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一文教你如何用过压故障保护模拟开关代替分立保护器件
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摘要, L) `! |! Q; K
设计具有鲁棒性的电子电路较为困难,通常会导致具有大量 分立保护器件的设计的相关成本增加、时间延长、空间扩大。 本文将讨论故障保护开关架构,及其与传统分立保护解决方 案相比的性能优势和其他优点。下文讨论了一种新型开关架 构,以及提供业界领先的故障保护性能以及精密信号链所需 性能的专有高电压工艺。ADI的故障保护开关和多路复用器 新型产品系列(ADG52xxF和ADG54xxF)就是采用这种技术。 7 w1 L) w/ x( w
高性能信号链的模拟输入保护往往令系统设计人员很头痛。 通常,需要在模拟性能(例如漏电阻和导通电阻)和保护水 平(可由分立器件提供)之间进行权衡。
4 E* b$ u/ o$ N3 J! e用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替分立 保护器件能够在模拟性能、鲁棒性和解决方案尺寸方面提供 显著的优势。过电压保护器件位于敏感下游电路和受到外部 应力的输入端之间。一个例子是过程控制信号链中的传感器 输入端。 9 i( i9 L f8 a. J/ [" P3 ^2 Q
本文详细说明了由过电压事件引起的问题,讨论了传统分立 保护解决方案及其相关缺点,还介绍了过电压保护模拟开关 解决方案的特性和系统优势,最后介绍了ADI业界领先的故 障保护模拟开关产品系列。 # x# c/ V6 q0 ?: j) b: ^
过电压问题—回顾基础
# o, V8 h; D6 _9 j6 `如果施加在开关上的输入信号超过电源电压(VDD或VSS)一 个以上二极管压降,则IC内的ESD保护二极管将变成正向偏 置,而且电流将从输入信号端流至电源,如图1所示。这种 电流会损坏元件,如果不加以限制,还可能触发闩锁事件。 + z6 L$ i7 P$ H/ E' u% @
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图1.过压电流路径。
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如果开关未上电,则可能出现以下几种情形: 5 J! q, B j% O9 f5 Q
- 如果电源浮动,输入信号可能通过ESD二极管向上对VDD供电轨供电。这种情况下,VDD电平会处于输入信号电压减去一个正向二极管压降的范围内。
- I如果电源接地,PMOS器件将在负VGS下接通,开关将把 削减的信号传至输出端,这可能会损坏同样未上电的下 游器件(参见图2)。注:如果有二极管连接至电源,它 们将发生正向偏置,把信号削减为+0.7 V。* I0 k" e2 ^! q1 |3 A3 K
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; S9 V; f& Z1 |4 O) i图2.电源接地时的过电压信号。分立保护解决方案 % R7 Y5 u7 y4 g4 S( b2 H- _
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设计人员通常采用分立保护器件解决输入保护问题。 * ~% y4 T3 A5 D) x7 o/ m
通常会利用大的串联电阻限制故障期间的电流,而连接至供 电轨的肖特基或齐纳二极管将箝位任意过电压信号。图3所 示为多路复用信号链中这种保护方案的一个示例。 但是,使用此类分立保护器件存在许多缺点。
: J, C: x0 H* u5 b) v( R$ `- 串联电阻会延长多路复用器的建立时间并缩短整体建立 时间。
- 保护二极管会产生额外的漏电流和不断变化的电容,从 而影响测量结果的精度和线性度。
- 在电源浮动情况时时没有任何保护,因为连接至电源的 ESD二极管不会提供任何箝位保护。
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图3.分立保护解决方案。传统开关架构
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图4为一种传统开关架构的概览。在开关器件(在图4的右侧) 中,ESD二极管连接至开关元件输入和输出端的供电轨。图 中还显示了外部分立保护器件—用于限制电流的串联电阻 和用于实现过电压箝位的肖特基二极管(连接至电源)。在 苛刻环境下,通常还需要利用双向TVS提供额外的保护。 . d* P: a9 a" G1 H
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图4.采用外部分立保护器件的传统开关架构。故障保护开关架构 6 F1 H( ~6 u5 b6 @; P5 a
