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[电子大赛] 2015年全国大学生电子设计竞赛双向DCDC电源设计报告资料

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发表于 2019-12-2 18:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本系统以Buck 和Boost 并联,实现双向DC-DC 交换,以STM32 为核心控; o1 ?) t" u2 c) }4 v+ p$ c/ m
制芯片。Buck 降压模块使用XL4016 开关降压型转换芯片,通过单片机闭环实
: f  q- p7 k0 \' r" Q- R3 R) Z现恒流输出控制。放电回路选择Boost 升压模块,以UC3843 作为PWM 控制器,* U9 a( L4 l$ z% ]' X
组成电压负反馈系统,通过调整PWM 的占空比,实现稳压输出。系统能自动检7 e/ U: K- V! k+ h5 K
测外部电源电压变化, 在负载端电源较高时自动切换成充电模式, 反之切换为放5 T  o# W/ I1 i5 z8 b6 Q7 x
电状态。系统具有过流、过压保护功能, 并可对输出电压、电流进行测量和显示。
/ G! x* @) P6 y- x7 Q  r* ]
! M, {& g7 [* h, i! j4 x双向DC-DC 变换器( A 题)
- ]2 _2 c" z6 @【本科组】  H- e+ t8 m" O8 f
1 系统方案4 |  ~! g" _2 U! Y( G
系统要求效率, 所以恒压输出、稳流输出都应采用开关电路, 鉴于本题目要求的功( W& T* v$ \2 s! U0 m
能,系统主要由恒压控制模块、恒流控制模块组成,另为了灵活调整输出参数并实时监
' J  K$ \% c$ d) c& P控系统工作状态,运用单片机控制技术,还有支持系统控制系统工作的辅助电源。+ V' A* Y: O0 B- c8 V, p. }. B/ u7 q
1.1 升、降压电路的论证与选择
. @7 W# x9 G) h方案一:采用线性电源电路。线性控制电路控制简洁,输出波形指标良好,电路简, R  [+ i9 z8 B0 U9 s; ~5 t
单,但缺点是效率极低, 在当前的大功率电源应用场合已被淘汰, 因题目对效率的要求,
7 L3 L, a' u* K, r: N6 g) i/ r7 @这里不能采用线性电源。6 ]! J/ }. G% n
方案二:正激、反激变换器。电源调整管工作在开关状态,优化调整后其效率远高/ V' E1 J) {# `# E$ i
于线性电源;且有可以有灵活的参数设计满足不同的需求; 有大量产品级方案可供借鉴,' j* I' s9 `2 X* _4 r; W# j
实现起来难度不大。
( o# T. r5 ~' O! K  t5 K方案三:当前流行的开关电源大多基于Buck、Boost 基本电路拓扑结构或他们的结- g( e3 |- U; R8 d! G+ z, h
合,在对题目进行仔细分析后,系统需求的尽是升压和降压,在Buck、Boost 基础上附' f  {5 E$ I8 k0 f
加反馈控制就可完成任务,这样还可以省略繁杂的变压器参数设计,因电路简洁实现起
5 b# |0 ~9 }( X来更加容易。并且因为使用较少的常规元件,节省成本提高可靠性,符合产品设计的思
6 v+ x5 g$ v: v路。* c+ S3 q3 l2 P2 C' ?1 }
综合以上分析,选择方案三。$ f# L/ |9 P6 X$ ^3 {
1.2 系统组成及控制方法1 L6 L8 R5 h( O5 {
方案一:系统由Buck、Boost 模块实现升压、降压任务,各模块所需PWM 信号的2 Z& M9 n7 j& z
