EEPROM怎么保证掉电不丢失数据等疑问

liujinghang

各位大佬前辈，你们好：    最近再用铁电ram，他的作用和eeprom相同，我在写代码的时候遇到了一个问题，就是在代码rst的时候，我已经把写数据初始化为0了，当数据继续写的时候，我把电下了，上电之后，板子一定会rst，这时候写数据不又是被初始化为0了吗？要不初始化的话，写的数据还是乱的，他是怎么保证掉电不丢失的？
   还有就是我看铁电ram的手册，他的地址是自动增加的，（Addresses are incremented internally as long as the bus master continues to issue clocks and keeps CS LOW. If the last address of FFFFh is reached, the counter will roll over to 0000h）我的理解应该是自动增加吧，按我的理解这个地址的话，当我要计一个数，我怎么准确的去读到这个数据。
以上两点是我对eeprom的疑问，请大家指点我一下，非常感谢。
( Q7 E4 |  G+ T' X0 K  }. r" k一枚在电子路上的小白
1 J, o2 H- G6 `1 F3 M$ R) Q: @  f

超級狗

liujinghang 发表于 2019-10-20 22:09
9 ~* y) K: q1 A. J2 ?' K: t. M% P谢谢您的回答，可能我没描述清楚，我的意思是假如是一个字节写完了，我下电，在上电，怎么还能读到这个这 ...

; ^+ b+ Z( c: E# c; B* y# h這要看你的代碼是怎麼寫的，一般使用 Serial EEPROM 不會要一筆資料才去讀一筆資料。
1 b0 C4 v( v5 L# p( ^
比較常見的作法是在 RAM 宣告一個區塊，Serial EEPROM 中的整個區塊都讀到 RAM，在 RAM 緩衝區做完改變後，再整個區塊寫回 Serial EEPROM。上電後該資料會被寫為 0，要確定寫到的是 RAM 中的位址，還是真的是 Serial EEPROM 中的儲存空間。
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超級狗

liujinghang 发表于 2019-10-22 09:13
6 N' q1 q" `0 Y' ^# J; d什么有道理。。。。。。。。

- E3 q: e1 w* n/ h5 E% Q, M回答第二個問題︰
Addresses are incremented internally as long as the bus master continues to issue clocks and keeps CS LOW. If the last address of FFFFh is reached, the counter will roll over to 0000h.
" U' ?" ~; S. |8 h2 D! Y1 O
, f3 k4 V7 j$ Q, }4 x0 u這個敘述是說，當你用指令連續讀 8 個 Byte，給完 16 bit 的位址後，只要持續給 SCK 時鐘，FRAM 的資料依序就會吐出來。位址內部會自動累加，如果位址累加到 0xFFFF，會循環跳回 0x000 （湊滿 8 個 Byte 為止）。
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當你下電或是系統重置（Reset），FRAM 就是重來、不會記住你最後寫下的位址，上電或重置（Reset）後還接著往下寫。對於數據結尾你要自己做標記，每次上電或重置（Reset）都要先把結尾找出來，才能繼續往下寫。

至於第一個問題，掉電或後重置（Reset）數據會被覆寫或消失，你的敘述有點複雜，簡單講一下你想要的結果，還有目前遭遇到的問題是什麼？這樣大家才有辦法幫你。
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超級狗

0 p) E& ?4 f) [1 m

liujinghang 发表于 2019-10-22 13:35
- E" W" r1 L& q7 `6 J好的，非常感谢，那我就改代码吧

7 c! P5 K. ]  X" n% T; p* s  G樓主：
# _2 b1 q9 u- `& d  e, d我們以前在產品上做過類似的功能，但在實際應用上曾經遭遇過一些問題，在此提醒一下！

遭遇問題
0 y, @. J/ ^5 g' ]假若掉電的時間點無法被控制，萬一剛好發生在寫入數據時，造成結尾標記沒被寫入，或是資料只寫到一半，這個會是一個大問題。

! p( X% L& P  ^7 l4 B解決方法

• 系統應具備掉電偵測功能，當掉電發生時趕快把數據寫入 Serial EEPROM/Flash/FRAM 中。
  9 x; ^- t0 ^; |* V1 _此功能可透過有掉電（Brownout）偵測的 MCU，或是使用外部的電壓偵測芯片，產生插斷給 MCU 做緊急處置！
• 如果數據量頗多，MCU 仍來不及寫入，可加大電容做延遲掉電的設計。前題是數據量不能大到太離譜，延遲掉電時間被拉太長，反而在系統上下電時，會產生另外一些問題。
  * C* G* S/ m9 y; G' H

