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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 硬件设计讨论 › EEPROM怎么保证掉电不丢失数据等疑问
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楼主: liujinghang
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EEPROM怎么保证掉电不丢失数据等疑问

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超級狗

该用户从未签到
31#
发表于 2019-10-22 15:27 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2019-10-22 22:34 编辑
0 Y) ?( t, O8 J1 O& R/ I5 i
liujinghang 发表于 2019-10-22 15:21  b$ O' I% l4 W. s+ w# c1 Q
我看了好几遍铁电ram的手册了，还真没看见有擦除功能，可能根本不需要擦除，直接覆盖。+ z5 P$ u. U2 V5 Q: m% e8 @
如果直接覆盖的 ...
5 ^. P: F! C( y! r
FRAM 的特性像 RAM，可以任意寫入某個位址。下電後又能保持數據，行為又像 EEPROM 或 Flash。3 w2 ^: m6 @* j; I
: N8 B: X/ G$ D8 V/ V3 S' j) s
寫入前確實不需要什麼特別的擦拭動作，但每當你寫入一次數據，就被視為擦寫一次了。
2 @" a4 c( g0 f  A( g3 B4 g4 P, Y5 m- j' G4 l' E) \: `" ^8 \, C
1 f7 k: I5 [5 E: o! v

点评

liujinghang
嗯，好的，谢谢版主  详情 回复 发表于 2019-10-22 15:30

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liujinghang
  • TA的每日心情
    开心
    2019-11-19 15:31

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    32#
     楼主| 发表于 2019-10-22 15:30 | 只看该作者
    本帖最后由 超級狗 于 2019-10-22 15:39 编辑
      \5 X  L& M7 w7 z: Z
    超級狗 发表于 2019-10-22 15:27
    7 z+ x" l* b  \0 ^3 {FRAM 的特性像 RAM，可以任意寫入某個位址。下電後又能保持數據，行為又像 EEPROM 或 Flash。  W% c$ ^" `/ X; D3 L

    9 u! |) ]1 L  {/ I4 c; a: v5 N( {: ~6 l寫入前 ...
    : J; j; R  w: ^+ Y" p
    嗯，好的，谢谢版主
    4 ~4 U1 I# C. H/ Q; M

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