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请教关于PMOS管导通问题

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  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-6-11 15:23
  • 签到天数: 5 天

    [LV.2]偶尔看看I

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    1#
    发表于 2019-11-7 14:23 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    准备控制PMOS管的通断。
    / a" w! u; x6 X/ c) A$ @$ U" X现在有个疑惑:有看到直接控制PMOS管的G端来达到通断目的;也有在PMOS管G端再连接一个三极管,控制三极管的通断使PMOS管导通或关闭。请问这两者有什么区别呢,因为我想既然加了一个三极管控制,比起直接控制就多了一个环节,有这个必要吗?还有我准备用PWM控制,多了一个三极管会不会导致输出波形受到影响?本人菜鸟,还望大家不吝赐教,谢谢。) e* c5 [' Z; D9 x: |2 \0 p+ S7 c

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    该用户从未签到

    推荐
    发表于 2019-11-7 20:45 来自手机 | 只看该作者
    三极管作用是做控制电平转移,楼上回答的好。至于会不会影响PWM响应,要看三极管激励和负载电路的响应速度和所需要的精度。绝大多数情况下都能做到合理设计,不会成问题。如果要求非常快的响应速度,可以考虑采用发射极激励。MOSFET输出加电感不管你是出于什么考虑,要当心电感会在MOSFET截止瞬间产生很高的自感电动势击穿器件。

    该用户从未签到

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    发表于 2019-11-7 16:06 | 只看该作者
    增强型PMOS是低导通,用做电源开关的话,控制端的IO很少有这么高的电平可以直接关断,所以通过上拉到S端关断,并且用三极管实现低压控制高压

    点评

    的确这样的,毕竟很多IO只有1.8V,3.3V ,很多电源5V。12V  详情 回复 发表于 2019-11-8 09:23
    谢谢解答,大概明白了,就是说如果直接控制,IO口高电平3.3V导致不能小于VGS的最低导通电压,所以如果S端电压稍高一点就不能完全关断PMOS管  详情 回复 发表于 2019-11-7 16:58
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-6-11 15:23
  • 签到天数: 5 天

    [LV.2]偶尔看看I

    2#
     楼主| 发表于 2019-11-7 14:40 | 只看该作者
    还有在PMOS管的输出端(D端)有没有必要串一个电感再接负载呢?
  • TA的每日心情
    奋斗
    2022-6-11 15:23
  • 签到天数: 5 天

    [LV.2]偶尔看看I

    4#
     楼主| 发表于 2019-11-7 16:58 | 只看该作者
    amaryllis 发表于 2019-11-7 16:06
    9 [7 |# l; g3 w6 O7 [" Z. _增强型PMOS是低导通,用做电源开关的话,控制端的IO很少有这么高的电平可以直接关断,所以通过上拉到S端关 ...

    ; t  k) u: c5 n, g) `9 R" S2 @谢谢解答,大概明白了,就是说如果直接控制,IO口高电平3.3V导致不能小于VGS的最低导通电压,所以如果S端电压稍高一点就不能完全关断PMOS管

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2019-11-8 08:26 | 只看该作者
    学习了一下啊啊

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2019-11-8 09:23 | 只看该作者
    amaryllis 发表于 2019-11-7 16:06
    / k) X- L# T; i增强型PMOS是低导通,用做电源开关的话,控制端的IO很少有这么高的电平可以直接关断,所以通过上拉到S端关 ...

    * J% Q3 R4 g- c3 G5 J, Z的确这样的,毕竟很多IO只有1.8V,3.3V ,很多电源5V。12V
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  • TA的每日心情
    开心
    2020-3-18 15:31
  • 签到天数: 11 天

    [LV.3]偶尔看看II

    9#
    发表于 2019-11-8 09:34 | 只看该作者
    MOS管的控制信号一般是5V以上,数字电路的电平如果不够,那就需要增加一级驱动,另外MOS管的开关也需要一定的电流,一般的数字电路可能不足以提供MOS管开通关断过程需要的瞬间大电流,所以需要增加驱动电路

    该用户从未签到

    10#
    发表于 2019-11-8 09:57 | 只看该作者
    当控制电压不足以达到MOS管的导通电压时,需要要添加三极管控制电路,就比如说,控制5V的电压通断时,如果MCU的IO是3.3V电平的,此时如果直接使用IO控制G级,会出现MOS无法关闭的情况,因为即使IO输出高电平,此时的Vgs=-2V,Pmos 管是无法完全关闭的。增加三极管在频率不高的情况下是不影响的。若是电机应用的话,泽需要搭配前级驱动芯片

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-11-8 10:21 | 只看该作者
    當心DS會關不起來~

    该用户从未签到

    12#
    发表于 2019-11-8 14:16 | 只看该作者
    预防I/O口驱动不起

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2019-11-8 14:18 | 只看该作者
    学习了,多谢
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