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[电子大赛] 2015年全国大学生电子设计竞赛双向DCDC电源设计报告

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发表于 2019-12-10 10:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
摘要;; L* I# `- p/ r! `
本系统以Buck 和Boost 并联,实现双向DC-DC 交换,以STM32 为核心控
% g  L. V% g- Z5 Y制芯片。Buck 降压模块使用XL4016 开关降压型转换芯片,通过单片机闭环实" \9 x2 F) c; k
现恒流输出控制。放电回路选择Boost 升压模块,以UC3843 作为PWM 控制器,
7 u( {$ k, Q. [组成电压负反馈系统,通过调整PWM 的占空比,实现稳压输出。系统能自动检8 i' o' u5 W) |8 g  V$ ^
测外部电源电压变化, 在负载端电源较高时自动切换成充电模式, 反之切换为放
2 T1 ]/ y4 ]& B8 i3 k: c' g6 Q电状态。系统具有过流、过压保护功能, 并可对输出电压、电流进行测量和显示。: g& }. t+ n# W" K% T. P
2 |! G1 c( z) s5 k' ~
目录  Y2 }5 d& O. Y* M
1 系统方案................................................................... 1
+ C: ?) Q) T) I+ _5 _1.1 升、降压电路的论证与选择............................................................................................ 1
3 m2 X) q# A* \" E# t1.2 系统组成及控制方法........................................................................................................ 19 F% n% {" o# _" }
2 系统理论分析与计算......................................................... 25 z4 M* E5 S7 z9 v; `5 r
2.1 电路设计与分析................................................................................................................ 2
+ T: X; Q- }' g' a2.1.1 提高效率的方法..................................................................................................... 20 K# o4 O! y4 H8 |* r* n
2.1.2 控制回路分析......................................................................................................... 2, m. H- ~) H: {4 x1 ]( @
2.2 控制方法分析.................................................................................................................... 2# K& s& J# y9 W/ |! t
2.3 升压、降压电路参数计算................................................................................................ 3
' ]8 o2 O# m# u! Z/ ~- P8 ^. J2.3.1 元件选取................................................................................................................. 3
4 S2 F2 Y! t2 _, R2.3.2 电感计算................................................................................................................. 3
- w$ Y* [) X3 o3 电路与程序设计............................................................. 4
; [/ p0 j+ a$ ?" D' B4 z& G2 K0 i3.1 电路的设计......................................................................................................................... 4
0 y) s4 f: s6 w1 b) G3.1.1 系统总体框图.......................................................................................................... 4, C! y) V( {# \2 X" S/ a+ C
3.1.2 充电系统原理......................................................................................................... 4, k+ z9 C+ S, C# q5 N
3.1.3 放电系统原理......................................................................................................... 5
8 I. k. D( Z' S' F! @, P* O3.2 程序的设计......................................................................................................................... 5
1 M. K3 S1 ~* v! w1 X% e8 l3.2.1 程序功能描述与设计思路...................................................................................... 5. }; A1 u! f8 |$ |. o, z
3.2.2 程序流程图.............................................................................................................. 5& I/ T# s$ c8 |; j/ `: w- R
4 测试方案与测试结果......................................................... 6
. T$ ?! t, d6 Z: g2 l: R/ r4.1 测试方案............................................................................................................................. 6
4 u$ Z- X7 q% J) S4.2 测试条件与仪器................................................................................................................ 7
2 e4 j3 n: D5 x0 M6 z5 Q4.3 测试结果及分析................................................................................................................ 73 t( Y8 }1 S: b( d" ]; K
4.3.1 测试结果(数据) ....................................................................................................... 7
4 H& k4 R8 J- x: G8 @4.3.2 测试分析与结论...................................................................................................... 7
, A9 [9 a8 X8 @$ x' q附录1:电路原理及实物....................................................... 8
6 M1 |8 \+ F" b, \5 a$ d) ~附录2:主要程序片段......................................................... 90 n/ W$ t9 s% y, f$ ]4 P- f4 X
1
- V. l8 {8 N4 V3 n) i6 }) u8 r双向DC-DC 变换器( A 题). Y! t7 i7 v$ Y8 M8 c$ L4 ~
【本科组】
0 ?( S5 S0 d# h  A1 n1 系统方案  }7 v, x+ {7 L/ t2 T! D. z+ [- ^# e
系统要求效率, 所以恒压输出、稳流输出都应采用开关电路, 鉴于本题目要求的功1 ?9 |, G5 {0 j* u' s: t
能,系统主要由恒压控制模块、恒流控制模块组成,另为了灵活调整输出参数并实时监
8 o/ q! V  p5 [; d& [! _" k7 c控系统工作状态,运用单片机控制技术,还有支持系统控制系统工作的辅助电源。
& |! C4 W7 |0 F1.1 升、降压电路的论证与选择3 N& m# Q# Q7 \, [2 B
方案一:采用线性电源电路。线性控制电路控制简洁,输出波形指标良好,电路简
1 b5 l  s& t: A; j# c6 R" ?0 k单,但缺点是效率极低, 在当前的大功率电源应用场合已被淘汰, 因题目对效率的要求,
0 p- z' u/ }4 G; L9 o6 w8 Y$ M& @这里不能采用线性电源。- g* H5 k7 l8 H3 ?
