请大神帮忙分析下两个控制电路的区别，感谢！

YOTC

风雨长戈 发表于 2019-12-27 09:46
2 V9 s0 P0 y+ ?0 c0 |G极接个10K下拉电阻实现快速放电关断

是在下图位置加一个10K下拉电阻吗？Q19导通时，R188不就是下拉电阻吗？
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YOTC

5 ~# l3 I/ A0 G: J3 Y

zyl0504 发表于 2019-12-27 13:39
你说的第一和第二条，个人赞同，C163起的作用也是为了缓起缓停，这个电容式并联在GS之间的，MOSFET本身是 ...

感谢你的回复。
1. 你提到“外部并联C163目的就是增大这个电容，从而增大开通和关断时间”，我的理解是：MOS管要么开通，要么关断；增大开通时间就会响应的减小关断时间，同样增大关断时间也会减小开通时间，两者是相反的。不知你说的”增大开通和关断时间“怎么理解？另外G端的充放电过程，C163好像也没有参与。
& @6 b: Z) H9 b2. 你提到”图1充电时间更快，图2放电时间更快“，“图1充电时间更快”我的理解：图1中，三极管Q17导通后，三极管阻抗很小，其阻抗远远小于并联在一起的R186，所以充电时间RC比没有三极管的电路要快。“图2放电时间更快”我不是很理解：作者上传的2张图，第一张图计算出的放电时间=C165*R188=0.22*22ms=4.84ms（C164没有上件），第二张图计算出的放电时间=C812*R802=4.7*1.5ms=7.05ms，所以放电也是第一张图快。
3. 如果这两张图充电电路和放电电路的电阻和电容取值一样，那么放电时间应该是一样的，充电时间应该是有三极管的快。不知我的理解是否正确？
# f& ^( m* Z% y( @' o* `, r  R
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markamp 发表于 2019-12-27 09:13
q17 q18应该加快MOS关闭，但G极又加那么大的电容，这是想干啥？

# i  N. _2 k2 b; P* ]所以如果要起到缓起动的作用，有三极管的电路是冗余设计，要采用没有三极管的电路（第二张图），是吗？

markamp

可以这么说，加三极管主要是关闭快

markamp

第一张图Q17工作在放大到饱和状态，时间快不少

anguchou

:):)

paul_ding

lxk 发表于 2019-12-26 20:36
上面一个panel——on是逻辑为低打开，下面一个是逻辑为高打开

) b$ S+ O; {2 s" h* H: v如果是低电平有效NPN的三极管怎么导通。

paul_ding

我觉得电路越简单越好，不太明天mos管G极接的电容是什么意思。
5 n# M, `6 g" H2 @+ ~建议C812去掉，R801=10K,R802=100K,C810=0.47uF,C801那里并联一个电阻用于三级管导通时间的调试。