TA的每日心情 | 开心
2019-11-20 15:05 |
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晶体管模型2 N3 }4 S! }6 D6 B( B
射频集成电路主要工艺
1 }* V: h6 e$ }* K8 }, L" h, u砷化钾 GaAs——最高频率达到100~50GHz
" ^! j9 F5 l+ z# j+ R 超高速微电子学和光电子学
2 K! D1 y8 A$ E9 K& w! C+ O& Z0 ACMOS ——噪声低、线性好、与数字集成电路兼容3GHz以上8 V1 q* w/ G$ k& {/ Z4 {
描述晶体管的两种模型
2 R1 Q, K3 l" U8 Z7 E, z, l9 `+ g- c: ]) T7 m
7 M8 F9 e3 k. t/ q9 W/ T
1. 物理模型——等效电路模型
+ E0 k) S1 i$ j3 K- p$ L7 N2 V) A
特点：模型中的每个参数均对应一定的物理意义
, _8 h6 Y; ]+ [' e$ c% m( z9 ~ Y! p+ n
适用的频率范围较宽/ |0 y4 w9 _2 Y+ ~1 M6 q2 z
5 o* J9 J3 k& W, z* _ X
举例：混合∏型模型( h! k; @5 q. _' u8 O9 ]1 Q! j& i: s$ B
2. 网络模型+ V* e4 s0 A E4 \: G* c
9 r& h$ Q/ n5 [7 W+ ]特点：把晶体管视为一个双端口黑盒子，分析其端口参数
" ]4 n4 f) g u- L& v6 Z* u( L+ }# O5 H/ l8 @
适用于特定频率、线性参数. ?" O5 |* r, S' t
. {: G, Y. z7 p' q) }8 S. N* s
举例：S参数
$ R" Y* u- `! R* m7 B) |: G8 F# r/ X1 r3 Y. k
注意：应用不同的模型，分析设计低噪放的方法不同5 E7 ?; J! G4 D9 [# y9 l! z+ @
* {9 e6 N# h2 k- U4 D" z9 w
本章重点——用晶体管的混合 ∏ 型模型分析、设计低噪放, f# ?% d [: M7 t
' N+ Y; ~: t+ z: k3 y. J8 V! l h# G% F8 i. a! W# w/ G7 a) c
6 I% l# v) W. E7 K# D! V# P Z# F
: |, P4 X V; ]$ z0 J& R% p
y6 Y$ f9 V5 o! Y8 J3 D
. v1 G+ L" N* t! r
! }+ p9 a! E D$ e' l! P |
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发表于 2019-12-31 10:34
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