k+ q7 V, s% ^0 T3 |: H6 N
| dV 20% to 80% voltage swing
( g9 |- R! o; R6 v4 C) q7 ]| -- = ----------------------------------------% z& [& t4 B0 i
| dt Time it takes to swing the above voltage |
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