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[电子大赛] 2015年全国大学生电子设计竞赛双向DCDC电源设计报告

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发表于 2019-12-10 10:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
摘要;
* E: L( S# Y0 G# c本系统以Buck 和Boost 并联,实现双向DC-DC 交换,以STM32 为核心控
9 T, w/ U5 k+ U制芯片。Buck 降压模块使用XL4016 开关降压型转换芯片,通过单片机闭环实
' `: L0 q% c! ~现恒流输出控制。放电回路选择Boost 升压模块,以UC3843 作为PWM 控制器,
" k7 G% q* U- d( G, Y组成电压负反馈系统,通过调整PWM 的占空比,实现稳压输出。系统能自动检2 ~; u: x; ]7 E1 x: q: q# i
测外部电源电压变化, 在负载端电源较高时自动切换成充电模式, 反之切换为放
# K8 w) [: B2 `- w电状态。系统具有过流、过压保护功能, 并可对输出电压、电流进行测量和显示。/ \7 W/ r0 R" d+ S+ E
  O/ P1 o% @, @
目录9 o7 J' H. h& L& `4 J8 n
1 系统方案................................................................... 1
1 J1 e2 g+ U" f1.1 升、降压电路的论证与选择............................................................................................ 1
8 D3 A1 l' Q1 s. }( p  U2 I7 o1.2 系统组成及控制方法........................................................................................................ 18 f. `& w6 ?+ b# I9 {
2 系统理论分析与计算......................................................... 2" v: Z- R, s5 t' q5 l# c' t, c
2.1 电路设计与分析................................................................................................................ 2
4 e# G% G# n3 c% \3 E2.1.1 提高效率的方法..................................................................................................... 2
$ n) \+ ^. l  C. t, j5 C: P2.1.2 控制回路分析......................................................................................................... 2' b4 ^8 \% u& |5 M/ w, j1 I
2.2 控制方法分析.................................................................................................................... 2: c& s, n% `, A: d
2.3 升压、降压电路参数计算................................................................................................ 3
) E) l  @6 H0 W+ n+ F3 h2.3.1 元件选取................................................................................................................. 3
* j* A) B+ s: ~) z/ E- V2.3.2 电感计算................................................................................................................. 3
/ D2 Y5 T! S7 Q/ s9 ^3 电路与程序设计............................................................. 4' Z/ B- j3 c" g: h! u$ v
3.1 电路的设计......................................................................................................................... 4
, `& j2 {' ^. l* R$ n8 F3.1.1 系统总体框图.......................................................................................................... 4
) Q% y4 q$ D# M3 e2 e) S5 S3.1.2 充电系统原理......................................................................................................... 4( K1 h( O" |! F# `$ f4 H" O8 }
3.1.3 放电系统原理......................................................................................................... 5
( f" @8 s/ h3 u  A3.2 程序的设计......................................................................................................................... 53 C3 @- f3 ^/ J2 R( E
3.2.1 程序功能描述与设计思路...................................................................................... 5) w7 m9 \: v1 i  X
3.2.2 程序流程图.............................................................................................................. 56 y2 F% k9 M' F5 @( Y/ u2 B
