TA的每日心情 | 开心
2019-11-20 15:05 |
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晶体管模型" L3 @+ A7 A9 y2 [
射频集成电路主要工艺5 S7 v7 q: S! Q0 K; h$ L; @5 W0 z# K
砷化钾 GaAs——最高频率达到100~50GHz6 R2 J4 i: V6 I% ~
超高速微电子学和光电子学 l7 w0 f. w# _
CMOS ——噪声低、线性好、与数字集成电路兼容3GHz以上- ?' J+ e/ |2 d
描述晶体管的两种模型" M: x) W* D7 }" r s8 a9 q( ?
% A2 S. n% r1 f" z
6 ^3 [8 F* s0 v' U' |! B2 ^' Y
1. 物理模型——等效电路模型4 c& e6 d' S' X! g
q4 U: Q& I$ A( j( L特点：模型中的每个参数均对应一定的物理意义
2 u" i& x3 z4 l1 r: q! Q% x2 X4 r/ v! u8 b0 i
适用的频率范围较宽' u& y- P# J1 L4 C1 O# h+ V9 @1 I6 b
% |% P! J% N' |: l. f [% I
举例：混合∏型模型
8 t4 p7 v% X; W2. 网络模型
5 d F( @+ e: t' d% ?9 r* h8 q& `9 o X V/ K" l: V
特点：把晶体管视为一个双端口黑盒子，分析其端口参数% p1 h y* ]7 ?: d; T( [! s
8 I% y. W% y* F8 I+ {8 B$ @适用于特定频率、线性参数# k! x0 L$ u7 l! B
2 ^. F, x7 p9 k: i3 x. @
举例：S参数
2 u; H$ i/ ^% i& k( y; e+ }8 o7 ^) l- Y" g' Q
注意：应用不同的模型，分析设计低噪放的方法不同+ k8 q5 q- c9 P' X! W
$ ]5 U/ E2 B4 U* K$ c% Q" K
本章重点——用晶体管的混合 ∏ 型模型分析、设计低噪放
$ k0 J7 ~% B6 j, X* t R8 Q8 {5 @) m% f3 Q0 F
, q- \5 e: h: q/ l5 m; E7 E
6 Q0 A4 W9 _9 Y& c
7 v/ P3 v/ c' _3 L0 c
H- c' G9 s/ f6 d6 B2 Z2 A( n5 E: ^
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发表于 2019-12-31 10:34
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