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【讨论】滤波电容和耦合电容

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1#
发表于 2009-8-30 21:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
1,滤波电容:看了些教程和设计指导书都是说在LAYOUT的时候要让小容值的电容要比大容值的先靠近POWER的输出口(主要指的是5V及以下的DCDC输出),这样滤波效果好,但是为什么呢?不是应该先是用大容值的大电容滤波先的吗??4 A: ~$ o: x+ P- _. {: ?
2,书上也说提供给IC电源口的电源要先经过耦合电容,之后再接入IC的电源口,那是滤波,稳压作用,那么问题是,要大容值的电容靠近IC电源口,抑或是小容值更靠近呢?为什么呢?

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2#
 楼主| 发表于 2009-9-1 11:22 | 只看该作者
个人解答:5 g2 ]- K/ S  ]& i; [
1,根据Z=1/(ωc),C容值越小,阻抗越低,高频噪声越容易走该返回路径,回到“地”。所以要小电容更靠近POWER的输出端
" s- \2 a( o3 y( K. w' S2,大电容要更靠近IC电容口,可以使其在模式切换的时候有足够的能量维持系统的工作
) G& v. ~. y' l+ A, t9 X) Q+ R+ |8 P( W) L% j9 b
请大家拍板

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3#
发表于 2009-9-1 12:51 | 只看该作者
第一条的回答是不正确的* [$ h) \2 L; v7 t) R
你可以找两个不同容值的电容看看他们的阻抗频率曲线

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4#
 楼主| 发表于 2009-9-1 19:57 | 只看该作者
如果不是阻抗问题,那么为什么需要各种大小不同容值的电容?有些电路还是推荐10nf,100nf,1000nf,10uf这样一直排下来呢~$ Z& Z6 O3 g; F, X8 r$ h
何必要小容值的更加靠近DCDC输出呢?
$ V5 w, N% l9 J# J负载有关系吗?; {2 V9 p" d2 I$ j+ h
请高手解答

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5#
发表于 2009-9-1 20:08 | 只看该作者
呵呵" Z2 R& i/ b. t  H) |
楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?# L2 E/ `1 i4 L4 `$ g( Z! ~7 D
在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果
7 B! a8 z8 z$ W, h现在的工艺中电容容值比较小的时候比较容易做到较小的ESL和ESR,因此在DCDC电源出口先放置小电容可以将DCDC中的高频干扰短路到地

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6#
 楼主| 发表于 2009-9-1 21:06 | 只看该作者
感谢楼上高手指点,工作忙晕了,搞错了。呵呵
/ u$ \" Z! m) p% R- X2 y# t原来由于ESL和ESR的影响需要先放置小电容,而大电容的ESL和ESR因为工艺的问题会相对小电容的大,所以需要大小电容互补~~~

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7#
 楼主| 发表于 2009-9-1 22:54 | 只看该作者
明天要查下阻抗频率曲线7 I. O7 X: H4 m0 g2 {; @; L: t
因为很多时候电路都是用了人家的Reference sheet,囫囵吞枣的接受,自己没有分析注意细节的东西,出问题才研究,那就晚了

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8#
发表于 2009-9-2 10:41 | 只看该作者
呵呵
6 C1 p6 Z0 G) i: L# F; R楼主的分析很有意思,自己写的Z=1/(ωc),C越小Z阻抗自然越大了,怎么会说阻抗越低呢?: g8 W# H9 [7 U2 R& ~
在频率很高和边沿斜率很高的情况下,电容不应当在看作纯粹的电容了,而是要考虑ESL和ESR的效果+ l: v# [' l" G1 [
现在的工艺中电容容值比 ...
8 j- O+ B1 p3 [; R# ]7 T# YJuger 发表于 2009-9-1 20:08
; d, V& a% j! Y- P* d" D% ?+ H
8 ^( s" Y1 N+ p! h  `" U
最后的说法是不符合客观事实的* R+ o- n9 l6 T8 O) e# t" C% p3 i
小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大
' k0 b1 _. |3 n- l+ A不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
+ x( \) h% g( C电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f* h& w  w6 z4 C6 V0 }
当后面的wL=1/wc的时候,电容的阻抗最小,其值等于ESR
( Q1 M+ ^2 j* L) a9 c而这个频率点就是电容的谐振频率f=[1/4*pi*pi*(LC)]1/20 K! A/ ^5 h+ k0 I' Q. `
可见电容的容值越小,寄生电感越小,其谐振频率就越高,越能滤除高频杂波信号

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9#
 楼主| 发表于 2009-9-3 11:14 | 只看该作者
最后的说法是不符合客观事实的
0 h% w2 I" z7 y$ j; C5 g0 K. i; I小电容值的电容的ESR一般要比电解电容等大电容的ESR要大7 S% G" x# r  a7 u
不过ESL的确是贴片的电容比引线电容要小很多
" B. @& v3 |( o! d5 B电容的阻抗z=zESR+i(wL-1/wc)         其中w是角频率,等于2×pi×f
5 K2 ]; `4 P3 r+ }1 \( ]4 t当 ...* u* k5 J8 d8 N9 l9 |
袁荣盛 发表于 2009-9-2 10:41

+ y, Y! q# U, H
4 p8 _" N" C, Z6 ~  z4 N既然大容值电解电容的ESR既然比其他小容值的小,那么聚合物电容的ESR的大小是介于两者之间吗?/ X4 M6 @- W8 N* Z' ]- A) \
请问有相关资料吗?! U/ X! U0 L! W! v& f
那样以后我们分析这些问题的时候真的要从基本的入手了
9 e0 h7 g* F( |1 r找了半天,公司那些电容的承认书都是没有频率阻抗特性图的~~郁闷啊

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10#
发表于 2009-9-4 11:29 | 只看该作者
其实在低频的时候放钱放后都没有多大的关系。7 Z4 I; ^. t" @5 T
: E1 [- ^$ t$ W& |$ E* i1 m: T
主要是在高速信号的时候要考虑到这个问题,上面很多都已经提到了告诉信号的问题。
4 o& M1 S8 o' H7 ^# D% [# t
/ {2 i9 M- J8 c0 P" t大家可以去看一下信号完整性,上面对电容的作用做了很深刻的分析。

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11#
发表于 2009-9-7 09:16 | 只看该作者
8楼说的对 其余的不全对

该用户从未签到

12#
发表于 2009-11-5 16:03 | 只看该作者
去耦电容有一个概念去耦半径,电容只有放在这区域内才有作用,一般小电容谐振频率高,去耦半径比较小,所以要靠近芯片放置,而大电容谐振频率低,波长长,去耦半径较大。论坛上有关于这方面的帖子,可以找找
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