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电阻R1的值越大发热越严重还是阻值越小发热越严重。

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发表于 2019-11-8 16:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图,开关电源主电路的开关管P1采用RC吸收,在电容C1的值相同的条件下,电阻R1的值越大发热越严重还是阻值越小发热越严重。请教大神,感谢!
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2#
发表于 2019-11-11 14:51 | 只看该作者
R=某个值发热最大,这个值就是最佳值,吸收效果最好的值。

该用户从未签到

3#
发表于 2019-11-11 14:54 | 只看该作者
吸收效果和发热没有什么关系吧。这种吸收的目的是为了降低MOS关断时的dv/dt,从吸收效果上看,电阻越小越好,最好是0,但电容充电后要靠MOS来放电,就得靠R来限制放电电流所以从这个角度来看R越大越好,前提是R的取值保证在最小的Ton的情况下能把电容电荷放完。为了解决快充慢放这个问题,一般会在电阻旁边并一个二极管(就是经典的RCD吸收),为电容充电的时候提供快速通道,同时减小了充电时的阻性损耗。9 t# f8 g# m6 q4 o
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    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2019-11-12 11:19 | 只看该作者
    电容吸收的尖峰能量会经过电阻消耗,容值确定的前提下,趋势是电阻越小,电压尖峰越小,因而发热也越小。但是二者关系并不是线性的
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