EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
多芯片集成在隔离型DC-DC转换器中的实现 0 z) S. v2 c5 p1 s0 k2 ^! E# _
: O8 a! s+ r& x5 o! ^ ~8 V
隔离型DC-DC转换器历来通过分立元件实施-分立驱动IC和分立功率MOSFET。这些器件被用于各种拓扑结构。最主要的是“半桥”和“全桥”。 $ ]6 Y9 m& \1 |* S6 t
许多云基础设施的应用采用半桥和全桥拓扑结构，如无线基站（远程无线电单元）、电源模块和任何板载隔离型DC-DC转换器。其他应用包括工业领域，如电机驱动器、风扇和暖通空调(HVAC)。这些应用的设计工程师力求降低整体方案的大小或增加输出功率。 9 t& `2 ?7 K- V" w5 c. [, S4 q1 X$ q
% O7 Y" N$ v, u7 I" s" L
安森美半导体的FDMF8811是业界首款100 V桥式功率级模块，优化用于全桥和半桥拓扑。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。 # h C; r$ p0 a8 `5 v5 o7 b T( j
与分立方案相比，FDMF8811可减少一个典型的全桥方案约三分之一的PCB面积。这令制造商设计更紧凑、高能效的产品。物料单(BOM)器件的数量也显着减少，实现供应链和装配的高效。 0 g. G$ Q1 J) D# T }: d
0 k2 r6 `) W& V# R1 e$ i' k/ K N7 S
如果PCB面积不是问题，那FDMF8811可有助于在现有的PCB面积内提高设计的输出功率。例如，这可通过从现有的、本来低功率拓扑结构，如有源钳位正激、反激式或推拉式，转为采用FDMF8811的半桥或全桥拓扑来实现。另一个例子是现有的采用分立MOSFET的半桥方案可以转换为在相同的占板面积内的一个全桥拓扑。这种转换使系统的输出功率加倍。 , R9 x0 A. B, J B% G
FDMF8811集成了一对100V的功率MOSFET、120 V驱动器IC和一个自举二极管到6.0 mm x 7.5 mm 的PQFN封装。
+ H# [+ r0 C& H. l0 J$ M9 u2 \
通过集成所有的关键动力传动元件，安森美半导体已经能优化该模块的驱动器和MOSFET的动态性能、系统寄生电感和功率MOSFET的导通电阻RDS（ON），从而保持尽可能最高的能效。该集成显著降低了供电回路的寄生效应。这大大降低电压应力和电磁干扰(EMI)，提高系统的可靠性。
3 c' C3 j. W g- N+ N% _4 L8 O+ @采用FDMF8811的隔离型DC-DC转换器被充分优化，以在最佳能效水平达到最高的功率密度。有了高度集成的、高性能的FDMF8811，实在没有理由再使用分立器件！ . B0 w" ^% ]. _
| 
/1 
发表于 2019-12-10 10:34
收藏
淘帖
支持！
反对！