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一文教你如何用过压故障保护模拟开关代替分立保护器件

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    发表于 2019-10-24 07:00 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    一文教你如何用过压故障保护模拟开关代替分立保护器件

    # Z) `( f, D. p) @% \) z, {3 p# t3 S' E5 r
    摘要, L) `! |! Q; K

    设计具有鲁棒性的电子电路较为困难,通常会导致具有大量 分立保护器件的设计的相关成本增加、时间延长、空间扩大。 本文将讨论故障保护开关架构,及其与传统分立保护解决方 案相比的性能优势和其他优点。下文讨论了一种新型开关架 构,以及提供业界领先的故障保护性能以及精密信号链所需 性能的专有高电压工艺。ADI的故障保护开关和多路复用器 新型产品系列(ADG52xxF和ADG54xxF)就是采用这种技术。

    7 w1 L) w/ x( w

    高性能信号链的模拟输入保护往往令系统设计人员很头痛。 通常,需要在模拟性能(例如漏电阻和导通电阻)和保护水 平(可由分立器件提供)之间进行权衡。


    4 E* b$ u/ o$ N3 J! e

    用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替分立 保护器件能够在模拟性能、鲁棒性和解决方案尺寸方面提供 显著的优势。过电压保护器件位于敏感下游电路和受到外部 应力的输入端之间。一个例子是过程控制信号链中的传感器 输入端。

    9 i( i9 L  f8 a. J/ [" P3 ^2 Q

    本文详细说明了由过电压事件引起的问题,讨论了传统分立 保护解决方案及其相关缺点,还介绍了过电压保护模拟开关 解决方案的特性和系统优势,最后介绍了ADI业界领先的故 障保护模拟开关产品系列。

    # x# c/ V6 q0 ?: j) b: ^
    过电压问题—回顾基础
    # o, V8 h; D6 _9 j6 `

    如果施加在开关上的输入信号超过电源电压(VDD或VSS)一 个以上二极管压降,则IC内的ESD保护二极管将变成正向偏 置,而且电流将从输入信号端流至电源,如图1所示。这种 电流会损坏元件,如果不加以限制,还可能触发闩锁事件。

    + z6 L$ i7 P$ H/ E' u% @
    5 D- \( u) F! v5 Z

    + x8 Q/ M' d# r. z; j8 G) R- Q- `3 c( m6 D' p& O( D$ Y- ~
    图1.过压电流路径。

    # _( C5 ~& m7 m( z$ ~. K/ A! s. T  `8 K* S+ B8 Q8 x! y

    如果开关未上电,则可能出现以下几种情形:

    5 J! q, B  j% O9 f5 Q
    • 如果电源浮动,输入信号可能通过ESD二极管向上对VDD供电轨供电。这种情况下,VDD电平会处于输入信号电压减去一个正向二极管压降的范围内。
    • I如果电源接地,PMOS器件将在负VGS下接通,开关将把 削减的信号传至输出端,这可能会损坏同样未上电的下 游器件(参见图2)。注:如果有二极管连接至电源,它 们将发生正向偏置,把信号削减为+0.7 V。* I0 k" e2 ^! q1 |3 A3 K
    7 X% e: G) Z' [0 s7 x

    # ?' z) C, [; ?' j, |% O: `% ?

    : r" m2 M- f# t. S% k1 u" P
    ; S9 V; f& Z1 |4 O) i
    图2.电源接地时的过电压信号。分立保护解决方案
    % R7 Y5 u7 y4 g4 S( b2 H- _
    # w5 T# W' Q6 r; b% W% q8 p

    设计人员通常采用分立保护器件解决输入保护问题。

    * ~% y4 T3 A5 D) x7 o/ m

    通常会利用大的串联电阻限制故障期间的电流,而连接至供 电轨的肖特基或齐纳二极管将箝位任意过电压信号。图3所 示为多路复用信号链中这种保护方案的一个示例。

    但是,使用此类分立保护器件存在许多缺点。


    : J, C: x0 H* u5 b) v( R$ `
    • 串联电阻会延长多路复用器的建立时间并缩短整体建立 时间。
    • 保护二极管会产生额外的漏电流和不断变化的电容,从 而影响测量结果的精度和线性度。
    • 在电源浮动情况时时没有任何保护,因为连接至电源的 ESD二极管不会提供任何箝位保护。
      * K& f: o4 z1 p1 R7 c2 h
    % ?/ l3 V1 W# V7 F) |+ c
    & m# S# J  o4 L1 u8 R
    : C4 G% x" Y! t- X: _& m
    图3.分立保护解决方案。传统开关架构