由单片机提供,单片机AD 采集实时输出量,经运算后通过改变占空比调整模块工作状
7 [0 I0 z* y, K: Z# `; i5 r2 M5 G! k态。该方案电路最简单,各种控制灵活,缺点有单片机运算量过大,开关信号占空比受
" L  Z% A* u( p单片机限制,浮点运算的时延影响电路跟随,另外单片机容易受到功率管开关干扰而失
9 ^( Y6 J9 ]$ K; @灵。1 \5 `" j( v3 }$ B' b* W/ r! S
方案二:使用振荡器、比较器产生PWM 波,由负反馈电路实现输出控制,单片机
; h; Y: w/ z6 E  Y) R负责状态切换和测量显示,该方案原理易于理解,但自己装调的PWM 电路在开关时容% Y  @( }5 M; I. M2 C5 V9 M' l
易出现振铃毛刺,直接影响了系统效率,并且要完善反馈控制对回馈信号要求较高。9 V  x1 U" M/ o, x
方案三:借用现有成熟PWM 控制器,该类集成电路输出波形好,工作稳定,都具
7 ^' t+ k* Y8 J) z1 |备至少一个反馈控制引脚,按照厂商提供的典型电路就可装调出应用电路。但这类电路* F. H5 b( J+ Q# O8 B4 x
一般针对专用场合设计,借用时需要较多设计计算,特别是该类芯片的反馈有极高的控  C3 \+ u* o9 B$ W5 h$ j0 ~% V
制灵敏度,在单片机参与时需要较多改动。3 G4 f, Y4 O) r/ Y
为提高系统性能选择方案三, 降压回路使用XL4016,升压回路以UC3843 为核心,) o) d$ `; `5 C% w8 j$ m
2
3 ~: M3 j0 _9 S* j控制单片机使用STM32,有很高的工作速度、丰富的外围资源,可以很好地完成系统* l/ Y) [4 n) Z0 T2 K: p7 _
控制任务。' {7 V% \0 U, n- g8 V
2 系统理论分析与计算, y% |; ?: B5 N* X
2.1 电路设计与分析
* L% a; f& _6 x" R" y2.1.1 提高效率的方法, C, A1 J4 C+ i
在电路的设计过程中, 找到了影响系统效率的主要因素有三点: 功率变换器开关器
. B7 J; V2 c& E) O6 s件的开关损耗;感性元件的铁损和铜损;控制电路的损耗。.
7 {/ v" \: U& C所以提高系统效率,我们可以从这三方面出发。
, {& M) G3 F$ L7 ^. J( ]0 e" t1.开关器件的损耗不可避免, 但是可以采用低功耗的开关管和二极管。采用MOS
2 _) \4 J; b7 X8 X. L7 {! i管做为开关管, IRF540 型MOS 管开关损耗小,其只在导通期间由开关损耗,适合频率
0 A' U+ a; x0 M, C1 i比较高的工作场合。采用肖特基二极管做为续流二极管,耐压高,损耗小。如此选择器" c2 V# P" @* w. T0 Y/ \
件可以降低开关器件的损耗,提高系统效率。/ |" Q+ W: C7 N# n% c! T
2.通过理论和实践验证,电感越大,纹波电流越小,电感损耗越大。所以在满足要
" U% g( v" u$ H+ O4 ]求的条件下减小电感,并且严格按照要求绕制电感,减小磁隙,线圈紧凑等。
; P4 R- w# {1 V. P/ j0 V1 U# w2 Z3.在焊接时合理安排布局, 减少开关信号走线的连接, 可以在布局布线上减小损耗。
- F( j9 u' H* D* l. Q9 y2.1.2 控制回路分析
% ?) c3 q3 k8 f, A1.恒流输出:在输出端检测采样电阻的电压,因为信号很小,经过20 倍放大送至
% ]" i+ ^1 A/ x( O* [  j单片机,单片机将处理结果, 经误差放大器送至XL4016 的反馈端FB。FB 与内部1.25V
+ H# w, M$ F! j1 |1 f基准电压比较,控制PWM 信号,进而达到控制输出电流。经过闭环负反馈系统控制,; Y4 H* I( ~  d4 p
