自适应阵列抗干扰性能的解析定量分析

Colbie

自适应阵列抗干扰性能的解析定量分析

' Z2 x7 Y( l  k8 A

（电波科学学报2015年第30卷第四期）

' a8 v5 \9 o- Z% a8 N
, G. D: o  Y* ?. ?- Z* A摘要：自适应阵歹IJ杭干扰性能常用输出信干噪比（Signal-to-InteRFerence and Noise Ratio, SINR）损失、杭干扰改善因子（ECCM Improvement Factor, ElF）等来衡量，但目 前尚缺乏解析的定量分析．为此，采用归纳法理论推导了均匀线阵条件下输出SINR损 失、ElF等指标的解析表达式，定量获取了自适应阵列杭干扰性施．仿真实验验证了理论 分析结果的有效性及快拍数对自适应阵列抗干扰性能的影响。

关键词：自适应波束形成；信干噪比损失；抗干扰改善因子；均匀线性阵列；快拍数

游客，如果您要查看本帖隐藏内容请回复

  c5 p7 p' J7 ?

fanichicl

自适应阵列抗干扰性能的解析定量分析。