4 测试方案与测试结果......................................................... 6
2 z9 T/ k0 B* i9 i. J4.1 测试方案............................................................................................................................. 6+ k7 N# w; \3 {* w( D
4.2 测试条件与仪器................................................................................................................ 71 p7 B3 ^7 H8 C  j% M4 ^" ?" v
4.3 测试结果及分析................................................................................................................ 75 t1 J. y3 K5 h- i! R" m
4.3.1 测试结果(数据) ....................................................................................................... 7; |: S( B7 s# {
4.3.2 测试分析与结论...................................................................................................... 7
) b+ P: e/ v% O( h$ O附录1:电路原理及实物....................................................... 8
. q/ Y# p2 j' F8 ~7 i* U5 H! c附录2:主要程序片段......................................................... 9
. Q- a1 X$ E  Z! ~1. s6 P# n: K1 ~) M- |1 O; |% |, i
双向DC-DC 变换器( A 题)
. g, {3 Y& I. e' U【本科组】
( S* @7 r9 P9 l$ Q. o* l1 系统方案! y- _( f7 h7 A, F
系统要求效率, 所以恒压输出、稳流输出都应采用开关电路, 鉴于本题目要求的功) {1 u( ]' f/ ?$ ~; }( Z+ R
能,系统主要由恒压控制模块、恒流控制模块组成,另为了灵活调整输出参数并实时监
) Y8 Q5 w; X, g" o) y控系统工作状态,运用单片机控制技术,还有支持系统控制系统工作的辅助电源。( ]) x# [0 X0 V- }0 d
1.1 升、降压电路的论证与选择
7 [1 N5 ?6 w/ Q5 w# C& t9 x方案一:采用线性电源电路。线性控制电路控制简洁,输出波形指标良好,电路简0 @' N% @7 x' h! m/ J3 s
单,但缺点是效率极低, 在当前的大功率电源应用场合已被淘汰, 因题目对效率的要求,
: v+ \1 }( D9 c0 o- e* q这里不能采用线性电源。) J8 K  c) ]* g9 V8 }
方案二:正激、反激变换器。电源调整管工作在开关状态,优化调整后其效率远高( c. N" ^5 y% r1 j- {
于线性电源;且有可以有灵活的参数设计满足不同的需求; 有大量产品级方案可供借鉴,
  g, A! f6 |& u* O6 E实现起来难度不大。
0 n  |/ j0 j3 Z# `4 G( v6 l0 F# L方案三:当前流行的开关电源大多基于Buck、Boost 基本电路拓扑结构或他们的结
+ o" v" O& G, h' F合,在对题目进行仔细分析后,系统需求的尽是升压和降压,在Buck、Boost 基础上附
5 P; [/ m9 U/ T! F7 b8 R加反馈控制就可完成任务,这样还可以省略繁杂的变压器参数设计,因电路简洁实现起, e4 R$ W9 a+ t4 L  ~8 c4 Y
来更加容易。并且因为使用较少的常规元件,节省成本提高可靠性,符合产品设计的思: D$ q. B1 u7 Z+ Q
路。+ W( E# w5 K5 ^  G
综合以上分析,选择方案三。; D9 q" f* ?3 F: x" W; f
1.2 系统组成及控制方法' R' v9 t* z  j" \2 Y% M
方案一:系统由Buck、Boost 模块实现升压、降压任务,各模块所需PWM 信号的
! l) `" U* j. }& Z3 Z( [由单片机提供,单片机AD 采集实时输出量,经运算后通过改变占空比调整模块工作状  C7 r- ~" a) Y: s
态。该方案电路最简单,各种控制灵活,缺点有单片机运算量过大,开关信号占空比受
( |  x$ h) ~9 `, G( w7 A/ u单片机限制,浮点运算的时延影响电路跟随,另外单片机容易受到功率管开关干扰而失
% G. ~* J- R! ]2 y7 b灵。4 P' b) q' }6 ?' c
方案二:使用振荡器、比较器产生PWM 波,由负反馈电路实现输出控制,单片机4 o' b/ K, j3 w. l
负责状态切换和测量显示,该方案原理易于理解,但自己装调的PWM 电路在开关时容
& @& X" I$ y  r) \8 w, R易出现振铃毛刺,直接影响了系统效率,并且要完善反馈控制对回馈信号要求较高。
* U% t- w2 `6 Q+ W* x  H, u方案三:借用现有成熟PWM 控制器,该类集成电路输出波形好,工作稳定,都具3 ]5 r8 N" \, h% S# z! Y0 |) q+ M2 L
备至少一个反馈控制引脚,按照厂商提供的典型电路就可装调出应用电路。但这类电路
6 [) q  s, ^" M& a一般针对专用场合设计,借用时需要较多设计计算,特别是该类芯片的反馈有极高的控5 Z) j; ~. I5 u/ `0 I
制灵敏度,在单片机参与时需要较多改动。9 i* ^! t) E  ~) q/ ], K
为提高系统性能选择方案三, 降压回路使用XL4016,升压回路以UC3843 为核心,
* y0 D7 K) `% {$ f+ y. z( Y, |2& [! @  g3 S* O
控制单片机使用STM32,有很高的工作速度、丰富的外围资源,可以很好地完成系统
: @1 i0 ]; o  r8 n, n# P% J1 a控制任务。! e0 ?& c$ s% V% K- M# i8 u
2 系统理论分析与计算$ J) M! a) d9 N1 e
2.1 电路设计与分析
9 |- u. }. d* i6 c% v  _5 y7 @2.1.1 提高效率的方法
2 x# b/ p; P7 L3 @+ |+ ^8 Q在电路的设计过程中, 找到了影响系统效率的主要因素有三点: 功率变换器开关器
, d9 `% b5 u2 `9 A件的开关损耗;感性元件的铁损和铜损;控制电路的损耗。.