7 J' F) N Y c3 T$ [9 [故障保护开关架构如图5所示。输入端的ESD二极管用双向 ESD单元代替,输入电压范围不再受连接至供电轨的ESD二 极管限制。因此,输入端的电压可能达到工艺限值(ADI提 供的新型故障保护开关的限值为±55 V)。
h* B& j) h6 G4 X$ l9 G$ i大多数情况下,ESD二极管仍然存在于输出端,因为输出端 通常不需要过电压保护。 - F- v7 j9 ?) k0 ?/ h: d' {
输入端的ESD单元仍然能够提供出色的ESD保护。使用此类 ESD单元的ADG5412F过电压故障保护四通道SPST开关的 HBM ESD额定值可达到5.5 kV。
/ D6 r4 R! |# A+ t9 a: d对于IEC ESD (IEC 61000-4-2)、EFT或浪涌保护等更严格的情 况,可能仍然需要一个外部TVS或一个小型限流电阻。 8 ~# q5 a$ R: r" H
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( u9 b [. u( l! ^图5.故障保护开关架构。 8 N6 R) C. k8 e" @
9 v, C4 o3 {, \ o开关的一个输入端发生过电压状况时,受影响的通道将关 闭,输入将变为高阻态。其他通道上的漏电流仍然很小,因 而其余通道能够继续正常工作,而且对性能的影响极小。几 乎不用在系统速度/性能和过电压保护之间进行妥协。 * S5 j0 p7 n: K& ~* m$ J" L2 Z- c+ T
因此,故障保护开关能够大幅简化信号链解决方案。很多情 况下都需要使用限流电阻和肖特基二极管,而开关过电压保 护消除了这种需要。整体系统性能也不再受通常会引起信号 链漏电和失真的外部分立器件限制。
- L' Q6 j- ]1 S% z. M# B9 @ADI 故障保护开关的特性, K6 S' Z' @' Y) t1 ^5 [
$ M* ]5 Y' f% a5 G; f6 PADI的故障保护开关新型产品系列采用专有高电压工艺打造 而成,能够在上电和未上电状态下提供高达±55 V的过电压 保护。这些器件能够为精密信号链使用的故障保护开关提供 业界领先的性能。
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. U9 T* C5 S% o; O图6.沟槽隔离工艺。防闩锁性
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4 K# |( I9 X o6 Z ]专有高电压工艺也采用了沟槽隔离技术。各开关的NDMOS与 PDMOS晶体管之间有一个绝缘氧化物层。因此,它与结隔离式 开关不同,晶体管之间不存在寄生结,从而抑制了所有情况下 的闩锁现象。例如,ADG5412F通过了1秒脉宽±500 mA的 JESD78D闩锁测试,这是规范中最严格的测试。 4 x2 O" v C% F$ m
模拟性能
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新型ADI故障保护开关不仅能够实现业界领先的鲁棒性(过 电压保护、高ESD额定值、上电时无数字输入控制时处于已 知状态),而且还具有业界领先的模拟性能。模拟开关的性 能总是要在低导通电阻和低电容/电荷注入之间进行权衡。模 拟开关的选择通常取决于负载是高阻抗还是低阻抗。 2 E9 y# E4 S, d) A# u' N
低阻抗系统! m9 n& l4 X# h5 L2 c% B
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低阻抗系统通常采用低导通电阻器件,其中模拟开关的导通 电阻需要保持在最小值。在电等低阻抗系统中—例如源或增 益级—导通电阻和源阻抗与负载处于并联状态会引起增益 误差。虽然许多情况下能够对增益误差进行校准,但是信号 范围内或通道之间的导通电阻 (RON) 变化所引起的失真就 无法通过校准进行消除。因此,低阻电路更受制于因RON平 坦度和通道间的RON变化所导致的失真误差。
! O6 ~3 k& d- {/ K% _, _3 t5 S- `4 p图7显示了一个新型故障保护开关在信号输入范围内的导通 电阻特性。除了能够实现极低的导通电阻外,RON平坦度和 通道之间的一致性也非常出色。这些器件采用具有专利技术 的开关驱动器设计,能够确保在信号输入电压范围内VGS电 压保持恒定从而导致平坦的RON性能。权衡就是信号输入范 围略有缩小,开关导通性能实现优化,这可从RON图的形状 看出。在对RON变化或THD敏感的应用中,这种RON性能可使 系统具有明显的优势。 9 ?6 K/ Q( q4 G: a( l
