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自适应阵列抗干扰性能的解析定量分析

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    自适应阵列抗干扰性能的解析定量分析
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    (电波科学学报2015年第30卷第四期)
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    摘要:自适应阵歹IJ杭干扰性能常用输出信干噪比(Signal-to-InteRFerence and Noise Ratio, SINR)损失、杭干扰改善因子(ECCM Improvement Factor, ElF)等来衡量,但目 前尚缺乏解析的定量分析.为此,采用归纳法理论推导了均匀线阵条件下输出SINR损 失、ElF等指标的解析表达式,定量获取了自适应阵列杭干扰性施.仿真实验验证了理论 分析结果的有效性及快拍数对自适应阵列抗干扰性能的影响。
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    ) Y& X2 C! E) c关键词:自适应波束形成;信干噪比损失;抗干扰改善因子;均匀线性阵列;快拍数$ g) ^  V5 c. W2 K! J) G' U

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    发表于 2019-9-29 19:03 | 只看该作者
    自适应阵列抗干扰性能的解析定量分析。
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