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1、场效应管是电压控制元件，而三极管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管。而在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应用三极管。' H$ A/ ` l6 k% @
2、场效应管靠多子导电，管中运动的只是一种极性的载流子；三极管既用多子，又利用少子。由于多子浓度不易受外因的影响，因此在环境变化较强烈的场合，采用场效应管比较合适。8 Q7 J; E. ^- c. B/ G# v! d1 C
3、场效应管的输入电阻高，适用于高输入电阻的场合。场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级。9 x$ h# l, R; I9 ]: Y
4、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流。场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流。# t, |5 ~- h/ l( B
5、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。而场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子。
/ P6 U" G+ `- r9 Q% H- l+ G/ b 三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。( X4 ~# H+ Z- d$ m6 k+ L5 c8 |1 x
晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。
# G8 t8 t1 M* ^6 w- K% n 场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。9 Z- r" u4 Q" i
场效应器件凭借其低功耗、性能稳定、抗辐射能力强等优势，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护二极管，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。 ~6 h! }% T8 z# Q ~
N沟道STP3NK90Z的参数
0 t2 o3 x- b5 L u 沟道类型：N沟道! Y, X* b/ A9 b9 W4 |. U6 q
封装外形：CER-DIP/陶瓷直插* U. G e5 A' [* B6 c9 k9 v
封装：DIP1 e/ x4 Q& C- z
型号：2SK }* K. K7 K9 G# R- Q, w& z7 X( A
导电方式：增强型
3 {$ r1 s( L$ J) L; n% H, o 材料：N-FET硅N沟道! I& d) `+ ]3 \
种类：绝缘栅(MOSFET)0 [5 _ [% o- V) P0 b
用途：CC/恒流+ d! h& z: R" ]* J0 @6 j9 [, h
批号：17+
& p( K9 p2 }& p, L" a- ~ 封装形式Package：TO-220
+ a3 I% d! a: y. Q5 S 极性Polarity：N-CH
6 g& u3 r( s* F 漏源极击穿电压VDSS：900V2 F! W* a7 s, I% F) u6 o% j3 o
连续漏极电流ID：3A0 l6 y3 l. I2 a! }+ w( J7 w5 f+ C- u
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发表于 2019-12-6 15:39
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