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高速连接器金手指部分阻抗计算(路过的亲们帮忙支持下PCB设计大赛171号,谢谢!)

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发表于 2019-12-7 12:40 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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1 / 36 i4 p: H$ C. z% h" K
高速连接器金手指部分阻抗计算; F& `# p4 S6 S8 t  B# G' H4 u
说明:关于高速连接器金手指部分的参考面挖空处理的问题,之前已经发布过挖空规则,规则为便于统
5 |3 t1 }1 N6 d7 g0 i一的保守规则,如果客户对此处的阻抗要求的较高,可采用本文共面阻抗的方式来计算。
6 @( S' L$ G. d' b- g  {1. 测量金手指的宽度及间距1 v( x$ ^; n3 G

5 P* R9 s3 J/ g3 U- g# ?金手指宽度为28mil,见下图:  H9 t* C5 h' k" V+ h
. M6 r8 L& n# o3 V* r
2 / 3' e. P8 _# z2 k4 R& G2 a2 P$ L
金手指间距11.37mil; p9 Q  {! W) R$ {$ Y1 z1 @

: o4 C6 S. C" U! S; P8 \% \' U, `2. 采用共面方式计算阻抗(Polar Si9000): j! b' S+ d: N" }) t
在Polar Si9000 界面中选择,在左侧列表中选择,此即为计算金手指共面阻抗的模型
# Y; S& v' M  \" Q: ~ 1 z, C5 d7 S5 @9 I* H
将金手指的宽度和间距分别按右侧列表中线宽、线距、共面GND 宽度对应填入,根据板材和表层铜
$ G; W! H3 ?( ]) B. S厚填入对应的介电常数和成品铜厚值,然后通过修改H1 值(即表层走线不参考面之间的间距)来计算$ ?$ A1 K9 B- r- z) h
共面阻抗。挖空的层数丌同,参考面的距离即H1 值也会随之变化,选择接近目标阻抗的挖空层数即可。- B1 `% G4 C7 y2 W# v6 _8 n; y
此方式至少保留两层GND 参考面,即使阻抗偏低一些也尽量保留,减少对外干扰。(挖空一层参考面阻
+ v. J9 c+ O# |& d/ ^4 g抗相对丌挖时即会大大改善,可以通过上述的阻抗计算来验证。)
/ ~0 |/ \1 A6 f: c& bPCIE 连接器等两面挖空的情况,中间最好保留两层参考面。对下面的叠层而言,如果保留中间两层- B: d+ k+ N7 S! ^, c6 t/ C) s
3 / 31 W4 v8 k) |; B8 F, X9 @5 U
参考面即POWER04 和POWER05(金手指部分的参考面一定要是GND,如果中间两层是POWER 层,- L  ?8 E  Q6 B  t3 [& u
金手指区域也要修改成GND)。则H1 为3.9+1.2+5.2+1.2+12=23.5mil4 M# Z, d9 T1 a6 f+ A

4 x3 @* e5 A9 F( b: ^% ^. L- lH1 为23.5mil 时,阻抗为89 欧姆,对PCIE 2.0 而言阻抗稍偏低,可以接受。; \0 a6 N% v/ @* f* K9 l

0 z& ?8 z/ B4 M. D; o2 O下图中为参考面完全未挖空的阻抗,H1 为3.9mil,阻抗仅有37.5 欧姆。
; k: R1 ^, s4 I1 a/ x5 A
; D  p# e8 A5 Q' q3 Z% I注:金手指下参考面挖空时,挖空区域附近丌要有其他信号线穿过,尽量净空,避免彼此干扰。
3 l+ p0 W) E# a: y$ G
; ]8 Y& j6 i" V1 ^$ Y2 c最后如果觉的此贴还可以的话,请帮忙去支持下PCB设计大赛171号!以下为链接:0 i: e0 \: t% e$ ?( S. G
https://www.eda365.com/forum-371-1.html
: U( `* y, d: |0 x同时也可以扫码支持哦!见下图:/ {' {8 Y/ D6 b7 b3 n: R) p/ V
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  • TA的每日心情
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    [LV.9]以坛为家II

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    发表于 2019-12-7 14:46 | 只看该作者
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    先帮忙投个,后面陆续分享  详情 回复 发表于 2019-12-7 17:33

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     楼主| 发表于 2019-12-7 17:33 | 只看该作者
    zc333 发表于 2019-12-7 14:46+ X: W. w! u: \- g! S- X
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