1 P) B4 ?% R: ?! E

7 w5 ^' C$ L/ r

超級狗

數據寫到一半下電，內容可能因此遭到破壞，所有的內存都無法避免，唯一的方法是加大電容，讓芯片有時間寫完資料。

有些記憶芯片有防掉電功能，只要加個數 uF 的電容給它，就能保證掉電前能寫完，但通常容量不大就是。
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2 B) [4 @* ]! \, a8 g- ]之前有人問過，我再找一下當初是哪個型號，但要看樓主有多少數據要儲存？

duguwuyun1985

我们以前这种情况就是延迟掉电处理

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小芯片（Microchip）文檔
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liujinghang

超級狗 发表于 2019-10-19 13:28
! x8 t' |* [2 {數據寫到一半下電，內容可能因此遭到破壞，所有的內存都無法避免，唯一的方法是加大電容，讓芯片有時間寫完 ...

7 W8 G1 ~8 Z/ e+ v$ e4 O; s- p" U谢谢您的回答，可能我没描述清楚，我的意思是假如是一个字节写完了，我下电，在上电，怎么还能读到这个这个写进去的字节，我代码写的是上电复位写数据这个信号就会被置0，那上电之后写进去的数据就是复位之后的0吗？这个掉电不丢失功能是代码控制的还是硬件控制的，硬件控制的话那我代码应该上来就执行读操作，去读那个地址下的数据吗？

liujinghang

duguwuyun1985 发表于 2019-10-19 23:13
9 [$ N/ b8 ~0 |+ f3 n# P% h  S" B我们以前这种情况就是延迟掉电处理

谢谢您的回答，可能我没描述清楚，我的意思是假如是一个字节写完了，我下电，在上电，怎么还能读到这个这个写进去的字节，我代码写的是上电复位写数据这个信号就会被置0，那上电之后写进去的数据就是复位之后的0吗？这个掉电不丢失功能是代码控制的还是硬件控制的，硬件控制的话那我代码应该上来就执行读操作，去读那个地址下的数据吗？

liujinghang

aarom 发表于 2019-10-20 15:28
( U. ]( Q" {$ I! X, Z5 k掉電.......應該看CPU的reset 電路, 非加電容防掉電.

是外围电路控制的吗？

singingkite

有道理....

duguwuyun1985

liujinghang 发表于 2019-10-20 22:09
5 d4 G! ]2 Y* J9 M谢谢您的回答，可能我没描述清楚，我的意思是假如是一个字节写完了，我下电，在上电，怎么还能读到这个这 ...

这也和芯片有关，现在很多的芯片都具有eeprom上电写保护功能，需要通过一些特殊操作解锁，每个芯片的手册都有（看eeprom部分），比如写55，AA等。
$ Y$ v( h2 C0 b( S6 n9 k我以前用过的一个芯片，就是这样的：
1 A+ ~" [# {& R5 V解锁流程为:
①第一次向FLASH_DUKR写入密钥0xAE
②第二次向FLASH_DUKR写入密钥0x56
3 W7 _$ |# [2 p  M$ O两次都写入正确后,写保护功能被关闭,可以对EEPROM区域进行写操作.解锁成功后,DUL位会被置位,在写完密钥后,可以读取DUL位来判断有没有解锁成功.
! q! i9 i2 v' I  ]

liujinghang

duguwuyun1985 发表于 2019-10-21 16:14
- X- s/ _& Q( n+ z* z6 D, z5 I这也和芯片有关，现在很多的芯片都具有eeprom上电写保护功能，需要通过一些特殊操作解锁，每个芯片的手册 ...

0 r# M& X: s! R( V6 [难道铁电ram没有掉电不丢失功能吗？各位大佬帮忙看看，谢谢

liujinghang

singingkite 发表于 2019-10-21 12:33
有道理....

什么有道理。。。。。。。。
) E: M$ [* Z: n$ i1 h

liujinghang

超級狗 发表于 2019-10-22 11:21
回答第二個問題︰
% u* q: ^2 T5 e; i2 b$ {Addresses are incremented internally as long as the bus master continues to issu ...

, W0 m9 h6 j, u$ N# e* ]2 K我现在就是不知道怎么读到下电前写完的最后一个数据，它的地址是多少。