方案二:正激、反激变换器。电源调整管工作在开关状态,优化调整后其效率远高
# f8 o! }( D9 t8 Q% p) d于线性电源;且有可以有灵活的参数设计满足不同的需求; 有大量产品级方案可供借鉴,8 c6 \8 m/ m3 v- @" J
实现起来难度不大。- C5 p3 d0 E, q6 F3 t. z' J4 ]1 t5 A
方案三:当前流行的开关电源大多基于Buck、Boost 基本电路拓扑结构或他们的结
3 g0 e  j1 [9 ~* z2 G& O, {8 F' {  }合,在对题目进行仔细分析后,系统需求的尽是升压和降压,在Buck、Boost 基础上附5 X+ o- ]8 b; ?1 z. S
加反馈控制就可完成任务,这样还可以省略繁杂的变压器参数设计,因电路简洁实现起
$ [/ |; h, A1 ]  o1 |) M来更加容易。并且因为使用较少的常规元件,节省成本提高可靠性,符合产品设计的思
% x1 }/ v& w( @$ f' ~1 b$ L路。3 q, b, X5 `! _1 s) h5 U+ o
综合以上分析,选择方案三。3 e$ K: I# U# H: I& s
1.2 系统组成及控制方法
5 ^3 [) u& E* f1 m; ~( A  O$ D方案一:系统由Buck、Boost 模块实现升压、降压任务,各模块所需PWM 信号的
" G" A$ U, K7 t  s4 a" g2 G( o- `由单片机提供,单片机AD 采集实时输出量,经运算后通过改变占空比调整模块工作状
/ o  Y& l( u/ x) J5 V; G态。该方案电路最简单,各种控制灵活,缺点有单片机运算量过大,开关信号占空比受
, W+ ?( L, H6 o( d单片机限制,浮点运算的时延影响电路跟随,另外单片机容易受到功率管开关干扰而失9 D' R/ V' f/ G- B, A8 F
灵。
6 h! W! W0 u: u% P4 s0 X1 [方案二:使用振荡器、比较器产生PWM 波,由负反馈电路实现输出控制,单片机
+ X( T6 [) L) {8 N" s负责状态切换和测量显示,该方案原理易于理解,但自己装调的PWM 电路在开关时容/ ?, [6 t5 f7 p& W0 }6 M! J. N
易出现振铃毛刺,直接影响了系统效率,并且要完善反馈控制对回馈信号要求较高。2 z- I5 L' x1 _1 d7 H1 O
方案三:借用现有成熟PWM 控制器,该类集成电路输出波形好,工作稳定,都具
+ a2 S/ b# ^' H# m4 F' ?备至少一个反馈控制引脚,按照厂商提供的典型电路就可装调出应用电路。但这类电路
- ~8 U' O9 V& Y5 ?9 _一般针对专用场合设计,借用时需要较多设计计算,特别是该类芯片的反馈有极高的控+ M5 u: D) j$ e/ m3 E2 i
制灵敏度,在单片机参与时需要较多改动。3 r5 G# r& z' R! v
为提高系统性能选择方案三, 降压回路使用XL4016,升压回路以UC3843 为核心,7 E4 V) r# K9 w. [" O7 h' {- U
2
( P8 J2 T- _' }" i8 y+ S9 w控制单片机使用STM32,有很高的工作速度、丰富的外围资源,可以很好地完成系统+ s" E8 K9 f4 H% _8 ?
控制任务。
' p4 N7 j( u, {' {2 系统理论分析与计算
- Y( Q, h8 ^- T/ |" Q2.1 电路设计与分析
4 C: }$ G& u( Y2.1.1 提高效率的方法
: [5 a2 A5 {8 M# s: S' h$ A5 w在电路的设计过程中, 找到了影响系统效率的主要因素有三点: 功率变换器开关器9 o) @) }, S: f4 q# J
件的开关损耗;感性元件的铁损和铜损;控制电路的损耗。.
