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其实你可以打开一个ibis模型6 b, Y) A7 r. l* }
查看一个IO buffer的[Ramp]波形4 Z4 P; d3 b& @! Z' t% F. j$ ]5 `
你会发现有三个波形，对应这里的Typ、min、max
3 p/ q1 x5 E2 Q它的dV值是不同的，因为三根曲线的幅值就不同- J. v o, p& r8 p, h5 R+ T
所以它的20%～80%电压就不同. ^( P0 C2 E" j0 x+ v: K
当然三根曲线的斜率也不同% }) y3 I; {) Q* E, n5 P9 Y
袁荣盛 发表于 2009-7-7 12:43 ![]()
谢谢这位兄弟，我对这个参数是这样理解，不知对不对
# B2 h2 R( b. S0 O从[Ramp]参数可以得到四个信息：tr（20%-80%）；压摆率；输出电压稳态值；buffer的输出阻抗信息。
+ p3 e& V: z1 K; T8 vbuffer输出电压的稳态值等于输出阻抗和50ohm的分压，因为typ、min、max情况下的输出阻抗的不同，因此稳态值也不同，从而dV=（20%-80%）*稳态值也不同。
1 j" j, v" _5 s这里的稳态值就是iBIS spec中的 Voltage swing。/ ~4 A/ g: x4 J: w7 P9 s z
7 D. R+ Y/ e, _! I: y1 b
下面是IBIS spec中[Ramp]的说明，
3 `/ J" }6 y: T" Z: B% N ?& G/ }" j v# I1 D
Keyword: [Ramp]9 N1 e; v) q( W8 _% X3 m2 l% n, a( ~" F
=======================================================
. P& S! y! L [9 y; n$ j| Required: Yes, except for inputs, terminators, Series and Series_switch
2 E$ w" f( N$ A: t/ l| model types
" _8 R: V C, A7 F+ T* ~4 A| Description: Defines the rise and fall times of a buffer. The ramp rate
& C5 `4 l8 A# r1 b9 }2 T| does not include packaging but does include the effects of the! M- @9 H+ j- v# b
| C_comp or C_comp_* parameters.
8 i" g: y: {( |6 E" |; a| Sub-Params: dV/dt_r, dV/dt_f, R_load
; i. G+ _4 D% k9 A! Q. ^7 @9 p| Usage Rules: The rise and fall time is defined as the time it takes the
9 e/ l8 |! W- e4 J| output to go from 20% to 80% of its final value. The ramp
! g2 ~# K6 U4 ? k| rate is defined as:& P% z% p. U4 {/ q( r" a5 }7 X# L4 `
|
5 w5 z6 R3 @+ `* r+ w; ~% k| dV 20% to 80% voltage swing
, A0 V+ L- T; F6 s7 m* T| -- = ----------------------------------------! S& I8 R1 d* I/ |- ?, r+ |$ [
| dt Time it takes to swing the above voltage |
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发表于 2009-7-7 08:48
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