    & J! v1 j& k+ f* w% g! k+ k# A3 k- H; L, S

    图4为一种传统开关架构的概览。在开关器件(在图4的右侧) 中,ESD二极管连接至开关元件输入和输出端的供电轨。图 中还显示了外部分立保护器件—用于限制电流的串联电阻 和用于实现过电压箝位的肖特基二极管(连接至电源)。在 苛刻环境下,通常还需要利用双向TVS提供额外的保护。

    . d* P: a9 a" G1 H
    2 C& s" X, R7 ]" g& Y, }
    ( i4 L! e+ e/ O2 o1 X
    0 G5 M- V  B5 d
    - ]( B6 u* e( J6 v2 z
    图4.采用外部分立保护器件的传统开关架构。故障保护开关架构
    6 F1 H( ~6 u5 b6 @; P5 a

    7 J' F) N  Y  c3 T$ [9 [

    故障保护开关架构如图5所示。输入端的ESD二极管用双向 ESD单元代替,输入电压范围不再受连接至供电轨的ESD二 极管限制。因此,输入端的电压可能达到工艺限值(ADI提 供的新型故障保护开关的限值为±55 V)。


      h* B& j) h6 G4 X$ l9 G$ i

    大多数情况下,ESD二极管仍然存在于输出端,因为输出端 通常不需要过电压保护。

    - F- v7 j9 ?) k0 ?/ h: d' {

    输入端的ESD单元仍然能够提供出色的ESD保护。使用此类 ESD单元的ADG5412F过电压故障保护四通道SPST开关的 HBM ESD额定值可达到5.5 kV。


    / D6 r4 R! |# A+ t9 a: d

    对于IEC ESD (IEC 61000-4-2)、EFT或浪涌保护等更严格的情 况,可能仍然需要一个外部TVS或一个小型限流电阻。

    8 ~# q5 a$ R: r" H
    6 r) J* E1 G. U
    $ I1 V: D" D& I8 m
    : n: q7 l: p4 q& U" f

    ( u9 b  [. u( l! ^
    图5.故障保护开关架构。
    8 N6 R) C. k8 e" @

    9 v, C4 o3 {, \  o

    开关的一个输入端发生过电压状况时,受影响的通道将关 闭,输入将变为高阻态。其他通道上的漏电流仍然很小,因 而其余通道能够继续正常工作,而且对性能的影响极小。几 乎不用在系统速度/性能和过电压保护之间进行妥协。

    * S5 j0 p7 n: K& ~* m$ J" L2 Z- c+ T

    因此,故障保护开关能够大幅简化信号链解决方案。很多情 况下都需要使用限流电阻和肖特基二极管,而开关过电压保 护消除了这种需要。整体系统性能也不再受通常会引起信号 链漏电和失真的外部分立器件限制。


    - L' Q6 j- ]1 S% z. M# B9 @ADI 故障保护开关的特性, K6 S' Z' @' Y) t1 ^5 [

    $ M* ]5 Y' f% a5 G; f6 P

    ADI的故障保护开关新型产品系列采用专有高电压工艺打造 而成,能够在上电和未上电状态下提供高达±55 V的过电压 保护。这些器件能够为精密信号链使用的故障保护开关提供 业界领先的性能。


    " j$ E4 a1 P+ G: h3 F5 @8 `
    - \0 R6 D- E; F3 y. @
    , J2 f6 I7 W/ v: ?+ Y6 o

    * G  `8 A2 F. O
    . U9 T* C5 S% o; O
    图6.沟槽隔离工艺。防闩锁性

    / C$ S& ~7 J: c' `
    4 K# |( I9 X  o6 Z  ]