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% V% s: s: Y( x图7.故障保护开关导通电阻。 * l0 Z4 f' H0 Z) E& ~/ O9 n9 s
7 Y. J0 g0 _+ Y# I0 t$ B7 R9 NADG5404F是一款新型的具有防闩锁、过压故障保护功能的 多路复用器。与标准器件相比,具有防闩锁功能和过电压保 护功能的器件通常具有更高的导通电阻和更差的导通电阻 平坦度。但是,由于ADG5404F设计中采用了恒定VGS方案, RON平坦度实际上优于ADG1404(业界领先的低导通电阻) 和ADG5404(防闩锁,但没有过电压保护功能)。在很多应 用中,例如RTD温度测量,RON平坦度实际上比导通电阻的 绝对值更重要,因此具有故障保护功能的模拟开关在此类系 统中具有提高其产品性能的潜力。
! B& b0 w2 H) F* V9 t8 b0 D低阻抗系统的典型故障模式是在发生故障时漏极输出变成 开路。
9 q' m# w4 H- R6 z! p高阻抗系统
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6 h! q+ G, ^% L( U3 _4 E z5 G在高阻抗系统通常采用低漏电流、低电容和低电荷注入开 关。由于多路复用器输出上的放大器负载,数据采集系统通 常具有高阻抗。
/ ]: a( ]" c/ O' C- 漏电流是高阻抗电路的主要误差来源。任意漏电流都可能 产生显著的测量误差。
- 低电容和低电荷注入也对快速建立至关重要。这可使数据 采集系统实现最大的数据吞吐量。
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新型ADI故障保护开关的漏电性能非常出色。正常工作时, 漏电流处于低nA范围内,这对在许多应用中进行精确测量至 关重要。
3 l. ~+ k. N- s4 @ S, I4 z: V# k' w最重要的是,即使其中一条输入通道处于故障状态,防漏性 能依然十分出色。这意味着,在修复故障前,可继续对其他 通道进行测量,因而系统停机时间得以缩短。ADG5248F 8:1 多路复用器的过电压漏电流如图8所示。 , H$ \& C) M2 ~( g3 k
高阻抗系统的典型故障模式是在发生故障时使漏极输出拉 至供电轨。
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图8.ADG5248F 过电压漏电流的温度特性。故障诊断
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) O# o! _& F! M/ I& D大部分新型ADI故障保护开关还采用了数字故障引脚。FF引 脚是通用故障标志,表示其中一条输入通道处于故障状态。 特殊故障引脚(或SF引脚)可用于诊断哪一路特定输入处于 故障状态。
7 i8 }7 \7 I2 }$ b m# C- p- q这些引脚对在系统中进行故障诊断非常有用。FF 引脚首先向 用户发出故障警告。随后,用户可轮询数字输入,然后SF 引脚将报出哪些特定开关或通道处于故障状态。
* |3 `6 c& o1 v7 B0 i系统优势
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故障保护开关新型产品系列的系统优势如图9所示。无论是 在确保精密信号链的出色模拟性能方面,还是在系统鲁棒性 方面,该产品系列为系统设计人员带来的优势都非常巨大。
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图9.ADI 故障保护开关—特性和系统优势。 $ X4 \) y2 Y/ M: v5 G
5 w3 F4 _$ u" J& \$ I$ n与分立保护器件相比,其优势非常明显,这些优势已在前文 详细说明。专有高电压工艺和新型开关架构还赋予了ADI故 障保护开关新产品系列多项优于同类解决方案的优势。 : o/ I% Z5 O, i4 W
- 业界领先的RON平坦度,非常适合精密测量
- 业界领先的故障漏电流,能够在未受故障影响的其他通道 上继续工作(比同类解决方案性能好10倍)
- 器件配备副故障电源,可实现精密故障阈值设定,同时还 能维持出色的模拟开关性能
- 适合系统故障诊断的智能故障标志
& U- ?; X/ h6 J9 x2 a; b& s9 \ 应用范例! R- q/ N$ `# i. u. [+ J! s3 j
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图10所示的第一个应用范例是过程控制信号链,其中,微控制 器可监控多个传感器,例如RTD或热电偶温度传感器、压力传 感器和湿度传感器。在过程控制应用中,传感器可能连接在工 厂中一条非常长的电缆上,整条电缆都有可能出现故障。
