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DDR布线全攻略与技术探讨

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1#
发表于 2009-8-10 15:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 hdjun 于 2009-8-10 16:13 编辑 2 e; T* k5 I& l5 r3 {
, T' K+ v" n( A. \$ _3 E8 r( r
使用allegro 对DDR布线进行设计,是我最近在做的工作,由于是第一次使用DDR ,很多问题不是很清楚,之前查阅了很多资料,现在将我的布线和约束步骤写出来,供后来人参考,其中也有很多技术问题需要向坛子里的高手请教,望不对的地方多多指正。0 v" o* Z" f. b

2 S5 R& y, x7 I( @# V5 E( u2 _DDR的布局布线约束众说纷纭,随便在网上找一下,都说的不一样,甚至有矛盾的地方,这让我着实苦恼的一整子,目前我能确定的基本约束有:
$ \3 D8 X1 A$ ?7 x" U. v( t5 P& }  P2 o. S# j6 z- k
1。RS RT的选用5 x$ p. a- Z9 u& M% I* E
5 z9 A$ t" j$ q+ t) J( U
    一般都要使用,但是在小负载,短距离的应用下,可以不使用RT ,甚至不适用RS。 目前我的设计使用的芯片是单片128MX8的DDR333的芯片,与FPGA中心距离在1900mil左右,使用了RT和RS。端接电源芯片使用LP2996,其实单片负载很小,如果不使用RT也是可以的,我认为。具体要看仿真结果,我比较懒,所以不管3721都用了。" R4 p  B$ F& ?0 P

3 Z% ~- w( W, m% [. Q, \     至于RS RT的摆放问题,也是众说纷纭,一般的正统的做法是将RT摆放在信号线尾端,并行端接。RS一般放在信号线的中间段(也有的说法是在双向时靠近DDR,因为有RT作用,驱动较强,单向,则靠近FPGA)其实一般的小负载短距离情况下,我想都没有问题。我的设计都是放在中间的。0 j: A8 F) Z  n  H
# w, Z3 ~# P# o  L3 J0 v
2. 时序等长约束
, J: G! x% P0 S2 X5 A& w* S' u* Y0 x& i5 w  ]% z3 l* X
    这个也有很多说法。我现在采用的是如下约束。如有不对的地方请指出。
8 e- A3 Z1 k6 g$ u4 s    A, 一个lane中的DQ DQS DM 等长(我使用的芯片只有一个lane) ,设置relative propagation 约束为 0:25mil,将DQS作为TARGET
0 p# V$ J% n+ A5 P% G6 Y    B, CK,CK#与DQS等长,容差在400mil,我使用的是total etch length 来约束,省去定义pin-pair
* U2 M( Y4 n) U( U* ~/ m+ a    C, 其余(地址线控制线命令线 ) 和  (CK,CK#) 等长,我设置relative propagation 约束为 400mil:400mil,将CK 或者CK #作为TARGET. 这一部分我不是很确定,因为有的网上down 的东西说,地址线不能比时钟线短(我想可能是和北桥有关,FPGA的设计好像没有关系,因为可以下沿锁出命令,呵呵,不知对不对,欢迎拍砖!),所以我的这样设置就使这些地址线长度分布在 (ck~ck+800mil)范围内,不知是否有问题。因为有的文献又说 地址线也要等长 ,甚至等长容差要在50 mil 以内,但是我个人觉的没有必要。不知高手们怎么看。望不吝赐教!# M$ W" S/ _$ P, N2 ~' r% ]7 J
    D,时钟线和DQS 不在同一层走线,或者相距较远,数据组组间间距12mil以上(这是约束设置的,实际走线平行线段尽量分开,减少串扰),线宽6mil, 组外间距14mil以上(这也是约束设置的,实际走线尽量分开,一开始我设置的是20mil,后来发现,到pin后,和电源脚相邻的pin都报DRC,原因是电源线比较粗,嫌麻烦我就都改成14mil 了,就没有DRC了),不知道兄弟们遇到这个问题怎么解决的。
2 c, A: z5 m) ]4 W- ~: Y
7 X  ?' U, P( e) f! d6 R7 C9 l   E. 使用 FPGA是BGA封装484PIN, BGA附近定义一个Constraint area 以区别一般的DDR spacing rules。使用default spacing rules (我的是6mil)。
: G- p. d  }0 F# e* s# l$ S! [
3 e/ K- I6 O! F5 H9 T3. 时钟线的匹配
, T" w. f$ ~# m, [+ q& A  I' h
* W+ P( M; A# X) Q2 w, \   差分阻抗控制在100-120欧姆之间(有的说是90-100欧姆,比较困惑。。。)。阻抗控制这个我决定找制版的人做,因为我们不知道工厂调节的板层间距和具体的Er值。相位延时误差在25mil,直接在CSM中设置差分线的phase tol. 为25mil 。其他的参数我使用的couple tol.=0.2 mil; uncoupled length (max)=100mil (gather controled)
1 E" Z& p3 w7 y# B: ^
! A  U+ j( U0 X' Z: k1 I+ ^' W   另外使用了100欧姆并行端接,和10欧姆的源端串行匹配。' y4 j$ s! r: G8 ^; w' G/ n
5 B- x: J  {' Q& _5 H
8 ?& z. B' ]' k/ z3 m
暂时想到的就这么多了,有不对的或者有疑问的,欢迎拍砖。

