请大神帮忙分析下两个控制电路的区别，感谢！

YOTC

风雨长戈 发表于 2019-12-27 09:46
7 k$ G( m/ l6 a) p1 KG极接个10K下拉电阻实现快速放电关断

是在下图位置加一个10K下拉电阻吗？Q19导通时，R188不就是下拉电阻吗？

! y$ @7 f1 B3 ~2 k

YOTC

zyl0504 发表于 2019-12-27 13:39
& g( h; L3 G0 \$ V你说的第一和第二条，个人赞同，C163起的作用也是为了缓起缓停，这个电容式并联在GS之间的，MOSFET本身是 ...

- @  ]$ V7 d2 e9 U: B( d感谢你的回复。
* u/ d' ~0 O7 w! w4 n$ X9 |1. 你提到“外部并联C163目的就是增大这个电容，从而增大开通和关断时间”，我的理解是：MOS管要么开通，要么关断；增大开通时间就会响应的减小关断时间，同样增大关断时间也会减小开通时间，两者是相反的。不知你说的”增大开通和关断时间“怎么理解？另外G端的充放电过程，C163好像也没有参与。
2. 你提到”图1充电时间更快，图2放电时间更快“，“图1充电时间更快”我的理解：图1中，三极管Q17导通后，三极管阻抗很小，其阻抗远远小于并联在一起的R186，所以充电时间RC比没有三极管的电路要快。“图2放电时间更快”我不是很理解：作者上传的2张图，第一张图计算出的放电时间=C165*R188=0.22*22ms=4.84ms（C164没有上件），第二张图计算出的放电时间=C812*R802=4.7*1.5ms=7.05ms，所以放电也是第一张图快。
: D& `4 {' A1 n( k" D  C3. 如果这两张图充电电路和放电电路的电阻和电容取值一样，那么放电时间应该是一样的，充电时间应该是有三极管的快。不知我的理解是否正确？

  [' w5 h7 u' B! O, e9 p

YOTC

markamp 发表于 2019-12-27 09:13
; `, n- ^( n5 Y6 l# ~q17 q18应该加快MOS关闭，但G极又加那么大的电容，这是想干啥？

3 p8 {% y/ M: S) ~: n所以如果要起到缓起动的作用，有三极管的电路是冗余设计，要采用没有三极管的电路（第二张图），是吗？
9 Z# V6 K! @$ d% V. ~( Z6 m

markamp

可以这么说，加三极管主要是关闭快

markamp

第一张图Q17工作在放大到饱和状态，时间快不少

anguchou

:):)

paul_ding

lxk 发表于 2019-12-26 20:36
上面一个panel——on是逻辑为低打开，下面一个是逻辑为高打开

3 q# q) l% }! e1 y: w如果是低电平有效NPN的三极管怎么导通。

paul_ding

我觉得电路越简单越好，不太明天mos管G极接的电容是什么意思。
建议C812去掉，R801=10K,R802=100K,C810=0.47uF,C801那里并联一个电阻用于三级管导通时间的调试。
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