    专有高电压工艺也采用了沟槽隔离技术。各开关的NDMOS与 PDMOS晶体管之间有一个绝缘氧化物层。因此,它与结隔离式 开关不同,晶体管之间不存在寄生结,从而抑制了所有情况下 的闩锁现象。例如,ADG5412F通过了1秒脉宽±500 mA的 JESD78D闩锁测试,这是规范中最严格的测试。

    4 x2 O" v  C% F$ m
    模拟性能
      v" g, x; G3 A# Y  J' E% F8 X9 I. k' i7 E; g- m+ r% C$ V0 _' @! F

    新型ADI故障保护开关不仅能够实现业界领先的鲁棒性(过 电压保护、高ESD额定值、上电时无数字输入控制时处于已 知状态),而且还具有业界领先的模拟性能。模拟开关的性 能总是要在低导通电阻和低电容/电荷注入之间进行权衡。模 拟开关的选择通常取决于负载是高阻抗还是低阻抗。

    2 E9 y# E4 S, d) A# u' N
    低阻抗系统! m9 n& l4 X# h5 L2 c% B
    5 R. x9 {5 I6 o3 X: m  a$ R6 G

    低阻抗系统通常采用低导通电阻器件,其中模拟开关的导通 电阻需要保持在最小值。在电等低阻抗系统中—例如源或增 益级—导通电阻和源阻抗与负载处于并联状态会引起增益 误差。虽然许多情况下能够对增益误差进行校准,但是信号 范围内或通道之间的导通电阻 (RON) 变化所引起的失真就 无法通过校准进行消除。因此,低阻电路更受制于因RON平 坦度和通道间的RON变化所导致的失真误差。


    ! O6 ~3 k& d- {/ K% _, _3 t5 S- `4 p

    图7显示了一个新型故障保护开关在信号输入范围内的导通 电阻特性。除了能够实现极低的导通电阻外,RON平坦度和 通道之间的一致性也非常出色。这些器件采用具有专利技术 的开关驱动器设计,能够确保在信号输入电压范围内VGS电 压保持恒定从而导致平坦的RON性能。权衡就是信号输入范 围略有缩小,开关导通性能实现优化,这可从RON图的形状 看出。在对RON变化或THD敏感的应用中,这种RON性能可使 系统具有明显的优势。

    9 ?6 K/ Q( q4 G: a( l

    8 l6 ^5 b7 o) l2 u/ t) \3 K8 d3 O
    2 h5 X+ F% F- h7 o/ R/ m) B" p0 ]

    % V% s: s: Y( x
    图7.故障保护开关导通电阻。
    * l0 Z4 f' H0 Z) E& ~/ O9 n9 s

    7 Y. J0 g0 _+ Y# I0 t$ B7 R9 N

    ADG5404F是一款新型的具有防闩锁、过压故障保护功能的 多路复用器。与标准器件相比,具有防闩锁功能和过电压保 护功能的器件通常具有更高的导通电阻和更差的导通电阻 平坦度。但是,由于ADG5404F设计中采用了恒定VGS方案, RON平坦度实际上优于ADG1404(业界领先的低导通电阻) 和ADG5404(防闩锁,但没有过电压保护功能)。在很多应 用中,例如RTD温度测量,RON平坦度实际上比导通电阻的 绝对值更重要,因此具有故障保护功能的模拟开关在此类系 统中具有提高其产品性能的潜力。


    ! B& b0 w2 H) F* V9 t8 b0 D

    低阻抗系统的典型故障模式是在发生故障时漏极输出变成 开路。


    9 q' m# w4 H- R6 z! p高阻抗系统
    * T5 {0 I' V! ?8 e
    6 h! q+ G, ^% L( U3 _4 E  z5 G

    在高阻抗系统通常采用低漏电流、低电容和低电荷注入开 关。由于多路复用器输出上的放大器负载,数据采集系统通 常具有高阻抗。


    / ]: a( ]" c/ O' C
    • 漏电流是高阻抗电路的主要误差来源。任意漏电流都可能 产生显著的测量误差。
    • 低电容和低电荷注入也对快速建立至关重要。这可使数据 采集系统实现最大的数据吞吐量。