: ?) Q1 T0 s( q0 `所以提高系统效率,我们可以从这三方面出发。3 q. F; o+ L, J8 {1 x5 Q9 W
1.开关器件的损耗不可避免, 但是可以采用低功耗的开关管和二极管。采用MOS* {" K- }$ L" R7 q2 m3 l  E/ ~$ e
管做为开关管, IRF540 型MOS 管开关损耗小,其只在导通期间由开关损耗,适合频率
6 Z/ {% ?. a# s/ L比较高的工作场合。采用肖特基二极管做为续流二极管,耐压高,损耗小。如此选择器$ h4 U  Z( O  h
件可以降低开关器件的损耗,提高系统效率。3 j2 k- P7 ~1 n- B
2.通过理论和实践验证,电感越大,纹波电流越小,电感损耗越大。所以在满足要' Z9 b1 D/ _. s2 K9 j
求的条件下减小电感,并且严格按照要求绕制电感,减小磁隙,线圈紧凑等。! N1 ?  Z4 M) E; h) k/ ]9 v8 [* o
3.在焊接时合理安排布局, 减少开关信号走线的连接, 可以在布局布线上减小损耗。. e' o: t) T0 @; `$ r
2.1.2 控制回路分析( {) A. a5 N: e# r0 z- {
1.恒流输出:在输出端检测采样电阻的电压,因为信号很小,经过20 倍放大送至* {2 b" q; t1 t- b8 g/ k
单片机,单片机将处理结果, 经误差放大器送至XL4016 的反馈端FB。FB 与内部1.25V
+ ^  ^1 j7 [$ K2 U& C$ u基准电压比较,控制PWM 信号,进而达到控制输出电流。经过闭环负反馈系统控制,
$ O" Z; m! a$ o+ U$ v$ ]可以使输出电流恒定,起到了过流保护作用。
  A$ W$ a( v/ b1 {, _# o. J" _2.自动切换:由单片机采集30 欧负载两端电压,当电压低于30V 时,系统工作在3 v+ o: ^. P* ~; t
放电模式;当电压高于30V 时,系统工作在充电模式。此外,还可以手动切换工作模式。
( y4 L6 z8 a! s; H3.液晶显示:使用12864 液晶屏,显示电池组的充电电流和充电电压。充电电压是- ~# K6 @0 x: R& b; U6 y# f
采集XL4016 输出端的电压,当电压大于24V 时,断开充电模式。充电电流同XL4016
- V/ {; r! b; b6 ]5 J* ]& ]反馈的电流信号,在单片机内部换算并显示。
) v1 O$ \3 k" _0 o2.2 控制方法分析; _+ @/ C+ K: v1 O8 Q0 K
UC3843 是高性能固定频率电流模式控制器,电压负反馈均衡控制,每周期由斜波& ~# f7 S; i1 c
电流峰值关断。UC3843 的振荡频率由RT/CT 引脚接的电阻电容决定,系统的开关频率, G3 f* k5 ?0 [( G
为f=1.8(RT*CT )=60KHz。PWM 以60 KHz 的频率控制开关管的导通截止,电感L
' M# J% ]0 J$ ~) T* w- ]0 f) E储存并释放能量。PWM 的占空比越大,开关管的导通时间越长,电感存储的能量越大;
8 _9 {( s# s! a" Q相反电感存储的能量越小。
' s3 k) N! Z; C$ y1 E稳压过程有两个闭环系统来控制,分别是恒压输出和过流保护。
" b6 L- G& K" i# H. q5 U7 O% t恒压输出:在输出端通过电阻分压采集比例电压信号, 经电压误差比较器后平滑滤5 @- e5 |. p$ o8 ^! m
波。积分器的电容大小影响系统的调节速度,即影响指标中输出的动态响应时间。当采4 n0 v; h) T. U7 R2 h
3
) r. _' }) _, k8 f6 W# D1 @集的电压小于内部2.5V 基准电压,使PWM 调节器的输出脉宽增加,从而影响输出电5 D% s* q7 l4 S7 g
压调节幅度。
( J' M! I! e9 P$ S/ t2.3 升压、降压电路参数计算) c+ v+ T7 b& M* v5 {; B9 T: I
2.3.1 元件选取
0 }6 F; L- g" p, u6 f: w, @9 ^1.MOS 管的选取) ~( @0 ?$ a, M
根据主电路中的工作电压及电流,结合MOS 管的耐压、耐流及损耗性能,电力晶% o+ c1 e  @7 w4 Z4 s1 i
体管耐压高,且开关损耗大,适合工作频率比较低的场合,电力场效应管耐压比较低,
2 F3 c- P# E* V' W/ a. B但是开关损耗小,适合频率比较高的工作场合。根据这里的情况,我们选用了。考虑到2 p2 ^6 n% q3 J. O* |
实际电压电流尖峰和冲击, 电压电流耐量分别取2.5和2 倍裕量,即应选取耐压高于40V,/ h3 e6 ~6 z3 u9 \
最大电流33A。实际选用IRF540 型MOS 管。3 r" v# E* p" @% M- G( z8 k
/ R: F% ~6 Y' m1 _! u+ a) `
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; p/ L) |9 h5 @% G( F: h  X4 K( C$ E- @
+ P$ F# Y) z1 {! a* N8 {7 ?+ @* x

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发表于 2020-4-24 11:39 | 只看该作者
好好学习一下
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发表于 2021-12-30 18:47 | 只看该作者
学习学习

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发表于 2022-1-13 23:57 | 只看该作者
好好休息

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