MOS 接法问题 大家来探讨一下

kevin1258

P5V_DUAL  的电  在LS7A_GPIO1 为H 之后，关闭PQ23    然后让PQ23导通  由 P5V 提供，  
1 r0 m# r; [5 A  `. b由图看到是S端接输入端，D 端接输出端，请问这种接法是否有问题？

同事说这个是增强型的N MOS ，这种接法 在H2 为 L 的时候   是可以断开PQ23的，有点搞不清楚啥是增强型的N P MOS  求高手解惑。
3 ?2 q' d# {: k7 a* H

qinguojun

kevin1258 发表于 2019-12-28 13:45
能具体说下原因吗？

简单说下吧。P5V_DUAL有两种供电方式。第一种是PQ3导通，由P5V供电给P5V_DUAL，虽然PQ6的体二极管会连接到P5VSB，但因为P5V的电压和P5VSB电压都是差不多的5V，所以PQ6的体二极管并没有什么电流流通。

3 |2 A: ~! n( C3 ^第二种是PQ6导通，由P5VSB供电给P5V_DUAL，虽然PQ3的体二极管会连接到P5V，但因为P5V的电压和P5VSB电压都是差不多的5V，所以PQ3的体二极管并没有什么电流流通。
0 J8 z, A; i; m0 J另外PQ3这样的设计方式，体二极管会使P5V_DUAL一直有5V，也许是为了由P5V供电无缝切换到P5VSB供电吧。
电路是为系统服务的，是系统中的一部分，不该脱离系统去片面分析。不了解该电路所在的系统，不了解该电路所要实现的功能，不该妄言说电路有无问题。

topwon

我觉得应该有问题：
1，PQ23的体二极管会一直导通，P5V->P5V_DUAL
1 O2 g& ^2 y- R4 O: G/ |" o& }2,  H2为低时，PQ23的GS电压差为S（5V）大于G（0V），对NMOS管来说，不符合MOS管导通条件，但是此时Q23的体二极管还是会导通。
3，H2为高时，PQ23的GS电压差为S（5V）小于G（12V），对NMOS管来说，符合MOS管导通条件。
所以，H2对PQ23没有控制能力。
综上所述，我认为PQ23应该改用PMOS管来做（高边电源控制本来也就应该用PMOS来实现吧？这个与增强型MOS管应该无关）。

kevin1258

qinguojun 发表于 2019-12-30 09:51
MOS的体二极管是，可以认为就是个二极管，当然不受G 端控制，有电压差就会导通。

明白了，感谢回复。
你对这电路的理解还是蛮透彻的，只是有个地方理解是有些差异，不过这是因为你不了解这个电路的应用场景，我跟你讲下，你就更清楚了：
9 I* h4 C) o; j( b. h
1. 首先P5V_DUAL，确实是由P5V 和P5VSB 在不同的场景下，分别提供； 但是这里P5VSB是常供电压，而P5V 是在系统开启才会产生，即LS7A_GPIO1在系统power off状态下为L,(LS7A_P3V3SB也为常供电压，standby） H1,H2 都为H ，但是P5V 不是常供电压，在系统没起来前，此电压不输出，故此时P5V_DUAL；
* {  R# A" T: u, K( ]" h3 ^
, ~' }2 s* j2 D  V3 r% Z5 U3 H2. 在系统power on 情况下，LS7A_GPIO1 为L, 则 H1,H2 都为H, PQ4,导通P5VSB供电给 P5V_DUAL，但此时P5V并未输出 此为休眠状态 ，但此状态P5VSB的电是禁止倒灌到P5V;
4 K# i7 c9 D/ Z5 g2 p5 k   在系统power on 情况下，LS7A_GPIO1 为H, 则 H1,H2 都为L, PQ4,截止，P5V输出 P5V_DUAL，即你说的 P5V_DUAL可以在P5VSB关断过程中很好互补给 P5V_DUAL,这样设计可以防止电压有台阶，跳变，保持P5V_DUAL稳定。
* Q* Z# Q# q7 t' b( B5 ~( x. w
另外由于PQ1的控制 失效，个人感觉在这个电路可以用二极管直接代替PQ1,但是待验证 。

爬山虎

这电路貌似有问题吧，PQ3的体二极管一直是导通状态，P5V_DUAL一直有输出吧。等待高手解惑！

qinguojun

接法没问题。大多数MOS，都是增强型MOS管，即Vgs为0V时，MOS管 不导通。

kevin1258

7 s( Y( Z& R8 K: ~- @

topwon 发表于 2019-12-27 16:50
我觉得应该有问题：
. m( Z1 E- `+ g1，PQ23的体二极管会一直导通，P5V->P5V_DUAL
: {, |6 }  S# G$ |6 C, x2,  H2为低时，PQ23的GS电压差为S（5V ...

9 a7 ]  a9 e6 _
; q5 ^% q$ p5 C% e1 a( H: R

kevin1258

qinguojun 发表于 2019-12-27 18:04
接法没问题。大多数MOS，都是增强型MOS管，即Vgs为0V时，MOS管 不导通。

, [8 O4 A! P/ S* d( R那如果我把栅极和源极掉换下 可以吗
0 _" J! C3 L+ N" z

markamp

6 P0 W/ b  I" l0 h3 G& V小图看了下，没仔细看大图，看错了，原来是双路供电，不是电机驱动。看起来像是为了避免P5V_DUAL在切换时断电，所以这样接，但我觉得如果想不断电，那么两个二极管的方向应该都指向P5V_DUAL。

qinguojun

kevin1258 发表于 2019-12-27 18:31
# N) s7 |4 y. l9 i  D# \那如果我把栅极和源极掉换下 可以吗

  P/ R" `7 f: K+ a/ G栅极和源极不能调换。你这个电路虽然有点小细节问题（体二极管），但还能用。
# M. U  d/ b, Y

kevin1258

qinguojun 发表于 2019-12-28 12:49
) s% B: T7 M1 T" c& Q栅极和源极不能调换。你这个电路虽然有点小细节问题（体二极管），但还能用。

能具体说下原因吗？
7 }' @- Z" w+ w+ v  W. P3 b

1324702424

法 在H2 为 L 的

huangzheng042

Vgs>VT开启电压,形成导电沟道的N MOS管叫增强型的N mos  

布衣

图片有点模糊，看不太清楚。

kevin1258

qinguojun 发表于 2019-12-28 23:25
* t; l6 i$ I: W& V; n简单说下吧。P5V_DUAL有两种供电方式。第一种是PQ3导通，由P5V供电给P5V_DUAL，虽然PQ6的体二极管会连接 ...

- ?* n, v8 d* X( J; o. W+ p- @
* F* ]1 n% j  X2 Z* [5 Q
我想确认下 ：
. M  n$ v3 j9 W    PQ3 在H2 为低的情况下，是否可以有电流流向下方的P5V_DUAL？

& ^) O/ t. u! `2 H6 C4 k或者这样问：
) R9 V) C: t) Q1 G% R
    MOS的体二极管是不是可以不受G 端控制就可以单向导通？

qinguojun

kevin1258 发表于 2019-12-30 09:34
我想确认下 ：
    PQ3 在H2 为低的情况下，是否可以有电流流向下方的P5V_DUAL？

MOS的体二极管是，可以认为就是个二极管，当然不受G 端控制，有电压差就会导通。