DDR_ROUTE.JPG (175.18 KB, 下载次数: 56)

附截图一张供参考,最近要投版了,如果有问题,请高手不吝赐教!

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评分

参与人数 2贡献 +12 收起 理由
袁荣盛 + 2 原创
deargds + 10 感谢分享

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该用户从未签到

2#
 楼主| 发表于 2009-8-10 16:06 | 只看该作者
没人顶啊,,后来我修改了约束C ,  其余(地址线控制线命令线 ) 和  (CK,CK#) 等长,我设置relative propagation 约束为 300mil:500mil, 因为,不好调整布线,改过后地址线组的长度范围在 ck-200~ck+800mil范围内,感觉比时钟线短一点,应该也没有问题的。不知大家怎么看。

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3#
发表于 2009-8-10 21:06 | 只看该作者
关于D那个间距问题! B' l7 T, U; e
可以在出现这种情况的引脚周围画一个约束区域解决这个问题

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4#
 楼主| 发表于 2009-8-10 21:30 | 只看该作者
恩,有点麻烦,我就没加了,呵呵,估计指定电源NET(Identify DC nets)也不行吧?

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5#
 楼主| 发表于 2009-8-10 23:47 | 只看该作者
3# 袁荣盛 2 I( i5 u, f& |) b: ~. r1 _  I0 G

! }8 b9 H+ }8 a: p3 u我想做先做一下阻抗控制,可是论坛的FTP好像登录不了,下载不了polar 软件,是不是有 版权问题啊,哪里可以下载到呢???借地一求啦,呵呵。。。

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6#
发表于 2009-8-11 09:38 | 只看该作者
本帖最后由 袁荣盛 于 2009-8-11 09:40 编辑
6 i- E6 |7 c% a! h. }# C1 n( L- Q' l- U; G$ ^1 l7 ?
http://www.sig007.com/rjxz/115.html

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7#
 楼主| 发表于 2009-8-11 19:09 | 只看该作者
非常感谢!!

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8#
发表于 2009-8-11 21:16 | 只看该作者
支持LZ分享经验

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9#
发表于 2009-8-12 16:46 | 只看该作者
支持分享实战经验哈- \$ e- A( U6 o0 n7 p6 q
我们也是准备做DDR2,感觉对这个约束什么的还是了解太少了5 `3 W1 o$ j- i3 o$ t8 ?/ L  S
以前的SDRAM最多133MHz,真是随便画都能用0 R' L! d- W2 G4 @3 m/ [& y- `$ r2 i

+ O. o7 o. f, H0 @" {: f讲的清楚的文档太少了,只能看内存厂家的东西了,都是时序之类的,太痛苦了

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10#
发表于 2009-12-1 14:57 | 只看该作者
谢谢楼主分享。。

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11#
发表于 2009-12-1 18:38 | 只看该作者
2# hdjun

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12#
发表于 2009-12-3 16:55 | 只看该作者
支持,一起学习。。

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13#
发表于 2010-2-19 01:38 | 只看该作者
顶一下
头像被屏蔽

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14#
发表于 2010-3-2 14:51 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽

该用户从未签到

15#
发表于 2010-3-12 10:10 | 只看该作者
楼主有不有DDR2接口的定义啊,我准备画插槽接口,都不知道如何接在FPGA上。。。。。。。
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