TA的每日心情 | 开心 2019-11-20 15:05 |
---|
签到天数: 2 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
自适应阵列抗干扰性能的解析定量分析 ) y1 b3 f5 [+ o
(电波科学学报2015年第30卷第四期) 6 a* g; J% e9 ^ s
/ n) j2 S0 I% O4 ~" j/ S3 P' ` }
摘要:自适应阵歹IJ杭干扰性能常用输出信干噪比(Signal-to-InteRFerence and Noise Ratio, SINR)损失、杭干扰改善因子(ECCM Improvement Factor, ElF)等来衡量,但目 前尚缺乏解析的定量分析.为此,采用归纳法理论推导了均匀线阵条件下输出SINR损 失、ElF等指标的解析表达式,定量获取了自适应阵列杭干扰性施.仿真实验验证了理论 分析结果的有效性及快拍数对自适应阵列抗干扰性能的影响。
' K& ?: o& R, v" l% R: |
) Y& X2 C! E) c关键词:自适应波束形成;信干噪比损失;抗干扰改善因子;均匀线性阵列;快拍数$ g) ^ V5 c. W2 K! J) G' U
, a, c6 f& A% ?4 y2 s& X) Z
. l& d; m. _2 \
) X8 w3 i; s6 y/ g. |# q3 R1 b2 Q Y, S
|
|