    • - j  i+ v7 W. P9 A& W8 Q- z

    新型ADI故障保护开关的漏电性能非常出色。正常工作时, 漏电流处于低nA范围内,这对在许多应用中进行精确测量至 关重要。


    3 l. ~+ k. N- s4 @  S, I4 z: V# k' w

    最重要的是,即使其中一条输入通道处于故障状态,防漏性 能依然十分出色。这意味着,在修复故障前,可继续对其他 通道进行测量,因而系统停机时间得以缩短。ADG5248F 8:1 多路复用器的过电压漏电流如图8所示。

    , H$ \& C) M2 ~( g3 k

    高阻抗系统的典型故障模式是在发生故障时使漏极输出拉 至供电轨。


    ( H) ]; q) s; q; W5 [, p: Y7 ~) ?; p: \$ e/ A6 q
    . d$ @) `) w: @, J. z) ?9 _

    & C) y3 \- J) t0 p0 C; m1 r/ s- E7 I. H7 Z0 j% Z1 ^
    图8.ADG5248F 过电压漏电流的温度特性。故障诊断

    1 |8 v4 Z6 t- q7 p' d
    ) O# o! _& F! M/ I& D

    大部分新型ADI故障保护开关还采用了数字故障引脚。FF引 脚是通用故障标志,表示其中一条输入通道处于故障状态。 特殊故障引脚(或SF引脚)可用于诊断哪一路特定输入处于 故障状态。


    7 i8 }7 \7 I2 }$ b  m# C- p- q

    这些引脚对在系统中进行故障诊断非常有用。FF 引脚首先向 用户发出故障警告。随后,用户可轮询数字输入,然后SF 引脚将报出哪些特定开关或通道处于故障状态。


    * |3 `6 c& o1 v7 B0 i系统优势
    * `# m( s9 M' z; n3 |# ^) p( V5 |2 d( L% g( \

    故障保护开关新型产品系列的系统优势如图9所示。无论是 在确保精密信号链的出色模拟性能方面,还是在系统鲁棒性 方面,该产品系列为系统设计人员带来的优势都非常巨大。


    : O1 r' m' r% S+ N- t& t' u$ g. D2 j8 n$ ~- \9 c7 Y# W# v4 V
    / J  {, w  C8 \# }/ O; F0 b

    ' b7 R- z2 a* S9 l% }, v' S, f+ x; B9 L+ U  h4 v4 ~
    图9.ADI 故障保护开关—特性和系统优势。
    $ X4 \) y2 Y/ M: v5 G

    5 w3 F4 _$ u" J& \$ I$ n

    与分立保护器件相比,其优势非常明显,这些优势已在前文 详细说明。专有高电压工艺和新型开关架构还赋予了ADI故 障保护开关新产品系列多项优于同类解决方案的优势。

    : o/ I% Z5 O, i4 W
    • 业界领先的RON平坦度,非常适合精密测量
    • 业界领先的故障漏电流,能够在未受故障影响的其他通道 上继续工作(比同类解决方案性能好10倍)
    • 器件配备副故障电源,可实现精密故障阈值设定,同时还 能维持出色的模拟开关性能
    • 适合系统故障诊断的智能故障标志
      & U- ?; X/ h6 J9 x2 a; b& s9 \
    应用范例! R- q/ N$ `# i. u. [+ J! s3 j
    5 V* P* X7 X* {, S

    图10所示的第一个应用范例是过程控制信号链,其中,微控制 器可监控多个传感器,例如RTD或热电偶温度传感器、压力传 感器和湿度传感器。在过程控制应用中,传感器可能连接在工 厂中一条非常长的电缆上,整条电缆都有可能出现故障。


    . s: i4 O2 N) ?& }4 q

    此范例采用的多路复用器是ADG5249F,该器件已针对低电 容和低漏电流进行优化。对于此类小型信号传感器测量应 用,低漏电流非常重要。

    % j: T- t8 H' r

    模拟开关采用±15 V电源,同时副故障电源设置为5 V和 GND,能够保护下游PGA和ADC。

    : _/ U8 \; w' z- @6 Y. P+ e" i

    主传感器信号通过多路复用器传至PGA和ADC,而故障诊断 信息则直接发送至微控制器,用于在发生故障时提供中断功 能。因此,用户可收到故障状况的警告,并确定哪些传感器 发生故障。然后便可派出技术人员对故障进行调试,必要时 可更换发生故障的传感器或电缆。