. s: i4 O2 N) ?& }4 q此范例采用的多路复用器是ADG5249F,该器件已针对低电 容和低漏电流进行优化。对于此类小型信号传感器测量应 用,低漏电流非常重要。 % j: T- t8 H' r
模拟开关采用±15 V电源,同时副故障电源设置为5 V和 GND,能够保护下游PGA和ADC。 : _/ U8 \; w' z- @6 Y. P+ e" i
主传感器信号通过多路复用器传至PGA和ADC,而故障诊断 信息则直接发送至微控制器,用于在发生故障时提供中断功 能。因此,用户可收到故障状况的警告,并确定哪些传感器 发生故障。然后便可派出技术人员对故障进行调试,必要时 可更换发生故障的传感器或电缆。 4 n1 l( e0 Q/ L# D7 ^
得益于业界领先的低故障漏电流规格,当其中一个传感器故 障、正在等待更换时,其他传感器可以继续执行监控功能。 如果没有这种低故障漏电流,一条通道发生故障可能导致所 有其他通道无法使用,故障被修复后才可重新使用。 6 E1 J' C0 ^/ Z3 F+ ~
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; R! |1 |0 E6 A \2 Z图10.过程控制应用范例。 & q4 m' ?2 f7 r, v: K' B
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图11中的第二个应用范例是数据采集信号链的一部分,其 中,ADG5462F通道保护器可增添额外的价值。在此范例中, PGA采用±15 V供电,而下游ADC则具有0 V至5 V的输入信 号范围。
T0 n+ \! a7 r! a0 z: _通道保护器位于PGA 和ADC 之间。采用±15 V 作为主电源, 以获得出色的导通电阻性能,而其副供电轨则采用0 V 和5 V 电压。正常工作时,ADG5462F 允许信号通过,但会将PGA 的所有过电压输出箝位至0 V 和5 V 之间,以保护ADC。因 此,与前面的应用范例一样,目标信号输入范围会在平坦的 RON 工作区域中。
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+ g- S5 y1 A I: a$ x- f) b; w5 P' Z8 c+ B- e
0 E* `0 L8 V p2 ^图11.数据采集应用范例。总结
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" H6 P* N8 P6 \9 T; e3 \用具有过电压保护功能的模拟开关和多路复用器代替传统 分立保护器件可在精密信号链中提供多项系统优势。除了节 省电路板空间外,代替分立器件的性能优势也非常明显。 ADI公司提供多种具有过电压保护功能的模拟开关和多路复 用器。表1和表2列出了最新的故障保护器件产品系列。这些 产品系列采用专有的高电压和防闩锁工艺打造而成,能够为 精密信号链提供业界领先的性能和特性。 1 D0 K& a8 o2 U
产品系列汇总2 Y, G, l; l2 T
; \) a$ U" H( c! _( W" A表1.低导通电阻型故障保护开关 产品 配置 产品 | 配置 | 故障触发阈值 | 输出故障模式 | 故障标志 | ADG5412F8 m$ Y$ {, l% u& h
ADG5413F | 四通道SPST | 主电源 | 开路 | 普通标志 | ADG5412BF( q$ M0 u7 D4 q% `" U& m" s9 k
ADG5413BF | 四通道SPST和双向OVP | 主电源 | 开路 | 普通标志 | ADG5462F | 四通道保护器 | 副电源 | 拉至副电源或开路(默认) | 普通标志 | ADG5404F | 4:1多路复用 | 主电源 | 拉至副电源或开路(默认) | 普通标志和特殊标志 | ADG5436F | 双通道SPDT | 主电源 | 拉至副电源或开路(默认) | 普通标志和特殊标志 |
表2.低电容/低电荷注入型故障保护开关 产品 | 配置 | 故障触发阈值 | 输出故障模式 | 故障标志 | ADG5208F | 8:1多路复用器 | 主电源 | 拉至供电轨 | 无 | ADG5209F | 差分4:1多路复用器 | 主电源 | 拉至供电轨 | 无 | ADG5248F | 8:1多路复用器 | 副电源 | 拉至副电源 | 普通标志和特殊标志 | ADG5249F | 差分4:1多路复用器 | 副电源 | 拉至副电源 | 普通标志和特殊标志 | ADG5243F | 三通道SPDT | 副电源 | 拉至副电源 | 普通标志和特殊标志 | y' _! [+ k* U6 x0 w
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