可以使输出电流恒定,起到了过流保护作用。6 z! {1 T/ {% p/ m# |8 c
2.自动切换:由单片机采集30 欧负载两端电压,当电压低于30V 时,系统工作在% P8 B" _, ]" y. t+ H  n
放电模式;当电压高于30V 时,系统工作在充电模式。此外,还可以手动切换工作模式。
: L' j1 o& I! G9 S; _0 u3.液晶显示:使用12864 液晶屏,显示电池组的充电电流和充电电压。充电电压是
# z0 c$ f, k2 Y3 H6 L$ }0 O3 I采集XL4016 输出端的电压,当电压大于24V 时,断开充电模式。充电电流同XL40165 M% z9 q3 q+ a, z+ w! T/ X
反馈的电流信号,在单片机内部换算并显示。. ]3 O6 E2 [" |
2.2 控制方法分析
" W9 [7 y3 M- N: @. K2 A  eUC3843 是高性能固定频率电流模式控制器,电压负反馈均衡控制,每周期由斜波
. J4 Z& R# P. F! m$ H( [) L电流峰值关断。UC3843 的振荡频率由RT/CT 引脚接的电阻电容决定,系统的开关频率% D: i( V  F" L7 K6 l
为f=1.8(RT*CT )=60KHz。PWM 以60 KHz 的频率控制开关管的导通截止,电感L
4 P6 w) K! Y% B7 _8 c0 G储存并释放能量。PWM 的占空比越大,开关管的导通时间越长,电感存储的能量越大;
2 J# @/ R& w8 o8 E1 ^相反电感存储的能量越小。
. y: I0 R& Y) ]& S5 @, I稳压过程有两个闭环系统来控制,分别是恒压输出和过流保护。
' k! i4 ?& Z1 G* f3 T) ~恒压输出:在输出端通过电阻分压采集比例电压信号, 经电压误差比较器后平滑滤* d3 q- e# \5 `% P
波。积分器的电容大小影响系统的调节速度,即影响指标中输出的动态响应时间。当采
8 V0 n1 w/ s, p: f" r/ T  Z3
# g3 ?( |" S- @集的电压小于内部2.5V 基准电压,使PWM 调节器的输出脉宽增加,从而影响输出电' R; U6 |3 [8 ]
压调节幅度。) o9 O3 {7 ]  ]" \2 M9 G
2.3 升压、降压电路参数计算2 v) ]% k! X# ], n
2.3.1 元件选取  y' F2 g4 H  g2 D* F1 D- ^
1.MOS 管的选取5 t2 j$ n5 M' \1 t$ ]8 n/ t# @
根据主电路中的工作电压及电流,结合MOS 管的耐压、耐流及损耗性能,电力晶
  M7 N7 V8 E; k1 j7 m体管耐压高,且开关损耗大,适合工作频率比较低的场合,电力场效应管耐压比较低,
' K/ F. W5 i* ?3 S1 |( ]但是开关损耗小,适合频率比较高的工作场合。根据这里的情况,我们选用了。考虑到
- Z5 {  `- u4 [6 {& @6 O实际电压电流尖峰和冲击, 电压电流耐量分别取2.5和2 倍裕量,即应选取耐压高于40V,& V4 W0 X" i9 d
最大电流33A。实际选用IRF540 型MOS 管。3 Y' H( m# q- E
2.二极管的选取
8 _. E9 h( h1 W, e) h; u为降低续流二极管的导通压降, 减少功率损耗, 提高效率, 选用肖特基二极管作为
4 f! l) ^# u4 N' O9 B续流二极管。根据主回路中的工作电压及电流,结合肖特基二极管的耐压、耐流及损耗
3 [# S. v7 X* I# U- M" `性能,选用IN4746 耐压40V 最大电流为30A。
) w/ f6 Q8 X& ~  x/ J+ n; U
/ c0 Q7 \/ v- O
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