    4 n1 l( e0 Q/ L# D7 ^

    得益于业界领先的低故障漏电流规格,当其中一个传感器故 障、正在等待更换时,其他传感器可以继续执行监控功能。 如果没有这种低故障漏电流,一条通道发生故障可能导致所 有其他通道无法使用,故障被修复后才可重新使用。

    6 E1 J' C0 ^/ Z3 F+ ~
    % [, w; I9 f# ~" l
    4 p% m: e! w, ]  Z8 I

    ' e3 P8 h2 @" W8 ~
    ; R! |1 |0 E6 A  \2 Z
    图10.过程控制应用范例。
    & q4 m' ?2 f7 r, v: K' B
    ) Q1 Z8 Y$ T$ T

    图11中的第二个应用范例是数据采集信号链的一部分,其 中,ADG5462F通道保护器可增添额外的价值。在此范例中, PGA采用±15 V供电,而下游ADC则具有0 V至5 V的输入信 号范围。


      T0 n+ \! a7 r! a0 z: _

    通道保护器位于PGA 和ADC 之间。采用±15 V 作为主电源, 以获得出色的导通电阻性能,而其副供电轨则采用0 V 和5 V 电压。正常工作时,ADG5462F 允许信号通过,但会将PGA 的所有过电压输出箝位至0 V 和5 V 之间,以保护ADC。因 此,与前面的应用范例一样,目标信号输入范围会在平坦的 RON 工作区域中。


    / J+ h+ G1 y6 t- m: e! h- h) @1 e# j, H

    + g- S5 y1 A  I: a$ x- f) b; w5 P' Z8 c+ B- e

    0 E* `0 L8 V  p2 ^
    图11.数据采集应用范例。总结

    1 ]' |: R; |; q: Q5 |( v1 Q4 j
    " H6 P* N8 P6 \9 T; e3 \

    用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替传统 分立保护器件可在精密信号链中提供多项系统优势。除了节 省电路板空间外,代替分立器件的性能优势也非常明显。

    ADI公司提供多种具有过电压保护功能的模拟开关和多路复 用器。表1和表2列出了最新的故障保护器件产品系列。这些 产品系列采用专有的高电压和防闩锁工艺打造而成,能够为 精密信号链提供业界领先的性能和特性。

    1 D0 K& a8 o2 U
    产品系列汇总2 Y, G, l; l2 T

    ; \) a$ U" H( c! _( W" A

    表1.低导通电阻型故障保护开关 产品 配置

    产品
    配置
    故障触发阈值
    输出故障模式
    故障标志
    ADG5412F8 m$ Y$ {, l% u& h
    ADG5413F
    四通道SPST
    主电源
    开路
    普通标志
    ADG5412BF( q$ M0 u7 D4 q% `" U& m" s9 k
    ADG5413BF
    四通道SPST和双向OVP
    主电源
    开路
    普通标志
    ADG5462F
    四通道保护器
    副电源
    拉至副电源或开路(默认)
    普通标志
    ADG5404F
    4:1多路复用
    主电源
    拉至副电源或开路(默认)
    普通标志和特殊标志
    ADG5436F
    双通道SPDT
    主电源
    拉至副电源或开路(默认)
    普通标志和特殊标志

    表2.低电容/低电荷注入型故障保护开关

    产品
    配置
    故障触发阈值
    输出故障模式
    故障标志
    ADG5208F
    8:1多路复用器
    主电源
    拉至供电轨
    ADG5209F
    差分4:1多路复用器
    主电源
    拉至供电轨
    ADG5248F
    8:1多路复用器
    副电源
    拉至副电源
    普通标志和特殊标志
    ADG5249F
    差分4:1多路复用器
    副电源
    拉至副电源
    普通标志和特殊标志
    ADG5243F
    三通道SPDT
    副电源
    拉至副电源
    普通标志和特殊标志
      y' _! [+ k* U6 x0 w
    / G' m! e2 Q: ^9 e9 q. X$ d
    " E. O2 ]) p+ O2 x; `! U1 \/ {' B) \
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