. T; h  y$ C4 X" N$ U  n$ V7 N- }所以提高系统效率,我们可以从这三方面出发。6 g7 C7 E5 p2 w9 V  ]) ^: S1 w
1.开关器件的损耗不可避免, 但是可以采用低功耗的开关管和二极管。采用MOS# O, L) D) L# Z9 `! q9 i
管做为开关管, IRF540 型MOS 管开关损耗小,其只在导通期间由开关损耗,适合频率2 b5 G" q' i- o6 W
比较高的工作场合。采用肖特基二极管做为续流二极管,耐压高,损耗小。如此选择器: |- b7 z/ E) U  H+ N  k8 h1 ^) y& z
件可以降低开关器件的损耗,提高系统效率。
3 F( I% b$ o' l- J, P2.通过理论和实践验证,电感越大,纹波电流越小,电感损耗越大。所以在满足要/ f' \! w+ X9 ^: j7 A7 E
求的条件下减小电感,并且严格按照要求绕制电感,减小磁隙,线圈紧凑等。, V+ l9 V# p: Y7 n  s" H1 }
3.在焊接时合理安排布局, 减少开关信号走线的连接, 可以在布局布线上减小损耗。
' Z- G9 A! `+ ?; q2.1.2 控制回路分析" w% U2 M( b, F! F3 w5 n& ~
1.恒流输出:在输出端检测采样电阻的电压,因为信号很小,经过20 倍放大送至0 W, z2 a: F( z" d; Y  \
单片机,单片机将处理结果, 经误差放大器送至XL4016 的反馈端FB。FB 与内部1.25V" J; u& j% m3 Q, H$ F
基准电压比较,控制PWM 信号,进而达到控制输出电流。经过闭环负反馈系统控制,
' w" ]* s$ e" [) f. S! M+ |0 ]可以使输出电流恒定,起到了过流保护作用。# n0 s$ N, g: x& X$ x1 L
2.自动切换:由单片机采集30 欧负载两端电压,当电压低于30V 时,系统工作在/ s+ x2 ^, A: |; l+ B4 V% q
放电模式;当电压高于30V 时,系统工作在充电模式。此外,还可以手动切换工作模式。
# d* [7 n# }8 c& k: i3.液晶显示:使用12864 液晶屏,显示电池组的充电电流和充电电压。充电电压是
  R% W: }% S' v采集XL4016 输出端的电压,当电压大于24V 时,断开充电模式。充电电流同XL40162 U: w% d4 {9 Z8 f% M7 p6 {
反馈的电流信号,在单片机内部换算并显示。
& N2 ~4 v4 _5 d  x0 v% D6 e/ t) s2.2 控制方法分析
. R3 Z* k0 }' i& L' ]; kUC3843 是高性能固定频率电流模式控制器,电压负反馈均衡控制,每周期由斜波: m0 g# S$ p0 r9 P. P' D
电流峰值关断。UC3843 的振荡频率由RT/CT 引脚接的电阻电容决定,系统的开关频率$ Z/ E0 d6 l$ ?2 \  w
为f=1.8(RT*CT )=60KHz。PWM 以60 KHz 的频率控制开关管的导通截止,电感L
2 l! y4 n- C$ d# O储存并释放能量。PWM 的占空比越大,开关管的导通时间越长,电感存储的能量越大;
/ c" `! ^8 w- \; T7 a7 [+ _相反电感存储的能量越小。7 H+ i! m5 v7 a7 {# }
稳压过程有两个闭环系统来控制,分别是恒压输出和过流保护。+ @, @1 T! j9 [: s, R; h
恒压输出:在输出端通过电阻分压采集比例电压信号, 经电压误差比较器后平滑滤
7 O; l& _3 m- \# L波。积分器的电容大小影响系统的调节速度,即影响指标中输出的动态响应时间。当采
$ |( {. b% T3 E, U, P3
& `% F& w* {7 e9 F) X) n% w集的电压小于内部2.5V 基准电压,使PWM 调节器的输出脉宽增加,从而影响输出电" v8 a- r+ g% d9 N# D1 k5 {: x
压调节幅度。
. y  q" D/ v5 V2.3 升压、降压电路参数计算9 |8 R5 ]; G) j, S- i
2.3.1 元件选取% R0 S# P5 d0 i
1.MOS 管的选取0 x$ Y8 X- y: p+ d
根据主电路中的工作电压及电流,结合MOS 管的耐压、耐流及损耗性能,电力晶! ]4 H, y- S) w( }  \
体管耐压高,且开关损耗大,适合工作频率比较低的场合,电力场效应管耐压比较低,
% j9 |( S$ j+ F5 V& r+ t! L但是开关损耗小,适合频率比较高的工作场合。根据这里的情况,我们选用了。考虑到
( y; |# |: I' k5 Z实际电压电流尖峰和冲击, 电压电流耐量分别取2.5和2 倍裕量,即应选取耐压高于40V,) i' M5 A! W( g( Y; t1 p
最大电流33A。实际选用IRF540 型MOS 管。
. T' @6 L$ V- w! X% _* d- [# @( o
$ V5 O6 a! {9 I6 w# C7 R' ]4 ?7 A" O
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6 h- h$ ^$ F3 }4 `1 G5 ]0 R
7 O7 K0 b2 @  i/ q

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发表于 2020-4-24 11:39 | 只看该作者
好好学习一下& ]8 h5 h- n, }; _: f

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发表于 2021-12-30 18:47 | 只看该作者
学习学习

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发表于 2022-1-13 23:57 | 只看该作者
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